公开(公告)号：US20070190683A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US11674580

申请日：2007-02-13

申请人： Jun-Soo BAE ,  Hideki HORII ,  Ji-Hye YI ,  Young-Soo LIM

发明人： Jun-Soo BAE ,  Hideki HORII ,  Ji-Hye YI ,  Young-Soo LIM

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L45/1675 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144

摘要： The present invention relates to a phase changeable structure having decreased amounts of defects and a method of forming the phase changeable structure. A stacked composite is first formed by (i) forming a phase changeable layer including a chalcogenide is formed on a lower electrode, (ii) forming an etch stop layer having a first etch rate with respect to a first etching material including chlorine on the phase changeable layer, and (iii) forming a conductive layer having a second etch rate with respect to the first etching material on the etch stop layer. The conductive layer of the stacked composite is then etched using the first etching material to form an upper electrode. The etch stop layer and the phase changeable layer are then etched using a second etching material that is substantially flee of chlorine to form an etch stop pattern and a phase changeable pattern, respectively.

摘要翻译： 本发明涉及具有减少的缺陷量的相变结构和形成相变结构的方法。 首先通过（i）在下电极上形成包括硫族化物的相变层来形成堆叠复合体，（ii）形成相对于在相上包括氯的第一蚀刻材料具有第一蚀刻速率的蚀刻停止层 可变层，和（iii）形成相对于蚀刻停止层上的第一蚀刻材料具有第二蚀刻速率的导电层。 然后使用第一蚀刻材料蚀刻层叠复合体的导电层以形成上电极。 然后使用基本上不含氯的第二蚀刻材料来蚀刻蚀刻停止层和相变层，以分别形成蚀刻停止图案和相变图案。

公开(公告)号：US20080237566A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11905244

申请日：2007-09-28

申请人： Hyeong-Geun AN ,  Hideki HORII ,  Jong-Chan SHIN ,  Dong-Ho AHN ,  Jun-Soo BAE ,  Jeong-Hee PARK

发明人： Hyeong-Geun AN ,  Hideki HORII ,  Jong-Chan SHIN ,  Dong-Ho AHN ,  Jun-Soo BAE ,  Jeong-Hee PARK

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1683

摘要： A phase change memory device and method of manufacturing the same is provided. A first electrode having a first surface is provided on a substrate. A second electrode having a second surface at a different level from the first surface is on the substrate. The second electrode may be spaced apart from the first electrode. A third electrode may be formed corresponding to the first electrode. A fourth electrode may be formed corresponding to the second electrode. A first phase change pattern may be interposed between the first surface and the third electrode. A second phase change pattern may be interposed between the second surface and the fourth electrode. Upper surfaces of the first and second phase change patterns may be on the same plane

摘要翻译： 提供了一种相变存储器件及其制造方法。 具有第一表面的第一电极设置在基板上。 具有与第一表面不同的第二表面的第二电极在基板上。 第二电极可以与第一电极间隔开。 可以对应于第一电极形成第三电极。 可以对应于第二电极形成第四电极。 可以在第一表面和第三电极之间插入第一相变图案。 可以在第二表面和第四电极之间插入第二相变图案。 第一和第二相变图案的上表面可以在同一平面上

公开(公告)号：US20080149910A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11941173

申请日：2007-11-16

申请人： Hyeong-geun AN ,  Hideki HORII ,  Jong-chan SHIN ,  Dong-ho AHN ,  Jun-soo BAE

发明人： Hyeong-geun AN ,  Hideki HORII ,  Jong-chan SHIN ,  Dong-ho AHN ,  Jun-soo BAE

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/144 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1675

摘要： Provided is a phase-change memory device including a phase-change material pattern of which strips are shared by neighboring cells. The phase-change memory device includes a plurality of bottom electrodes arranged in a matrix array. The phase-change material pattern is formed on the bottom electrodes, and the strips of the phase-change material pattern are electrically connected to the bottom electrodes. Each strip of the phase-change material pattern is connected to at least two diagonally neighboring bottom electrodes of the bottom electrodes.

摘要翻译： 提供了一种相变存储器件，其包括相邻单元共享条带的相变材料图案。 相变存储器件包括以矩阵阵列排列的多个底部电极。 相变材料图案形成在底部电极上，相变材料图案的条带电连接到底部电极。 相变材料图案的每个条带连接到底部电极的至少两个对角相邻的底部电极。