公开(公告)号：US20090256165A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12102261

申请日：2008-04-14

申请人： Katherine Louise SMITH ,  Mathieu Xavier Senes ,  Tim Michael Smeeton ,  Victoria Broadley ,  Stewart Edward Hooper

发明人： Katherine Louise SMITH ,  Mathieu Xavier Senes ,  Tim Michael Smeeton ,  Victoria Broadley ,  Stewart Edward Hooper

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01S5/34326 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01S5/183 ,  H01S5/341 ,  H01S5/3412 ,  H01S2304/02

摘要： A method of making an (Al, Ga, In)N semiconductor device having a substrate and an active region is provided. The method includes growing the active region using a combination of (i) plasma-assisted molecular beam epitaxy; and (ii) molecular beam epitaxy with a gas including nitrogen-containing molecules in which the nitrogen-containing molecules dissociate at a surface of the substrate at a temperature which the active region is grown.

摘要翻译： 提供一种制造具有衬底和有源区的（Al，Ga，In）N半导体器件的方法。 该方法包括使用（i）等离子体辅助分子束外延的组合来生长活性区域; 和（ii）分子束外延，其中包含含氮分子的气体，其中含氮分子在活性区域生长的温度下在基底表面分解。

公开(公告)号：US20090179191A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12354317

申请日：2009-01-15

申请人： Katherine Louise SMITH ,  Mathieu Xavier SENES ,  Tim Michael SMEETON ,  Stewart Edward HOOPER

发明人： Katherine Louise SMITH ,  Mathieu Xavier SENES ,  Tim Michael SMEETON ,  Stewart Edward HOOPER

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/341 ,  H01S5/3412

摘要： A semiconductor light-emitting device fabricated in the (Al,Ga,In)N materials system has an active region for light emission (3) comprising InGaN quantum dots or InGaN quantum wires. An AlGaN layer (6) is provided on a substrate side of the active region. This increases the optical output of the light-emitting device. This increased optical output is believed to result from the AlxGa1-xN layer serving, in use, to promote the injection of carriers into the active region.

摘要翻译： 在（Al，Ga，In）N材料体系中制造的半导体发光器件具有包含InGaN量子点或InGaN量子线的用于发光的有源区（3）。 在有源区的基板侧设置AlGaN层（6）。 这增加了发光装置的光输出。 这种增加的光输出被认为是由AlxGa1-xN层在使用中产生的，以促进载流子注入有源区。

公开(公告)号：US20100065811A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12212729

申请日：2008-09-18

申请人： Mathieu Xavier SENES ,  Katherine Louise SMITH ,  Victoria Broadley ,  Stewart Edward HOOPER

发明人： Mathieu Xavier SENES ,  Katherine Louise SMITH ,  Victoria Broadley ,  Stewart Edward HOOPER

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/221 ,  H01S5/3412

摘要： A photon source includes a substrate, an active region formed above the substrate, and a pair of electrodes configured to provide an injection current which passes through the active region. The active region includes a quantum dot layer including one or more AlyGaxIn1-x-yN quantum dots, where 0≦x≦1 and 0≦y≦

摘要翻译： 光子源包括衬底，形成在衬底上方的有源区和配置成提供穿过有源区的注入电流的一对电极。 有源区包括一个包含一个或多个AlyGaxIn1-x-yN量子点的量子点层，其中0和nlE; x和nlE; 1和0＆nlE; y＆nlE; <1，以及与量子点层相邻的AlInN电流限制层。 电流限制层具有限定用于注入电流流过该对电极之间的有源区域的低电阻路径的孔径。 量子点层在投影到量子点层上时在孔内包括少于50个量子点。