公开(公告)号：US07475185B2

公开(公告)日：2009-01-06

申请号：US11280810

申请日：2005-11-17

申请人： Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Shouichi Tsujita ,  Takuji Maeda ,  Shinji Inoue ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Keisuke Sakai

发明人： Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Shouichi Tsujita ,  Takuji Maeda ,  Shinji Inoue ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Keisuke Sakai

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/00

CPC分类号： G06F3/0643 ,  G06F3/0613 ,  G06F3/0679

摘要： When a file system control part 155A writes file data into a main memory 142, a file can be easily written continuously and the number of file copy can be decreased at updating a directory entry by writing the file data and a directory entry into different allocation units. In this manner, when using a nonvolatile memory in which physical block size as an erase unit is larger than cluster size, the write performance can be enhanced.

摘要翻译： 当文件系统控制部分155A将文件数据写入主存储器142时，可以容易地连续地写入文件，并且可以通过将文件数据和目录条目写入不同的分配单元来更新目录条目来减少文件拷贝的数量 。 以这种方式，当使用物理块大小作为擦除单位的非易失性存储器大于簇大小时，可以提高写入性能。

公开(公告)号：US20060129749A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11280810

申请日：2005-11-17

申请人： Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Shouichi Tsujita ,  Takuji Maeda ,  Shinji Inoue ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Keisuke Sakai

发明人： Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Shouichi Tsujita ,  Takuji Maeda ,  Shinji Inoue ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Keisuke Sakai

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F3/0643 ,  G06F3/0613 ,  G06F3/0679

摘要： When a file system control part 155A writes file data into a main memory 142, a file can be easily written continuously and the number of file copy can be decreased at updating a directory entry by writing the file data and a directory entry into different allocation units. In this manner, when using a nonvolatile memory in which physical block size as an erase unit is larger than cluster size, the write performance can be enhanced.

摘要翻译： 当文件系统控制部分155A将文件数据写入主存储器142时，可以容易地连续地写入文件，并且可以通过将文件数据和目录条目写入不同的分配来更新目录条目来减少文件拷贝的数量 单位。 以这种方式，当使用物理块大小作为擦除单位的非易失性存储器大于簇大小时，可以提高写入性能。

公开(公告)号：US20070183179A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US10567241

申请日：2004-08-03

申请人： Takuji Maeda ,  Shinji Inoue ,  Yoshiho Gotoh ,  Jun Ohara ,  Masahiro Nakanishi ,  Shoichi Tsujita ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Koichi Horiuchi ,  Manabu Inoue ,  Makoto Ochi

发明人： Takuji Maeda ,  Shinji Inoue ,  Yoshiho Gotoh ,  Jun Ohara ,  Masahiro Nakanishi ,  Shoichi Tsujita ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Koichi Horiuchi ,  Manabu Inoue ,  Makoto Ochi

IPC分类号： G11C5/00

CPC分类号： G06F3/0659 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0632 ,  G06F3/0679

摘要： A card information-storing portion is provided in a semiconductor memory card, and information relating to access performance such as access condition and access rate is held in the storing portion. Further, an access device acquires the held information from the semiconductor memory card to make it possible that the information can be used for control of a file system. This optimizes processing of the access device and the semiconductor memory card independent of differences in characteristics of semiconductor memory cards and management methods used, realizing high-rate access from the access device to a semiconductor memory card.

摘要翻译： 在半导体存储卡中设置有卡片信息存储部分，并且存储与存取条件和访问速率有关的访问性能的信息被保存在存储部分中。 此外，访问装置从半导体存储卡获取保持的信息，使得该信息可以用于文件系统的控制。 这优化了访问设备和半导体存储卡的处理，而与半导体存储卡的特性差异以及使用的管理方法无关，实现了从访问设备到半导体存储卡的高速率访问。

公开(公告)号：US20060221719A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US10553725

申请日：2004-09-13

申请人： Takuji Maeda ,  Shinji Inoue ,  Yoshiho Gotoh ,  Jun Ohara ,  Masahiro Nakanishi ,  Shoichi Tsujita ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Koichi Horiuchi ,  Manabu Inoue

发明人： Takuji Maeda ,  Shinji Inoue ,  Yoshiho Gotoh ,  Jun Ohara ,  Masahiro Nakanishi ,  Shoichi Tsujita ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Koichi Horiuchi ,  Manabu Inoue

IPC分类号： G11C7/10

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0688 ,  Y02D10/154

摘要： A host information memory is provided in a semiconductor memory card and a data write start address and a data size supplied by an access unit are stored. A free physical area generation section determines whether or not to perform erasing of an invalid block of a nonvolatile memory when writing of data based on the data write start address and data size, and determines the number of blocks to be erased. When erasing, writing of data and erasing of invalid blocks are simultaneously performed with respect to different memory chips. Erase process of data, herewith, can be optimized and high speed access from the access unit to a semiconductor memory card can be realized.

摘要翻译： 在半导体存储卡中提供主机信息存储器，并且存储由访问单元提供的数据写入起始地址和数据大小。 空闲物理区域生成部分基于数据写入开始地址和数据大小来确定在写入数据时是否执行非易失性存储器的无效块的擦除，并且确定要擦除的块的数量。 当擦除时，相对于不同的存储器芯片同时执行数据的写入和无效块的擦除。 可以优化数据的擦除处理，并且可以实现从存取单元到半导体存储卡的高速访问。

公开(公告)号：US08161225B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US10567241

申请日：2004-08-03

申请人： Takuji Maeda ,  Shinji Inoue ,  Yoshiho Gotoh ,  Jun Ohara ,  Masahiro Nakanishi ,  Shoichi Tsujita ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Koichi Horiuchi ,  Manabu Inoue ,  Makoto Ochi

发明人： Takuji Maeda ,  Shinji Inoue ,  Yoshiho Gotoh ,  Jun Ohara ,  Masahiro Nakanishi ,  Shoichi Tsujita ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Koichi Horiuchi ,  Manabu Inoue ,  Makoto Ochi

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/00 ,  G06F13/28

CPC分类号： G06F3/0659 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0632 ,  G06F3/0679

摘要： A card information-storing portion is provided in a semiconductor memory card, and information relating to access performance such as access condition and access rate is held in the storing portion. Further, an access device acquires the held information from the semiconductor memory card to make it possible that the information can be used for control of a file system. This optimizes processing of the access device and the semiconductor memory card independent of differences in characteristics of semiconductor memory cards and management methods used, realizing high-rate access from the access device to a semiconductor memory card.

摘要翻译： 在半导体存储卡中设置有卡片信息存储部分，并且存储与存取条件和访问速率有关的访问性能的信息被保存在存储部分中。 此外，访问装置从半导体存储卡获取保持的信息，使得该信息可以用于文件系统的控制。 这优化了访问设备和半导体存储卡的处理，而与半导体存储卡的特性差异以及使用的管理方法无关，实现了从访问设备到半导体存储卡的高速率访问。

公开(公告)号：US07654466B2

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：US10553725

申请日：2004-09-13

申请人： Takuji Maeda ,  Shinji Inoue ,  Yoshiho Gotoh ,  Jun Ohara ,  Masahiro Nakanishi ,  Shoichi Tsujita ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Koichi Horiuchi ,  Manabu Inoue

发明人： Takuji Maeda ,  Shinji Inoue ,  Yoshiho Gotoh ,  Jun Ohara ,  Masahiro Nakanishi ,  Shoichi Tsujita ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Koichi Horiuchi ,  Manabu Inoue

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0688 ,  Y02D10/154

摘要： A host information memory is provided in a semiconductor memory card and a data write start address and a data size supplied by an access unit are stored. A free physical area generation section determines whether or not to perform erasing of an invalid block of a nonvolatile memory when writing of data based on the data write start address and data size, and determines the number of blocks to be erased. When erasing, writing of data and erasing of invalid blocks are simultaneously performed with respect to different memory chips. Erase process of data, herewith, can be optimized and high speed access from the access unit to a semiconductor memory card can be realized.

摘要翻译： 在半导体存储卡中提供主机信息存储器，并且存储由访问单元提供的数据写入起始地址和数据大小。 空闲物理区域生成部分基于数据写入开始地址和数据大小来确定在写入数据时是否执行非易失性存储器的无效块的擦除，并且确定要擦除的块的数量。 当擦除时，相对于不同的存储器芯片同时执行数据的写入和无效块的擦除。 可以优化数据的擦除处理，并且可以实现从存取单元到半导体存储卡的高速访问。

公开(公告)号：US20090019194A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：US11909749

申请日：2006-03-24

申请人： Masayuki Toyama ,  Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Manabu Inoue

发明人： Masayuki Toyama ,  Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Manabu Inoue

IPC分类号： G06F3/00

CPC分类号： G06F3/0659 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0676 ,  G06F11/1441

摘要： When a control unit (160) in a storage device (100) detects that a write end command or a data amount to be written has been transmitted from a host device (110), the control unit (160) saves control information required for writing data in a control information save memory (142). The control unit (160) also saves data which has not been written in storage medium into a buffer save memory (152) from a data buffer (151) and releases the busy state for the host device (110). The control unit (160) writes the saved data into a storage medium (120). Even if the power is turned OFF before completion of write, write can be performed into the storage medium (120) by using the saved data when the power is turned ON next time.

摘要翻译： 当存储装置（100）中的控制单元（160）检测到从主机（110）发送写入结束命令或写入数据量时，控制单元（160）保存写入所需的控制信息 控制信息中的数据保存存储器（142）。 控制单元（160）还将从存储介质中未被写入的数据从数据缓冲器（151）保存到缓冲存储器（152）中，并且释放主机设备（110）的忙状态。 控制单元（160）将保存的数据写入存储介质（120）。 即使在完成写入之前电源被关闭，当下一次接通电源时，也可以通过使用保存的数据来对存储介质（120）进行写入。

公开(公告)号：US07818477B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US11909749

申请日：2006-03-24

申请人： Masayuki Toyama ,  Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Manabu Inoue

发明人： Masayuki Toyama ,  Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Manabu Inoue

IPC分类号： G06F3/00 ,  G06F13/00 ,  G06F1/00 ,  G06F11/00

CPC分类号： G06F3/0659 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0676 ,  G06F11/1441

摘要： When a control unit (160) in a storage device (100) detects that a write end command or a data amount to be written has been transmitted from a host device (110), the control unit (160) saves control information required for writing data in a control information save memory (142). The control unit (160) also saves data which has not been written in storage medium into a buffer save memory (152) from a data buffer (151) and releases the busy state for the host device (110). The control unit (160) writes the saved data into a storage medium (120). Even if the power is turned OFF before completion of write, write can be performed into the storage medium (120) by using the saved data when the power is turned ON next time.

摘要翻译： 当存储装置（100）中的控制单元（160）检测到从主机（110）发送写入结束命令或写入数据量时，控制单元（160）保存写入所需的控制信息 控制信息中的数据保存存储器（142）。 控制单元（160）还将从存储介质中未被写入的数据从数据缓冲器（151）保存到缓冲存储器（152）中，并且释放主机设备（110）的忙状态。 控制单元（160）将保存的数据写入存储介质（120）。 即使在完成写入之前电源被关闭，当下一次接通电源时，也可以通过使用保存的数据来对存储介质（120）进行写入。

公开(公告)号：US20080307152A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：US11817532

申请日：2006-03-01

申请人： Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Kunihiro Maki

发明人： Masahiro Nakanishi ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Kunihiro Maki

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0638 ,  G06F11/1666 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7201

摘要： In a storage having a nonvolatile RAM of destructive read type, the number of restorations attributed to data read from the nonvolatile RAM is decreased, and the overall life of the storage is prolonged. In a storage having a nonvolatile RAM of destructive read type and a volatile RAM and holding the same data in the nonvolatile and volatile RAMs, data is read out of the volatile RAM in reading and data is written in both volatile and nonvolatile RAMs in writing.

摘要翻译： 在具有破坏性读取类型的非易失性RAM的存储器中，归因于从非易失性RAM读取的数据的修复数量减少，并且存储器的总体寿命延长。 在具有破坏性读取类型的非易失性RAM和易失性RAM的存储器中，并且在非易失性和易失性RAM中保持相同的数据，在读取时从易失性RAM中读出数据，并将数据写入易失性和非易失性RAM两者中。

公开(公告)号：US20070011581A1

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：US11434494

申请日：2006-05-16

申请人： Masahiro Nakanishi ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno

发明人： Masahiro Nakanishi ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G11C29/82 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/04 ,  G11C2029/0409

摘要： With nonvolatile memory device employing a nonvolatile memory such as multiple-valued NAND flash memory or the like in which each memory cell holds data in a plurality of pages, there is such a problem that, if an error occurred under writing data, data stored in other page in the same group of the current page is changed, and hence the object of the present invention is to solve this problem. In writing data into a nonvolatile memory 110, when error occurred under writing data into a certain page, an error page identification part 128 identifies an error type and a physical address of the page where error occurred. An error corrector 129 then corrects errors occurred in other pages belonging to the same group of error occurrence page.

摘要翻译： 对于采用诸如多值NAND闪速存储器等非易失性存储器的非易失性存储器件，其中每个存储器单元保持多个页面中的数据，存在如下问题：如果在写入数据时发生错误，则存储在 当前页面的同一组中的其他页面被改变，因此本发明的目的是解决这个问题。 在将数据写入非易失性存储器110时，当在特定页面中写入数据时发生错误时，错误页识别部件128识别错误发生的页面的错误类型和物理地址。 错误校正器129然后校正属于同一组错误发生页面的其他页面中发生的错误。