公开(公告)号：US08892202B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13439365

申请日：2012-04-04

申请人： Chun-Yu Lin ,  Yi-Ju Li ,  Ming-Dou Ker

发明人： Chun-Yu Lin ,  Yi-Ju Li ,  Ming-Dou Ker

IPC分类号： A61N1/08 ,  A61N1/18

CPC分类号： A61N1/025 ,  A61N1/36125 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The disclosure relates to a current stimulator, which comprises a high voltage output module, a voltage control module and a charge pump module. The high voltage output module includes a plurality of stacked transistors, and receives an input control signal able to turn on/off the current stimulator and a first voltage. A second voltage is generated by adding the voltages output by all the transistors to the first voltage and then output to the voltage control module. The voltage control module outputs a voltage control signal able to stabilize the stimulus current for the load according to the second voltage and the load impedance variation. The charge pump regulates the first voltage according to the voltage control signal, and outputs the regulated first voltage to the high voltage output module. Thereby, the current stimulator can adaptively stabilize the stimulus current, responding to load impedance variation.

摘要翻译： 本公开涉及一种电流刺激器，其包括高压输出模块，电压控制模块和电荷泵模块。 高电压输出模块包括多个堆叠的晶体管，并且接收能够接通/关断电流刺激器的输入控制信号和第一电压。 通过将由所有晶体管输出的电压加到第一电压然后输出到电压控制模块来产生第二电压。 电压控制模块根据第二电压和负载阻抗变化输出能够稳定负载的刺激电流的电压控制信号。 电荷泵根据电压控制信号调节第一电压，并将调节的第一电压输出到高电压输出模块。 因此，电流刺激器可以自适应地稳定刺激电流，响应于负载阻抗变化。

公开(公告)号：US08527061B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US13224166

申请日：2011-09-01

申请人： Ming-Dou Ker ,  Wei-Ling Chen ,  Chun-Yu Lin

发明人： Ming-Dou Ker ,  Wei-Ling Chen ,  Chun-Yu Lin

IPC分类号： A61N1/08

CPC分类号： A61N1/36521

摘要： The disclosure relates to a load-adaptive bioelectrical current stimulator, which comprises a current output module, an adaptation module and a control module. The current output module generates a stimulus current to an electrode. The adaptation module detects the electrical status of the stimulus current passing through the electrode and generates a feedback signal to the control module. According to the feedback signal, the control module controls the current output module to stabilize the output status of the stimulus current adaptively. Thereby, the load-adaptive bioelectrical current stimulator can use the feedback control mechanism to regulate the value of the stimulus current to adapt to variation of load impedance.

摘要翻译： 本公开涉及一种负载自适应生物电流电流刺激器，其包括电流输出模块，适配模块和控制模块。 电流输出模块产生到电极的刺激电流。 适配模块检测通过电极的刺激电流的电气状态，并产生一个到控制模块的反馈信号。 根据反馈信号，控制模块控制电流输出模块，自适应地稳定激励电流的输出状态。 因此，负载自适应生物电流电流刺激器可以使用反馈控制机制来调节刺激电流的值以适应负载阻抗的变化。

公开(公告)号：US20130172958A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13439365

申请日：2012-04-04

申请人： Chun-Yu Lin ,  Yi-ju Li ,  Ming-Dou Ker

发明人： Chun-Yu Lin ,  Yi-ju Li ,  Ming-Dou Ker

IPC分类号： A61N1/36

CPC分类号： A61N1/025 ,  A61N1/36125 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The disclosure relates to a current stimulator, which comprises a high voltage output module, a voltage control module and a charge pump module. The high voltage output module includes a plurality of stacked transistors, and receives an input control signal able to turn on/off the current stimulator and a first voltage. A second voltage is generated by adding the voltages output by all the transistors to the first voltage and then output to the voltage control module. The voltage control module outputs a voltage control signal able to stabilize the stimulus current for the load according to the second voltage and the load impedance variation. The charge pump regulates the first voltage according to the voltage control signal, and outputs the regulated first voltage to the high voltage output module. Thereby, the current stimulator can adaptively stabilize the stimulus current, responding to load impedance variation.

摘要翻译： 本公开涉及一种电流刺激器，其包括高压输出模块，电压控制模块和电荷泵模块。 高电压输出模块包括多个堆叠的晶体管，并且接收能够接通/关断电流刺激器的输入控制信号和第一电压。 通过将由所有晶体管输出的电压加到第一电压然后输出到电压控制模块来产生第二电压。 电压控制模块根据第二电压和负载阻抗变化输出能够稳定负载的刺激电流的电压控制信号。 电荷泵根据电压控制信号调节第一电压，并将调节的第一电压输出到高电压输出模块。 因此，电流刺激器可以自适应地稳定刺激电流，响应于负载阻抗变化。

公开(公告)号：US08367457B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US13205017

申请日：2011-08-08

申请人： Yu-Da Shiu ,  Chyh-Yih Chang ,  Ming-Dou Ker ,  Che-Hao Chuang

发明人： Yu-Da Shiu ,  Chyh-Yih Chang ,  Ming-Dou Ker ,  Che-Hao Chuang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/103 ,  H01L27/14609 ,  H01L31/105

摘要： An integrated circuit device for converting an incident optical signal into an electrical signal comprises a semiconductor substrate, a well region formed inside the semiconductor substrate, a dielectric layer formed over the well region, and a layer of polysilicon for receiving the incident optical signal, formed over the dielectric layer, including a p-type portion, an n-type portion and an undoped portion disposed between the p-type and n-type portions, wherein the well region is biased to control the layer of polysilicon for providing the electrical signal.

摘要翻译： 用于将入射光信号转换成电信号的集成电路装置包括半导体衬底，形成在半导体衬底内部的阱区，形成在阱区上的电介质层和用于接收入射光信号的多晶硅层，形成 包括p型部分，n型部分和设置在p型和n型部分之间的未掺杂部分，其中阱区被偏置以控制多晶硅层以提供电信号 。

公开(公告)号：US20120146151A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13040415

申请日：2011-03-04

申请人： Yeh-Jen HUANG ,  Yeh-Ning Jou ,  Ming-Dou Ker ,  Wen-Yi Chen ,  Chia-Wei Hung ,  Hwa-Chyi Chiou

发明人： Yeh-Jen HUANG ,  Yeh-Ning Jou ,  Ming-Dou Ker ,  Wen-Yi Chen ,  Chia-Wei Hung ,  Hwa-Chyi Chiou

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L23/62 ,  H01L27/0262 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electrostatic discharge (ESD) protection device including a substrate, a first doped region, a second doped region, and a third doped region, a gate and a plurality of contacts is disclosed. The substrate includes a first conductive type. The first doped region is formed in the substrate and includes a second conductive type. The second doped region is formed in the substrate and includes the second conductive type. The third doped region is formed in the substrate, includes the first conductive type and is located between the first and the second doped regions. The gate is formed on the substrate, located between the first and the second doped regions and comprises a first through hole. The contacts pass through the first through hole to contact with the third doped region.

摘要翻译： 公开了一种包括衬底，第一掺杂区域，第二掺杂区域和第三掺杂区域的静电放电（ESD）保护器件，栅极和多个触点。 基板包括第一导电类型。 第一掺杂区域形成在衬底中并且包括第二导电类型。 第二掺杂区域形成在衬底中并且包括第二导电类型。 第三掺杂区域形成在衬底中，包括第一导电类型并且位于第一和第二掺杂区域之间。 栅极形成在衬底上，位于第一和第二掺杂区之间，并且包括第一通孔。 触点通过第一通孔以与第三掺杂区域接触。

公开(公告)号：US20110043953A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12543468

申请日：2009-08-18

申请人： Ming-Dou Ker ,  Chun-Yu Lin ,  Fu-Yi Tsai

发明人： Ming-Dou Ker ,  Chun-Yu Lin ,  Fu-Yi Tsai

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H02H9/046

摘要： An ESD protection circuit has a merged triggering mechanism. The ESD protection circuit comprises: an ESD detection circuit, for detecting an ESD voltage to generate a control signal; a first type ESD protection device, for outputting a first trigger current; a second type ESD protection device, for receiving a second trigger current; and a trigger circuit, for constituting a conductive path according to the control signal, such that the trigger circuit can receive the first trigger current from the first type ESD protection device and outputs the second trigger current to the second type ESD protection device.

摘要翻译： ESD保护电路具有合并的触发机制。 ESD保护电路包括：ESD检测电路，用于检测ESD电压以产生控制信号; 第一类ESD保护装置，用于输出第一触发电流; 第二类ESD保护装置，用于接收第二触发电流; 以及触发电路，用于根据控制信号构成导电路径，使得触发电路可以从第一类ESD保护装置接收第一触发电流，并将第二触发电流输出到第二类ESD保护装置。

公开(公告)号：US07884617B2

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：US12334496

申请日：2008-12-14

申请人： Ming-Dou Ker ,  Po-Yen Chiu ,  Chun Huang

发明人： Ming-Dou Ker ,  Po-Yen Chiu ,  Chun Huang

IPC分类号： H01H31/02

CPC分类号： H02H9/046

摘要： An electro-static discharge (ESD) detection circuit is provided. The ESD detection circuit includes: a first power pad for receiving a first supply voltage; a second power pad for receiving a second supply voltage; an RC circuit having an impedance component coupled between the first power pad and a first terminal and having an capacitive component coupled between the first terminal and a second terminal, wherein the second terminal is not directly connected to the second supply voltage; a trigger circuit couples to the first power pad, the second power pad, and the RC circuit, for generating an ESD trigger signal according to a voltage level at the first terminal and a voltage level at the second terminal, and a bias circuit coupled between the first power pad and the second power pad for providing a bias voltage to the second terminal.

摘要翻译： 提供静电放电（ESD）检测电路。 ESD检测电路包括：用于接收第一电源电压的第一电源焊盘; 用于接收第二电源电压的第二电源焊盘; RC电路，其阻抗分量耦合在第一功率焊盘和第一端子之间，并具有耦合在第一端子和第二端子之间的电容部件，其中第二端子不直接连接到第二电源电压; 触发电路耦合到第一功率焊盘，第二功率焊盘和RC电路，用于根据第一端子处的电压电平和第二端子处的电压电平产生ESD触发信号，以及耦合在第二端子之间的偏置电路 所述第一功率垫和所述第二功率垫用于向所述第二端子提供偏置电压。

公开(公告)号：US07880195B2

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US12329636

申请日：2008-12-08

申请人： Ming-Dou Ker ,  Yuan-Wen Hsiao ,  Chang-Tzu Wang

发明人： Ming-Dou Ker ,  Yuan-Wen Hsiao ,  Chang-Tzu Wang

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L27/0262

摘要： An ESD protection device comprises a P-type substrate, a first substrate-triggered silicon controlled rectifiers (STSCR) disposed in the P-type substrate and a second STSCR disposed in the P-type substrate. The first STSCR comprises a first N-well, a first P-well, a first N+ diffusion region, a first P+ diffusion region, and a first trigger node. The second STSCR comprises a second N-well electrically connected to the first N-well, a second P-well electrically connected to the first P-well, a second N+ diffusion region electrically connected to the first P+ diffusion region, a second P+ diffusion region electrically connected to the first N+ diffusion region, and a second trigger node. A layout area of an integrated circuit and a pin-to-pin ESD current path can be reduced.

摘要翻译： ESD保护装置包括P型衬底，设置在P型衬底中的第一衬底触发的可控硅整流器（STSCR）和设置在P型衬底中的第二STSCR。 第一STSCR包括第一N阱，第一P阱，第一N +扩散区，第一P +扩散区和第一触发节点。 第二STSCR包括电连接到第一N阱的第二N阱，电连接到第一P阱的第二P阱，电连接到第一P +扩散区的第二N +扩散区，第二P +扩散 电连接到第一N +扩散区域的区域和第二触发器节点。 可以减小集成电路的布局区域和引脚到针脚ESD电流路径。

公开(公告)号：US20110013326A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12891474

申请日：2010-09-27

申请人： Ming-Dou Ker ,  Shih-Hung Chen ,  Kun-Hsien Lin

发明人： Ming-Dou Ker ,  Shih-Hung Chen ,  Kun-Hsien Lin

IPC分类号： H02H9/04 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L23/62 ,  H01L27/0262 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device for electrostatic discharge (ESD) protection comprises a silicon controlled rectifier (SCR) including a semiconductor substrate, a first well formed in the substrate, a second well formed in the substrate, a first p-type region formed in the first well to serve as an anode, and a first n-type region partially formed in the second well to serve as a cathode, a p-type metal-oxide-semiconductor (PMOS) transistor formed in the first well including a gate, a first diffused region and a second diffused region separated apart from the first diffused region, a second n-type region formed in the first well electrically connected to the first diffused region of the PMOS transistor, and a second p-type region formed in the substrate electrically connected to the second diffused region of the PMOS transistor.

摘要翻译： 一种用于静电放电（ESD）保护的半导体器件包括可控硅整流器（SCR），其包括半导体衬底，形成在衬底中的第一阱，在衬底中形成的第二阱，形成在第一阱中的第一p型区 用作阳极，以及部分地形成在第二阱中用作阴极的第一n型区域，形成在包括栅极的第一阱中的p型金属氧化物半导体（PMOS）晶体管，第一扩散层 区域和与第一扩散区域分离的第二扩散区域，形成在电连接到PMOS晶体管的第一扩散区域的第一阱中的第二n型区域和形成在衬底中的第二p型区域电连接 到PMOS晶体管的第二扩散区域。

公开(公告)号：US07808309B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US12022979

申请日：2008-01-30

申请人： Ming-Dou Ker ,  Jung-Sheng Chen ,  Chun-Yuan Hsu

发明人： Ming-Dou Ker ,  Jung-Sheng Chen ,  Chun-Yuan Hsu

IPC分类号： G05F1/10 ,  G05F3/02

CPC分类号： G05F3/242

摘要： A current source circuit is provided. The circuit includes a first transistor and at least one second transistor. A first source/drain terminal of the first transistor is coupled to a bias voltage. A second source/drain terminal of the first transistor is used to receive a current signal, and the second source/drain terminal of the first transistor is coupled to a gate terminal of the first transistor. A first source/drain terminal of the second transistor is grounded. A second source/drain terminal of the second transistor is coupled to a voltage source and outputs a bias current. A gate terminal of the second transistor is coupled to the gate terminal of the first transistor.

摘要翻译： 提供电流源电路。 该电路包括第一晶体管和至少一个第二晶体管。 第一晶体管的第一源极/漏极端子耦合到偏置电压。 第一晶体管的第二源极/漏极端子用于接收电流信号，并且第一晶体管的第二源极/漏极端子耦合到第一晶体管的栅极端子。 第二晶体管的第一源极/漏极端子接地。 第二晶体管的第二源极/漏极端子耦合到电压源并输出偏置电流。 第二晶体管的栅极端子耦合到第一晶体管的栅极端子。