公开(公告)号：US09171605B1

公开(公告)日：2015-10-27

申请号：US14103794

申请日：2013-12-11

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Young-Sik Kim ,  Won-Il Bae ,  Myeong-O Kim ,  Min-Soo Kim ,  Ho-Seok Seol ,  Min-Sang Park ,  Kyo-Min Sohn ,  Chi-Hwan Lee ,  Sang-Joon Hwang

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/406

CPC classification number: G11C11/40607 ,  G06F12/1018 ,  G11C7/00 ,  G11C11/402 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/408

Abstract: Provided is a method of detecting a concentrated address of a semiconductor device using an n-bit address. The method includes dividing the n-bit address into k groups, wherein each of n and k is an integer equal to or greater than 2, for each group of the k groups, detecting one or more concentrated sub addresses corresponding to the group, and generating at least one concentrated address by combining the one or more concentrated sub addresses for the k groups.

Abstract translation: 提供了使用n位地址来检测半导体器件的集中地址的方法。 该方法包括：对于k组中的每一组，将n位地址划分为k个组，其中n和k中的每一个是等于或大于2的整数，检测对应于该组的一个或多个集中子地址，以及 通过组合用于k个组的一个或多个集中子地址来生成至少一个集中地址。