公开(公告)号：US09460766B2

公开(公告)日：2016-10-04

申请号：US14801707

申请日：2015-07-16

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Tae-Yoon Lee ,  Myeong-O Kim ,  Kyo-Min Sohn ,  Sang-Joon Hwang

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C7/12 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4094

CPC分类号： G11C7/12 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4094

摘要： A memory device may include a pre-charge control circuit, an active control circuit, and a driver circuit. The pre-charge control circuit may be configured to receive an active command after receiving a pre-charge command for a first bank, determine whether or not a pre-charge operation for the first bank has ended when receiving the active command, and generate an active instruction signal according to a result of the determination. The active control circuit may be configured to generate an active control signal for an active operation according to the active instruction signal. The driver circuit may be configured to control an active operation according to the active control signal.

摘要翻译： 存储器件可以包括预充电控制电路，有源控制电路和驱动器电路。 预充电控制电路可以被配置为在接收到用于第一组的预充电命令之后接收有效命令，在接收到活动命令时确定第一组的预充电操作是否已经结束，并且生成 根据确定的结果激活指令信号。 有源控制电路可以被配置为根据有效指令信号产生用于有效操作的有效控制信号。 驱动器电路可以被配置为根据主动控制信号来控制有效操作。

公开(公告)号：US09171605B1

公开(公告)日：2015-10-27

申请号：US14103794

申请日：2013-12-11

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Young-Sik Kim ,  Won-Il Bae ,  Myeong-O Kim ,  Min-Soo Kim ,  Ho-Seok Seol ,  Min-Sang Park ,  Kyo-Min Sohn ,  Chi-Hwan Lee ,  Sang-Joon Hwang

IPC分类号： G11C11/408 ,  G11C11/406

CPC分类号： G11C11/40607 ,  G06F12/1018 ,  G11C7/00 ,  G11C11/402 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/408

摘要： Provided is a method of detecting a concentrated address of a semiconductor device using an n-bit address. The method includes dividing the n-bit address into k groups, wherein each of n and k is an integer equal to or greater than 2, for each group of the k groups, detecting one or more concentrated sub addresses corresponding to the group, and generating at least one concentrated address by combining the one or more concentrated sub addresses for the k groups.

摘要翻译： 提供了使用n位地址来检测半导体器件的集中地址的方法。 该方法包括：对于k组中的每一组，将n位地址划分为k个组，其中n和k中的每一个是等于或大于2的整数，检测对应于该组的一个或多个集中子地址，以及 通过组合用于k个组的一个或多个集中子地址来生成至少一个集中地址。