公开(公告)号：US09443732B1

公开(公告)日：2016-09-13

申请号：US14452243

申请日：2014-08-05

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Tae Sun Kim ,  Jaekyung Seo ,  Kwangsub Yoon ,  Yura Kim ,  Yeojin Lee

IPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/426 ,  H01L21/266 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/66803

摘要： The method may include forming a plurality of fins on a substrate with first and second regions, forming a photoresist pattern to expose the fins of the first region, forming a material layer to cover the fins of first region and the photoresist pattern, chemically reacting the photoresist pattern the material layer to form a supplemental film on a side surface of the photoresist pattern, performing an ion implantation process using the photoresist pattern and the supplemental film as a ion injection mask to form impurity layers in the fins of the first region.

摘要翻译： 该方法可以包括在第一和第二区域的基板上形成多个翅片，形成光致抗蚀剂图案以暴露第一区域的散热片，形成覆盖第一区域和光致抗蚀剂图案的散热片的材料层，使 光致抗蚀剂图案化材料层以在光致抗蚀剂图案的侧表面上形成补充膜，使用光致抗蚀剂图案和补充膜作为离子注入掩模进行离子注入工艺，以在第一区域的散热片中形成杂质层。