公开(公告)号：US20140126599A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US14065736

申请日：2013-10-29

Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA

Inventor： Po Shan Hsu ,  Jeremiah J. Weaver ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC: H01S5/10

CPC classification number: H01S5/0202 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: An (Al,In,B,Ga)N or III-nitride based laser diode epitaxially grown on orientations other than a c-plane orientation, namely various semipolar and nonpolar orientations, and having polished facets. The semipolar orientation may be a semipolar (11-22), (11-2-2), (101-1), (10-1-1), (20-21), (20-2-1), (30-31) or (30-3-1) orientation, and the nonpolar orientation may be a nonpolar (10-10) or (11-20) orientation. The facets are chemically mechanically or mechanically polished.

Abstract translation: 外延生长在c面取向以外的取向上的（Al，In，B，Ga）N或III族氮化物基激光二极管，即各种半极性和非极性取向，并具有抛光面。 半极性取向可以是半极性（11-22），（11-2-2），（101-1），（10-1-1），（20-21），（20-2-1），（ 30-31）或（30-3-1）取向，并且非极性取向可以是非极性（10-10）或（11-20）取向。 这些面经化学机械或机械抛光。