公开(公告)号：US20110141795A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US13031080

申请日：2011-02-18

申请人： Yasurou MATSUZAKI ,  Takaaki SUZUKI ,  Masafumi YAMAZAKI ,  Kenichi KAWASAKI ,  Shinnosuke KAMATA ,  Ayako SATO ,  Masato MATSUMIYA

发明人： Yasurou MATSUZAKI ,  Takaaki SUZUKI ,  Masafumi YAMAZAKI ,  Kenichi KAWASAKI ,  Shinnosuke KAMATA ,  Ayako SATO ,  Masato MATSUMIYA

IPC分类号： G11C11/24 ,  G11C8/16 ,  G11C11/406

CPC分类号： G11C8/16 ,  G06F13/1605 ,  G11C7/1039 ,  G11C7/1075 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/22 ,  G11C8/18 ,  G11C11/24 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40603 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/409 ,  G11C11/4093 ,  G11C2207/107 ,  G11C2207/108

摘要： A semiconductor memory device includes a plurality of N external ports, each of which receives commands, and an internal circuit which performs at least N access operations during a minimum interval of the commands that are input into one of the external ports.

摘要翻译： 半导体存储器件包括多个N个外部端口，每个N个外部端口接收命令;以及内部电路，其在输入到一个外部端口的命令的最小间隔期间执行至少N次访问操作。