公开(公告)号：US20080272490A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US11978604

申请日：2007-10-30

申请人： Jin-Hyock Kim ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim

发明人： Jin-Hyock Kim ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L28/65

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate, an insulation pattern on the semiconductor substrate, and an etch stop layer on the insulating pattern, the insulation pattern and the etch stop layer defining a contact hole that exposes the substrate, a first plug filled in a portion of the contact hole, a diffusion barrier layer formed above the first plug and in a bottom portion and on sidewalls of a remaining portion of the contact hole, a second plug formed on the diffusion barrier layer and filled in the contact hole, and a storage node coupled to and formed on the second plug.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底上的绝缘图案和绝缘图案上的蚀刻停止层，绝缘图案和蚀刻停止层限定暴露衬底的接触孔，第一插头填充在部分 在所述第一插头上形成的扩散阻挡层，在所述接触孔的剩余部分的底部和侧壁上形成的扩散阻挡层，形成在所述扩散阻挡层上并填充在所述接触孔中的第二插塞， 耦合到并形成在第二插头上的节点。

公开(公告)号：US20090004808A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US11965698

申请日：2007-12-27

申请人： Kee-Jeung LEE ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do

发明人： Kee-Jeung LEE ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming a sacrificial layer having a plurality of trenches on an upper portion of a substrate, forming storage nodes in the trenches, exposing upper portions of the storage nodes by removing a portion of the sacrificial layer, forming supporters to support the exposed upper portions of the storage nodes, removing the sacrificial layer under the supporters, and removing the supporters.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的上部形成具有多个沟槽的牺牲层，在沟槽中形成存储节点，通过去除牺牲层的一部分来暴露存储节点的上部，形成支持者 支撑存储节点的暴露的上部，移除支持者下面的牺牲层，并移除支持者。

公开(公告)号：US08048758B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US13069294

申请日：2011-03-22

申请人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

发明人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming an isolation layer over a cell region and a peripheral region of a substrate. The isolation layer forms a plurality of open regions in the cell region. Storage nodes are formed on surfaces of the open regions. A sacrificial pattern is formed over the isolation layer and covers the cell region. The isolation layer is etched in the peripheral region to expose side portions of the resulting structure obtained after forming the sacrificial pattern in the cell region. With the sacrificial pattern supporting the storage nodes, the isolation layer in the cell region is removed. The sacrificial pattern is then removed.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的单元区域和周边区域上形成隔离层。 隔离层在单元区域中形成多个开放区域。 存储节点形成在开放区域的表面上。 在隔离层上形成牺牲图案并覆盖单元区域。 在外围区域中蚀刻隔离层，以暴露在单元区域中形成牺牲图案之后获得的所得结构的侧面部分。 利用支持存储节点的牺牲图案，移除单元区域中的隔离层。 然后去除牺牲图案。

公开(公告)号：US07781336B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US11978604

申请日：2007-10-30

申请人： Jin-Hyock Kim ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim

发明人： Jin-Hyock Kim ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L28/65

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate, an insulation pattern on the semiconductor substrate, and an etch stop layer on the insulating pattern, the insulation pattern and the etch stop layer defining a contact hole that exposes the substrate, a first plug filled in a portion of the contact hole, a diffusion barrier layer formed above the first plug and in a bottom portion and on sidewalls of a remaining portion of the contact hole, a second plug formed on the diffusion barrier layer and filled in the contact hole, and a storage node coupled to and formed on the second plug.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底上的绝缘图案和绝缘图案上的蚀刻停止层，绝缘图案和蚀刻停止层限定暴露衬底的接触孔，第一插头填充在部分 在所述第一插头上形成的扩散阻挡层，在所述接触孔的剩余部分的底部和侧壁上形成的扩散阻挡层，形成在所述扩散阻挡层上并填充在所述接触孔中的第二插塞， 耦合到并形成在第二插头上的节点。

公开(公告)号：US08048757B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US13069290

申请日：2011-03-22

申请人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

发明人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming an isolation layer over a cell region and a peripheral region of a substrate. The isolation layer forms a plurality of open regions in the cell region. Storage nodes are formed on surfaces of the open regions. An upper portion of the isolation layer is etched to expose upper outer walls of the storage nodes. A sacrificial pattern is formed over the isolation layer to enclose the upper outer walls of the storage nodes. The isolation layer in the peripheral region is etched to expose side portions of the resulting structure obtained after forming the sacrificial pattern in the cell region. With the sacrificial pattern supporting the storage nodes, the isolation layer in the cell region is removed. The sacrificial pattern is then removed.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的单元区域和周边区域上形成隔离层。 隔离层在单元区域中形成多个开放区域。 存储节点形成在开放区域的表面上。 蚀刻隔离层的上部以露出存储节点的上部外壁。 在隔离层上形成牺牲图案以封闭存储节点的上外壁。 对外围区域中的隔离层进行蚀刻，以在单元区域中形成牺牲图案之后获得的所得结构的侧面露出。 利用支持存储节点的牺牲图案，移除单元区域中的隔离层。 然后去除牺牲图案。

公开(公告)号：US20110171807A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13069290

申请日：2011-03-22

申请人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

发明人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming an isolation layer over a cell region and a peripheral region of a substrate. The isolation layer forms a plurality of open regions in the cell region. Storage nodes are formed on surfaces of the open regions. An upper portion of the isolation layer is etched to expose upper outer walls of the storage nodes. A sacrificial pattern is formed over the isolation layer to enclose the upper outer walls of the storage nodes. The isolation layer in the peripheral region is etched to expose side portions of the resulting structure obtained after forming the sacrificial pattern in the cell region. With the sacrificial pattern supporting the storage nodes, the isolation layer in the cell region is removed. The sacrificial pattern is then removed.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的单元区域和周边区域上形成隔离层。 隔离层在单元区域中形成多个开放区域。 存储节点形成在开放区域的表面上。 蚀刻隔离层的上部以露出存储节点的上部外壁。 在隔离层上形成牺牲图案以封闭存储节点的上外壁。 对外围区域中的隔离层进行蚀刻，以在单元区域中形成牺牲图案之后获得的所得结构的侧面露出。 利用支持存储节点的牺牲图案，移除单元区域中的隔离层。 然后去除牺牲图案。

公开(公告)号：US08120180B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US12837947

申请日：2010-07-16

申请人： Jin-Hyock Kim ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim

发明人： Jin-Hyock Kim ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L28/65

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate, an insulation pattern on the semiconductor substrate, and an etch stop layer on the insulating pattern, the insulation pattern and the etch stop layer defining a contact hole that exposes the substrate, a first plug filled in a portion of the contact hole, a diffusion barrier layer formed above the first plug and in a bottom portion and on sidewalls of a remaining portion of the contact hole, a second plug fainted on the diffusion barrier layer and filled in the contact hole, and a storage node coupled to and formed on the second plug.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底上的绝缘图案和绝缘图案上的蚀刻停止层，绝缘图案和蚀刻停止层限定暴露衬底的接触孔，第一插头填充在部分 所述扩散阻挡层形成在所述第一插塞的上方，并且在所述接触孔的剩余部分的底部和所述接触孔的剩余部分的侧壁上形成，所述扩散阻挡层在所述扩散阻挡层上被雾化并填充在所述接触孔中， 耦合到并形成在第二插头上的节点。

公开(公告)号：US08017491B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US11965698

申请日：2007-12-27

申请人： Kee-Jeung Lee ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do

发明人： Kee-Jeung Lee ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming a sacrificial layer having a plurality of trenches on an upper portion of a substrate, forming storage nodes in the trenches, exposing upper portions of the storage nodes by removing a portion of the sacrificial layer, forming supporters to support the exposed upper portions of the storage nodes, removing the sacrificial layer under the supporters, and removing the supporters.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的上部形成具有多个沟槽的牺牲层，在沟槽中形成存储节点，通过去除牺牲层的一部分来暴露存储节点的上部，形成支持者 支撑存储节点的暴露的上部，移除支持者下面的牺牲层，并移除支持者。

公开(公告)号：US07910452B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US11772034

申请日：2007-06-29

申请人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

发明人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming an isolation layer over a substrate. The isolation layer forms a plurality of open regions. Storage nodes are formed on surfaces of the open regions. An upper portion of the isolation layer is etched to expose upper outer walls of the storage nodes. A sacrificial layer is formed over the isolation layer to enclose the upper outer walls of the storage nodes. The isolation layer and the sacrificial layer are then removed.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底上形成隔离层。 隔离层形成多个开放区域。 存储节点形成在开放区域的表面上。 蚀刻隔离层的上部以露出存储节点的上部外壁。 牺牲层形成在隔离层上以封闭存储节点的上外壁。 然后去除隔离层和牺牲层。

公开(公告)号：US20080081431A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11772034

申请日：2007-06-29

申请人： Jae-Sung ROH ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

发明人： Jae-Sung ROH ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming an isolation layer over a substrate. The isolation layer forms a plurality of open regions. Storage nodes are formed on surfaces of the open regions. An upper portion of the isolation layer is etched to expose upper outer walls of the storage nodes. A sacrificial layer is formed over the isolation layer to enclose the upper outer walls of the storage nodes. The isolation layer and the sacrificial layer are then removed.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底上形成隔离层。 隔离层形成多个开放区域。 存储节点形成在开放区域的表面上。 蚀刻隔离层的上部以露出存储节点的上部外壁。 牺牲层形成在隔离层上以封闭存储节点的上外壁。 然后去除隔离层和牺牲层。