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    METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR IN SEMICONDUCTOR DEVICE
    5.
    发明申请
    METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR IN SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
    在半导体器件中制造电容器的方法

    公开(公告)号：US20090061587A1

    公开(公告)日：2009-03-05

    申请号：US12163937

    申请日：2008-06-27

    申请人： Kwan-Woo Do ,  Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park

    发明人： Kwan-Woo Do ,  Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L28/75

    摘要： A method for fabricating a capacitor includes providing a substrate having a capacitor region is employed, forming a first Ru1-xOx layer over the substrate, forming a Ru layer for a lower electrode over the first Ru1-xOx layer and deoxidizing the first Ru1-xOx layer, forming a dielectric layer over the Ru layer for a lower electrode, and forming a conductive layer for an upper electrode over the dielectric layer, wherein the first Ru1-xOx layer contains oxygen in an amount less than an oxygen amount of a RuO2 layer.

    摘要翻译： 一种制造电容器的方法包括提供具有电容器区域的衬底，在衬底上形成第一Ru1-xOx层，在第一Ru1-xOx层上形成用于下电极的Ru层，并使第一Ru1-xOx层脱氧 在用于下电极的Ru层上形成电介质层，在电介质层上形成用于上电极的导电层，其中第一Ru1-xOx层含有的量小于RuO 2层的氧量的氧 。

    Method for fabricating capacitor in semiconductor device
    6.
    发明授权
    Method for fabricating capacitor in semiconductor device 失效
    在半导体器件中制造电容器的方法

    公开(公告)号：US07816202B2

    公开(公告)日：2010-10-19

    申请号：US12163937

    申请日：2008-06-27

    申请人： Kwan-Woo Do ,  Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park

    发明人： Kwan-Woo Do ,  Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park

    IPC分类号： H01L21/8242

    CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L28/75

    摘要： A method for fabricating a capacitor includes providing a substrate having a capacitor region is employed, forming a first Ru1−xOx layer over the substrate, forming a Ru layer for a lower electrode over the first Ru1−xOx layer and deoxidizing the first Ru1−xOx layer, forming a dielectric layer over the Ru layer for a lower electrode, and forming a conductive layer for an upper electrode over the dielectric layer, wherein the first Ru1−xOx layer contains oxygen in an amount less than an oxygen amount of a RuO2 layer.

    摘要翻译： 一种制造电容器的方法包括提供具有电容器区域的衬底，在衬底上形成第一Ru1-xOx层，在第一Ru1-xOx层上形成用于下电极的Ru层，并使第一Ru1-xOx层脱氧 在用于下电极的Ru层上形成电介质层，在电介质层上形成用于上电极的导电层，其中第一Ru1-xOx层含有的量小于RuO 2层的氧量的氧 。

    Semiconductor device and method of fabricating the same
    7.
    发明授权
    Semiconductor device and method of fabricating the same 有权
    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号：US08134195B2

    公开(公告)日：2012-03-13

    申请号：US12346522

    申请日：2008-12-30

    申请人： Kee-Jeung Lee ,  Jae-Sung Roh ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park ,  Jeong-Yeop Lee

    发明人： Kee-Jeung Lee ,  Jae-Sung Roh ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park ,  Jeong-Yeop Lee

    IPC分类号： H01L27/108

    CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

    摘要： A semiconductor device, and a method of fabricating the semiconductor device, which is able to prevent a leaning phenomenon from occurring between the adjacent storage nodes. The method includes forming a plurality of multi-layered pillar type storage nodes each of which is buried in a plurality of mold layers, wherein the uppermost layers of the multi-layered pillar type storage nodes are fixed by a support layer, etching a portion of the support layer to form an opening, and supplying an etch solution through the opening to remove the multiple mold layers. A process of depositing and etching the mold layer by performing the process 2 or more times to form the multi-layered pillar type storage node. Thus, the desired capacitance is sufficiently secured and the leaning phenomenon is avoided between adjacent storage nodes.

    摘要翻译： 半导体器件以及制造该半导体器件的方法，其能够防止在相邻存储节点之间发生倾斜现象。 该方法包括：形成多个多层支柱型存储节点，每个堆叠在多个模具层中，其中多层支柱型存储节点的最上层由支撑层固定，蚀刻一部分 所述支撑层形成开口，并且通过所述开口提供蚀刻溶液以移除所述多个模具层。 通过进行2次以上的处理来沉积和蚀刻成形层的工序，形成多层支柱型存储节点。 因此，充分确保期望的电容，并且避免相邻存储节点之间的倾斜现象。