公开(公告)号：US5780103A

公开(公告)日：1998-07-14

申请号：US771153

申请日：1996-12-20

申请人： Dirk Toebben ,  Doerthe Groteloh ,  Oswald Spindler ,  Michael Rogalli

发明人： Dirk Toebben ,  Doerthe Groteloh ,  Oswald Spindler ,  Michael Rogalli

IPC分类号： B32B9/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  B05D3/02

CPC分类号： H01L21/316

摘要： A method for depositing an SiO.sub.2 layer, which acts as an inter-metal dielectric (IMD), is provided. The method includes the steps of applying to the topography an organodisiloxane which is dissolved in an organic solvent, the organodisiloxane is then polymerized, and the polymer formed is decomposed, the polymer changing in the process to become an SiO.sub.2 -rich layer. The method of the present invention results in SiO.sub.2 layers which achieve an excellent local and global degree of planarization and have a distinctly lower dielectric constant than SiO.sub.2 layers prepared using conventional methods.

摘要翻译： 提供了用作沉积作为金属间电介质（IMD）的SiO 2层的方法。 该方法包括以下步骤：将溶解在有机溶剂中的有机二硅氧烷应用于形貌，然后使有机二硅氧烷聚合，形成的聚合物分解，聚合物在此过程中发生变化，成为富含SiO 2的层。 本发明的方法产生SiO 2层，其实现了优异的局部和全局平坦度，并且具有明显低于使用常规方法制备的SiO 2层的介电常数。

公开(公告)号：US5281302A

公开(公告)日：1994-01-25

申请号：US4528

申请日：1993-01-14

申请人： Zvonimir Gabric ,  Alexander Gschwandtner ,  Oswald Spindler

发明人： Zvonimir Gabric ,  Alexander Gschwandtner ,  Oswald Spindler

IPC分类号： C23F4/00 ,  C23C16/44 ,  C23G5/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  B44C1/22 ,  B29C37/00 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： C23G5/00 ,  C23C16/4405

摘要： For cleaning parasitic layers of silicon oxides or nitrides in a reaction chamber, an etching gas mixture is employed in which at least one fluoridated carbon, particularly CF.sub.4 and/or C.sub.2 F.sub.6, is the main constituent. Then, an ozone/oxygen mixture (O.sub.3 /O.sub.2) having optimally high ozone concentration is added to the reaction chamber. The etching gas mixture is excited in the reaction chamber by triggering the etching gas mixture to form a plasma, having extremely low power with an excitation frequency in the RF range. The etching gas mixture etches all surfaces in the reaction chambers free of residues with a high etching rate.

摘要翻译： 为了清除反应室中的氧化硅或氮化物的寄生层，使用至少一种氟化碳，特别是CF 4和/或C 2 F 6作为主要成分的蚀刻气体混合物。 然后，将具有最高臭氧浓度的臭氧/氧气混合物（O 3 / O 2）加入到反应室中。 通过触发蚀刻气体混合物形成等离子体，在反应室中激发蚀刻气体混合物，其功率极低，在RF范围内具有激发频率。 蚀刻气体混合物以高蚀刻速率蚀刻反应室中没有残留物的所有表面。