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    Phase change memory devices including phase change layer formed by selective growth methods and methods of manufacturing the same
    12.
    发明授权
    Phase change memory devices including phase change layer formed by selective growth methods and methods of manufacturing the same 有权
    相变存储器件包括通过选择性生长方法形成的相变层及其制造方法

    公开(公告)号：US08445318B2

    公开(公告)日：2013-05-21

    申请号：US13064410

    申请日：2011-03-23

    申请人： Woong-chul Shin

    发明人： Woong-chul Shin

    IPC分类号： H01L21/06

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase change memory device including a phase change layer includes a storage node and a switching device. The switching device is connected to the storage node. The storage node includes a phase change layer selectively grown directly on a lower electrode. In a method of manufacturing a phase change memory device, an insulating interlayer is formed on a semiconductor substrate to cover a switching device. A lower electrode connected to the switching device is formed, and a phase change layer is selectively grown directly on the lower electrode.

    摘要翻译： 包括相变层的相变存储器件包括存储节点和开关器件。 交换设备连接到存储节点。 存储节点包括直接在下电极上生长的相变层。 在制造相变存储器件的方法中，在半导体衬底上形成绝缘中间层以覆盖开关器件。 形成连接到开关器件的下电极，并且在下电极上选择性地生长相变层。

    Method of forming phase change layer using a germanium precursor and method of manufacturing phase change memory device using the same
    13.
    发明申请
    Method of forming phase change layer using a germanium precursor and method of manufacturing phase change memory device using the same 失效
    使用锗前体形成相变层的方法和使用其制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US20080118636A1

    公开(公告)日：2008-05-22

    申请号：US11979778

    申请日：2007-11-08

    申请人： Woong-chul Shin ,  Jae-ho Lee ,  Youn-seon Kang

    发明人： Woong-chul Shin ,  Jae-ho Lee ,  Youn-seon Kang

    IPC分类号： B05D5/12 ,  B32B15/04

    CPC分类号： G11C11/5678 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/31678

    摘要： A method of forming a phase change layer using a Ge compound and a method of manufacturing a phase change memory device using the same are provided. The method of manufacturing a phase change memory device included supplying a first precursor on a lower layer on which the phase change layer is to be formed, wherein the first precursor is a bivalent precursor including germanium (Ge) and having a cyclic structure. The first precursor may be a cyclic germylenes Ge-based compound or a macrocyclic germylenes Ge-based, having a Ge—N bond. The phase change layer may be formed using a MOCVD method, cyclic-CVD method or an ALD method. The composition of the phase change layer may be controlled by a deposition pressure in a range of 0.001 torr-10 torr, a deposition temperature in a range of 150° C. to 350° C. and/or a flow rate of a reaction gas in the range of 0-1 slm.

    摘要翻译： 提供了使用Ge化合物形成相变层的方法以及使用该化合物的相变存储器件的制造方法。 制造相变存储器件的方法包括在其上形成相变层的下层上提供第一前体，其中第一前体是包含锗（Ge）并具有环状结构的二价前体。 第一前体可以是具有Ge-N键的环状锗烷Ge基化合物或大环锗基Ge。 相变层可以使用MOCVD法，循环CVD法或ALD法形成。 相变层的组成可以通过在0.001托-10托的范围内的沉积压力，150℃至350℃的沉积温度和/或反应气体的流量来控制 在0-1 slm的范围内。

    Phase change memory devices including phase change layer formed by selective growth methods and methods of manufacturing the same
    16.
    发明申请
    Phase change memory devices including phase change layer formed by selective growth methods and methods of manufacturing the same 审中-公开
    相变存储器件包括通过选择性生长方法形成的相变层及其制造方法

    公开(公告)号：US20080210924A1

    公开(公告)日：2008-09-04

    申请号：US12003146

    申请日：2007-12-20

    申请人： Woong-chul Shin

    发明人： Woong-chul Shin

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase change memory device including a phase change layer includes a storage node and a switching device. The switching device is connected to the storage node. The storage node includes a phase change layer selectively grown on a lower electrode. In a method of manufacturing a phase change memory device, an insulating interlayer is formed on a semiconductor substrate to cover a switching device. A lower electrode connected to the switching device is formed, and a phase change layer is selectively grown on the lower electrode.

    摘要翻译： 包括相变层的相变存储器件包括存储节点和开关器件。 交换设备连接到存储节点。 存储节点包括选择性地生长在下电极上的相变层。 在制造相变存储器件的方法中，在半导体衬底上形成绝缘中间层以覆盖开关器件。 形成与开关元件连接的下电极，在下电极上选择性地生长相变层。

    Phase change memory device and method of fabricating the same
    17.
    发明申请
    Phase change memory device and method of fabricating the same 审中-公开
    相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20080173860A1

    公开(公告)日：2008-07-24

    申请号：US12007014

    申请日：2008-01-04

    申请人： Woong-chul Shin ,  Ki-joon Kim ,  Ji-hyun Hur ,  Hyo-sug Lee

    发明人： Woong-chul Shin ,  Ki-joon Kim ,  Ji-hyun Hur ,  Hyo-sug Lee

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

    摘要： Provided are a phase change memory device and a method of fabricating the same. The phase change memory device including a phase change layer in a storage node thereof includes: a bottom electrode; a bottom electrode contact layer formed of a phase change material disposed on the bottom electrode; a first phase change layer having a smaller width than the bottom electrode contact layer, disposed on the bottom electrode contact layer; a second phase change layer having a larger width than the first phase change layer, disposed on the first phase change layer; and a upper electrode disposed on the second phase change layer.

    摘要翻译： 提供一种相变存储器件及其制造方法。 包括其存储节点中的相变层的相变存储器件包括：底部电极; 由设置在所述底部电极上的相变材料形成的底部电极接触层; 设置在底部电极接触层上的具有比底部电极接触层更小的宽度的第一相变层; 设置在所述第一相变层上的具有比所述第一相变层宽的宽度的第二相变层; 以及设置在第二相变层上的上电极。

    Method of forming a phase change layer and method of manufacturing a storage node having the phase change layer
    18.
    发明申请
    Method of forming a phase change layer and method of manufacturing a storage node having the phase change layer 失效
    形成相变层的方法和制造具有相变层的存储节点的方法

    公开(公告)号：US20080108175A1

    公开(公告)日：2008-05-08

    申请号：US11976130

    申请日：2007-10-22

    申请人： Woong-chul Shin ,  Jae-ho Lee ,  Youn-seon Kang

    发明人： Woong-chul Shin ,  Jae-ho Lee ,  Youn-seon Kang

    IPC分类号： H01L45/00 ,  C23C16/00

    CPC分类号： C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of forming a phase change layer may include providing a bivalent first precursor having germanium (Ge), a second precursor having antimony (Sb), and a third precursor having tellurium (Te) onto a surface on which the phase change layer is to be formed. The phase change layer may be formed by CVD (e.g., MOCVD, cyclic-CVD) or ALD. The composition of the phase change layer may be varied by modifying the deposition pressure, deposition temperature, and/or supply rate of reaction gas. The deposition pressure may range from about 0.001-10 torr, the deposition temperature may range from about 150-350° C., and the supply rate of the reaction gas may range from about 0-1 slm. Additionally, the above phase change layer may be provided in a via hole and bounded by top and bottom electrodes to form a storage node.

    摘要翻译： 形成相变层的方法可以包括将具有锗（Ge）的二价第一前体，具有锑（Sb）的第二前体和具有碲（Te）的第三前体提供到相变层上的表面上 形成。 相变层可以通过CVD（例如MOCVD，循环CVD）或ALD形成。 可以通过改变沉积压力，沉积温度和/或反应气体的供应速率来改变相变层的组成。 沉积压力可以在约0.001-10托的范围内，沉积温度可以在约150-350℃的范围内，并且反应气体的供应速率可以在约0-1slm的范围内。 此外，上述相变层可以设置在通孔中并且由顶部和底部电极限定以形成存储节点。

    Method of forming a phase change layer and method of manufacturing a storage node having the phase change layer
    20.
    发明授权
    Method of forming a phase change layer and method of manufacturing a storage node having the phase change layer 失效
    形成相变层的方法和制造具有相变层的存储节点的方法

    公开(公告)号：US07902048B2

    公开(公告)日：2011-03-08

    申请号：US11976130

    申请日：2007-10-22

    申请人： Woong-chul Shin ,  Jae-ho Lee ,  Youn-seon Kang

    发明人： Woong-chul Shin ,  Jae-ho Lee ,  Youn-seon Kang

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of forming a phase change layer may include providing a bivalent first precursor having germanium (Ge), a second precursor having antimony (Sb), and a third precursor having tellurium (Te) onto a surface on which the phase change layer is to be formed. The phase change layer may be formed by CVD (e.g., MOCVD, cyclic-CVD) or ALD. The composition of the phase change layer may be varied by modifying the deposition pressure, deposition temperature, and/or supply rate of reaction gas. The deposition pressure may range from about 0.001-10 torr, the deposition temperature may range from about 150-350° C., and the supply rate of the reaction gas may range from about 0-1 slm. Additionally, the above phase change layer may be provided in a via hole and bounded by top and bottom electrodes to form a storage node.

    摘要翻译： 形成相变层的方法可以包括将具有锗（Ge）的二价第一前体，具有锑（Sb）的第二前体和具有碲（Te）的第三前体提供到相变层上的表面上 形成。 相变层可以通过CVD（例如MOCVD，循环CVD）或ALD形成。 可以通过改变沉积压力，沉积温度和/或反应气体的供应速率来改变相变层的组成。 沉积压力可以在约0.001-10托的范围内，沉积温度可以在约150-350℃的范围内，并且反应气体的供应速率可以在约0-1slm的范围内。 此外，上述相变层可以设置在通孔中并且由顶部和底部电极限定以形成存储节点。