公开(公告)号：US20150078082A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：US14386816

申请日：2013-03-15

Applicant: Silicon Storage Technology, Inc.

Inventor： Yao Zhou ,  Xiaozhou Qian ,  Ning Bai

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C7/062 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/08 ,  G11C16/28 ,  G11C2207/063

Abstract: A non-volatile memory device with a current injection sensing amplifier is disclosed.

Abstract translation: 公开了一种具有电流注入感测放大器的非易失性存储器件。