公开(公告)号：US20100148181A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12388846

申请日：2009-02-19

申请人： Byoung Deog Choi ,  Jun Sin YI ,  Sung Wook Jung ,  Kyung Soo Jang ,  Jae Hyun Cho

发明人： Byoung Deog Choi ,  Jun Sin YI ,  Sung Wook Jung ,  Kyung Soo Jang ,  Jae Hyun Cho

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： Provided are nanocrystal silicon layer structures formed using a plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices including the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices. A method of forming a nanocrystal silicon layer structure includes forming a buffer layer on a substrate and forming a nanocrystal silicon layer on the buffer layer by a plasma deposition technique using silicon (Si)-containing gas and hydrogen (H2)-containing gas. In this method, the nanocrystal silicon layer can be directly deposited on a glass substrate using plasma vapor deposition without performing a post-processing process so that the fabrication of a nonvolatile memory device can be simplified, thereby reducing fabrication cost.

摘要翻译： 提供了使用等离子体沉积技术形成的纳米晶硅层结构，其形成方法，包括纳米晶硅层结构的非易失性存储器件以及制造非易失性存储器件的方法。 形成纳米晶硅层结构的方法包括在衬底上形成缓冲层，并通过使用含硅（Si）的气体和含氢（H 2）的气体）的等离子体沉积技术在缓冲层上形成纳米晶硅层。 在该方法中，可以使用等离子体气相沉积将纳米晶硅层直接沉积在玻璃基板上，而不进行后处理工艺，从而可以简化非易失性存储器件的制造，从而降低制造成本。

公开(公告)号：US07553720B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US11604222

申请日：2006-11-27

申请人： Byoung Deog Choi ,  Ki Yong Lee ,  Ho Kyoon Chung ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Hyun Min Kim ,  Jun Sik Kim

发明人： Byoung Deog Choi ,  Ki Yong Lee ,  Ho Kyoon Chung ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Hyun Min Kim ,  Jun Sik Kim

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513

摘要： A non-volatile memory device includes a buffer oxide film on a substrate; a polysilicon layer on the buffer oxide film; a silicon oxy-nitride (SiON) layer on the polysilicon layer, a first insulator layer on the SiON layer, a nitride film on the first insulator, a second insulator layer on the nitride film, an electrode on the second insulator, and a source/drain in the polysilicon layer.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括在衬底上的缓冲氧化膜; 缓冲氧化膜上的多晶硅层; 所述多晶硅层上的硅氮化物（SiON）层，所述SiON层上的第一绝缘体层，所述第一绝缘体上的氮化物膜，所述氮化物膜上的第二绝缘体层，所述第二绝缘体上的电极和源极 /漏极在多晶硅层。

公开(公告)号：US07476896B2

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：US11361727

申请日：2006-02-23

申请人： Dae Chul Choi ,  Byoung Deog Choi ,  Choong Youl Im

发明人： Dae Chul Choi ,  Byoung Deog Choi ,  Choong Youl Im

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20 ,  H01L29/76 ,  H01L31/112 ,  H01L29/15 ,  H01L29/47 ,  H01L29/812 ,  H01L31/07 ,  H01L31/108

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L29/66757

摘要： A thin film transistor (TFT) and a method of fabricating the same, in which a fabrication process is simplified and damage to a gate insulating layer is decreased. The method of fabricating the TFT includes forming at least one buffer layer on a substrate, forming a first semiconductor layer formed on the buffer layer and a second semiconductor layer by depositing a semiconductor doped with a dopant on the first semiconductor layer, patterning the second semiconductor layer to form source and drain regions, forming a gate insulating layer on the source and drain regions, and forming a gate electrode on the gate insulating layer.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管（TFT）及其制造方法，其中制造工艺简化，并且对栅绝缘层的损坏降低。 制造TFT的方法包括在衬底上形成至少一个缓冲层，通过在第一半导体层上沉积掺杂有掺杂剂的半导体，形成在缓冲层上形成的第一半导体层和第二半导体层，使第二半导体 以形成源极和漏极区域，在源极和漏极区域上形成栅极绝缘层，并且在栅极绝缘层上形成栅极电极。