公开(公告)号：US09449839B2

公开(公告)日：2016-09-20

申请号：US14537406

申请日：2014-11-10

Applicant: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.

Inventor： Tsung-Min Huang ,  Chung-Ju Lee ,  Chien-Hua Huang

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/76816

Abstract: The present disclosure relates to a method of forming a pattern on a semiconductor substrate. One or more layers are formed over the semiconductor substrate. A first self-assembled monolayer (SAM) layer is formed over the one or more layers, wherein the first SAM layer exhibits a first SAM pattern. At least a first of the one or more layers is patterned using the first SAM layer as a first etch mask to form first pillars in the first of the one or more layers and then removing the first SAM layer. A second self-assembled monolayer (SAM) layer is formed along sidewall portions of the first pillars after the first SAM layer has been removed, wherein the second SAM layer exhibits a second SAM pattern that differs from the first SAM pattern and where the second SAM layer differs in material composition from the first SAM layer.

Abstract translation: 本公开涉及在半导体衬底上形成图案的方法。 在半导体衬底上形成一层或多层。 在一个或多个层上形成第一自组装单层（SAM）层，其中第一SAM层展现出第一SAM图案。 使用第一SAM层作为第一蚀刻掩模来图案化一个或多个层中的至少第一层，以在一个或多个层中的第一层中形成第一柱，然后移除第一SAM层。 在去除第一SAM层之后，在第一柱的侧壁部分形成第二自组装单层（SAM）层，其中第二SAM层表现出与第一SAM图案不同的第二SAM图案，其中第二SAM 材料组成与第一SAM层不同。

公开(公告)号：US20150056813A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：US14537406

申请日：2014-11-10

Applicant: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.

Inventor： Tsung-Min Huang ,  Chung-Ju Lee ,  Chien-Hua Huang

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/76816

Abstract: The present disclosure relates to a method of forming a pattern on a semiconductor substrate. One or more layers are formed over the semiconductor substrate. A first self-assembled monolayer (SAM) layer is formed over the one or more layers, wherein the first SAM layer exhibits a first SAM pattern. At least a first of the one or more layers is patterned using the first SAM layer as a first etch mask to form first pillars in the first of the one or more layers and then removing the first SAM layer. A second self-assembled monolayer (SAM) layer is formed along sidewall portions of the first pillars after the first SAM layer has been removed, wherein the second SAM layer exhibits a second SAM pattern that differs from the first SAM pattern and where the second SAM layer differs in material composition from the first SAM layer.

Abstract translation: 本公开涉及在半导体衬底上形成图案的方法。 在半导体衬底上形成一层或多层。 在一个或多个层上形成第一自组装单层（SAM）层，其中第一SAM层展现出第一SAM图案。 使用第一SAM层作为第一蚀刻掩模来图案化一个或多个层中的至少第一层，以在一个或多个层中的第一层中形成第一柱，然后移除第一SAM层。 在去除第一SAM层之后，在第一柱的侧壁部分形成第二自组装单层（SAM）层，其中第二SAM层表现出与第一SAM图案不同的第二SAM图案，其中第二SAM 材料组成与第一SAM层不同。