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发明授权
Positive photoresist material with o-quinone diazide and polymer containing silicon atoms 失效
标题翻译：具有邻醌重氮化物的正性光致抗蚀剂材料和含有硅原子的聚合物

公开(公告)号：US4865945A

公开(公告)日：1989-09-12

申请号：US83640

申请日：1987-08-10

申请人： Tsutomu Noguchi , Keiichi Nito , Junetsu Seto

发明人： Tsutomu Noguchi , Keiichi Nito , Junetsu Seto

IPC分类号： C08G8/04 , C08G8/00 , C08G8/08 , C08G77/52 , G03C1/00 , G03C1/72 , G03F7/022 , G03F7/039 , G03F7/075 , G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/30 , H01L21/312

CPC分类号： C08G77/52 , C08G8/08 , G03F7/0757

摘要： The present application describes a photoresist material which contains organo-silicon groups and the photoresist material is suitable for forming a micropattern applied in the fabrication of semiconductor integrated circuit and magnetic bubble memory elements. The photoresist material possesses high resistance to plasma etching using oxygen gas.

摘要翻译： 本申请描述了含有有机硅基团的光致抗蚀剂材料，并且光致抗蚀剂材料适于形成应用于半导体集成电路和磁性气泡存储元件的制造中的微图案。光致抗蚀剂材料具有高的使用氧气的等离子体蚀刻性。