公开(公告)号：US4961198A

公开(公告)日：1990-10-02

申请号：US296020

申请日：1989-01-12

申请人： Masato Ishino ,  Yoichi Sasai

发明人： Masato Ishino ,  Yoichi Sasai

IPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/20 ,  H01S5/223 ,  H01S5/227 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/10 ,  H01S5/125 ,  H01S5/3434 ,  H01S2304/06 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/2235 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate having a plurality of mesa stripes whose widths are different from each other. Quantum well layers are formed on the mesa stripes respectively and have different band gap energies. The quantum well layers include ultra-thin epitaxial layers respectively. Semiconductor elements are formed on the mesa stripes respectively and include the quantum well layers respectively. Thicknesses of the ultra-thin layers are preferably equal to or less than 500 angstroms.

摘要翻译： 半导体器件包括具有宽度彼此不同的多个台面条纹的半导体衬底。 量子阱层分别形成在台面条上，具有不同的带隙能量。 量子阱层分别包括超薄外延层。 半导体元件分别形成在台面条上，分别包括量子阱层。 超薄层的厚度优选为等于或小于500埃。