公开(公告)号：US20050012182A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10885033

申请日：2004-07-07

申请人： Eun-joo Jang ,  Tae-kyung Ahn

发明人： Eun-joo Jang ,  Tae-kyung Ahn

IPC分类号： H05B33/14 ,  B82Y20/00 ,  C01B17/20 ,  C01B19/00 ,  C09K11/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88 ,  C09K11/89 ,  H01L21/20 ,  H01L21/208 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0256 ,  H01L51/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H05B33/00

CPC分类号： C09K11/883 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B17/20 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/52 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/4213 ,  H01L51/5012 ,  H05B33/14 ,  Y10S977/777 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/785 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/825 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12049 ,  Y10T428/12181 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2991

摘要： Provided is a chemical wet preparation method for Group 12-16 compound semiconductor nanocrystals. The method includes mixing one or more Group 12 metals or Group 12 precursors with a dispersing agent and a solvent followed by heating to obtain a Group 12 metal precursor solution; dissolving one or more Group 16 elements or Group 16 precursors in a coordinating solvent to obtain a Group 16 element precursor solution; and mixing the Group 12 metal precursors solution and the Group 16 element precursors solution to form a mixture, and then reacting the mixture to grow the semiconductor nanocrystals. The Group 12-16 compound semiconductor nanocrystals are stable and have high quantum efficiency and uniform sizes and shapes.

摘要翻译： 本发明提供的化合物半导体纳米晶体化学湿法制备方法。 该方法包括将一种或多种第12族金属或第12族前体与分散剂和溶剂混合，然后加热以获得第12族金属前体溶液; 将一种或多种16族元素或16族前体溶解在配位溶剂中以获得第16族元素前体溶液; 并混合第12族金属前体溶液和第16族元素前体溶液以形成混合物，然后使混合物反应生长半导体纳米晶体。 12-16族化合物半导体纳米晶体稳定，量子效率高，尺寸均匀。