公开(公告)号：US20120138923A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13379670

申请日：2010-04-06

申请人： Takeshi Hara ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikawa ,  Kazuo Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Miyajima ,  Yuuji Mizuno ,  Hinae Mizuno ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto

发明人： Takeshi Hara ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikawa ,  Kazuo Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Miyajima ,  Yuuji Mizuno ,  Hinae Mizuno ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： The present invention provides a thin film transistor including an oxide semiconductor layer (4) for electrically connecting a signal electrode (6a) and a drain electrode (7a), the an oxide semiconductor layer being made from an oxide semiconductor; and a barrier layer (6b) made from at least one selected from the group consisting of Ti, Mo, W, Nb, Ta, Cr, nitrides thereof, and alloys thereof, the barrier layer (6b) being in touch with the signal electrode (6a) and the oxide semiconductor layer (4) and separating the signal electrode (6a) from the oxide semiconductor layer (4). Because of this configuration, the thin film transistor can form and maintain an ohmic contact between the first electrode and the channel layer, thereby being a thin film transistor with good properties.

摘要翻译： 本发明提供了一种薄膜晶体管，其包括用于电连接信号电极（6a）和漏电极（7a）的氧化物半导体层（4），所述氧化物半导体层由氧化物半导体制成; 以及由选自Ti，Mo，W，Nb，Ta，Cr，氮化物中的至少一种及其合金制成的阻挡层（6b），阻挡层（6b）与信号电极 （6a）和氧化物半导体层（4），并且将信号电极（6a）与氧化物半导体层（4）分离。 由于这种结构，薄膜晶体管可以在第一电极和沟道层之间形成并保持欧姆接触，从而成为具有良好性能的薄膜晶体管。

公开(公告)号：US20150287742A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：US13699377

申请日：2011-02-14

申请人： Hinae MIZUNO

发明人： Tetsuya Yamashita ,  Tokuo Yoshida ,  Yoshimasa Chikama ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L27/127 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262

摘要： Each of the auxiliary capacitors (6a) includes a capacitor line (11b) comprised of the same material as the gate electrode (11a) and provided in the same layer as the gate electrode (11a), the gate insulating film (12) provided so as to cover the capacitor line (11a), a capacitor intermediate layer (13c) provided using the oxide semiconductor and provided on the gate insulating film (12) so as to overlap the capacitor line (11b), and a capacitor electrode (15b) provided on the capacitor intermediate layer (13c), and the capacitor intermediate layer (13c) is conductive.

摘要翻译： 每个辅助电容器（6a）包括由与栅极电极（11a）相同的材料组成并且设置在与栅电极（11a）相同的层中的电容器线（11b），栅绝缘膜（12）设置为 为了覆盖电容器线（11a），使用氧化物半导体设置并设置在栅极绝缘膜（12）上以与电容线（11b）重叠的电容器中间层（13c）和电容器电极（15b） 设置在电容器中间层（13c）上，并且电容器中间层（13c）是导电的。