公开(公告)号：US07629110B2

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：US11945895

申请日：2007-11-27

申请人： Sang-Jeoung Kim ,  Hyo-Jung Roh ,  Jong-Kyoung Park ,  Jeong-Sik Kim ,  Hyun-Jin Kim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Sang-Jeoung Kim ,  Hyo-Jung Roh ,  Jong-Kyoung Park ,  Jeong-Sik Kim ,  Hyun-Jin Kim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  C07F7/04 ,  C08G65/22

CPC分类号： G03F7/091 ,  C08K5/13 ,  C08K5/549 ,  G03F7/0752 ,  Y10S438/952

摘要： A monomer for forming an organic anti-reflective coating layer, a polymer thereof and a composition including the same are disclosed. In a photolithography process, the organic anti-reflective coating layer absorbs an exposed light between a layer to be etched and a photoresist layer, and prevents a photoresist pattern from collapsing due to a standing wave generated under the photoresist layer. The polymer for forming an organic anti-reflective coating layer includes a repeating unit represented by Formula wherein, R1 is a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, R2 is a C1˜C20 alkylene group, a C3˜C20 cycloalkylene group or a C6˜C20 aromatic hydrocarbon group, POSS is a polyhedral-oligomeric-silsesquioxane, and m is an integer of 2 to 110.

摘要翻译： 公开了用于形成有机抗反射涂层的单体，其聚合物和包含其的组合物。 在光刻工艺中，有机抗反射涂层吸收被蚀刻层和光致抗蚀剂层之间的暴露光，并且防止光致抗蚀剂图案由于在光致抗蚀剂层下产生的驻波而塌陷。 用于形成有机抗反射涂层的聚合物包括由式表示的重复单元，其中R1是氢原子，甲基或乙基，R2是C1〜C20亚烷基，C3〜C20亚环烷基或 C6〜C20芳香族烃基，POSS为多面体 - 低聚倍半硅氧烷，m为2〜110的整数。

公开(公告)号：US20080305430A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：US12134840

申请日：2008-06-06

申请人： Jae-Woo Lee ,  Jung-Youl Lee ,  Jeong-Sik Kim ,  Eu-Jean Jang ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Jae-Woo Lee ,  Jung-Youl Lee ,  Jeong-Sik Kim ,  Eu-Jean Jang ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/004 ,  C07C57/46 ,  G03F7/26 ,  C07C69/94

CPC分类号： C07C69/42 ,  C07C69/76 ,  G03F7/0382

摘要： Disclosed are a photo-sensitive compound and a photoresist composition containing the same, for forming ultra-fine photoresist patterns. The photo-sensitive compound is resented by following Formula 1, wherein x is an integer of 1 to 5, y is an integer of 2 to 6, R is a C2˜C20 hydrocarbon group. The photoresist composition comprises 1˜85 weight % of a photo-sensitive compound represented by following Formula 1, 1˜55 weight % of a compound which reacts with a hydroxyl group (—OH) of the compound represented by Formula 1 to combine with the photo-sensitive compound represented by Formula 1; 1˜15 weight % of a photo-acid generator; and 12˜97 weight % of an organic solvent.

摘要翻译： 公开了用于形成超细光致抗蚀剂图案的光敏化合物和含有该光敏化合物的光致抗蚀剂组合物。 光敏化合物按下式1，其中x为1〜5的整数，y为2〜6的整数，R为C2〜C20的烃基。 光致抗蚀剂组合物包含1〜85重量％的由下式1表示的感光性化合物，1〜55重量％的与式1表示的化合物的羟基（-OH）反应的化合物，与 由式1表示的光敏化合物; 1〜15重量％的光酸发生剂; 和12〜97重量％的有机溶剂。

公开(公告)号：US20080127363A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US10594578

申请日：2005-03-29

申请人： Hong Gil Nam ,  Jeong Sik Kim ,  Don Ha Park ,  Pyung Ok Lim

发明人： Hong Gil Nam ,  Jeong Sik Kim ,  Don Ha Park ,  Pyung Ok Lim

IPC分类号： C12N15/87 ,  C07K16/00 ,  C07H21/04 ,  C12N5/04 ,  A01H1/00

CPC分类号： C12N15/827 ,  C07K14/415

摘要： A flowering time-controlling gene, COG2, isolated from Arabidopsis thaliana, and a protein expressed therefrom delay the flowering time of a plant and, accordingly, are useful for improving a flowering-associated character of a plant and for the identification of other flowering-associated genes or proteins.

摘要翻译： 从拟南芥分离的开花时间控制基因COG2和由其表达的蛋白质延迟植物的开花时间，因此可用于改善植物的开花相关特征，并且用于鉴定其他开花 - 相关基因或蛋白质。