公开(公告)号：US09312029B2

公开(公告)日：2016-04-12

申请号：US14309920

申请日：2014-06-20

Applicant: Macronix International Co., Ltd.

Inventor： Win-San Khwa ,  Chao-I Wu ,  Tzu-Hsiang Su

IPC: G11C11/56 ,  G11C29/12 ,  G11C29/50 ,  G11C29/04 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C29/12 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/50008 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2029/0409 ,  G11C2211/563 ,  G11C2211/5644 ,  G11C2211/5646

Abstract: A memory device and associated controlling method are provided. The memory device includes a memory cell array, a sensing unit and a controller. The memory cell array has a plurality of memory cells. The sensing unit is electrically connected to the memory cell array and the controller. The sensing unit senses characteristic of a memory cell of the plurality of memory cells. The controller determines whether the characteristic of the one of the memory cells deviates and accordingly controls the memory cell array.

Abstract translation: 提供了存储器件和相关联的控制方法。 存储器件包括存储单元阵列，感测单元和控制器。 存储单元阵列具有多个存储单元。 感测单元电连接到存储单元阵列和控制器。 感测单元感测多个存储单元的存储单元的特性。 控制器确定存储器单元之一的特性是否偏离，从而控制存储单元阵列。