公开(公告)号：US20060068603A1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：US10711721

申请日：2004-09-30

申请人： Cory Wajda

发明人： Cory Wajda

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02181 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A method for forming a thin complete high-k layer for semiconductor applications. The method includes providing a substrate in a process chamber, depositing a thick complete high-k layer on the substrate, and thinning the deposited high-k layer to form a thin complete high-k layer on the substrate. Alternately, the substrate can contain an interface layer between the substrate and the high-k layer. The thinning can be performed by exposing the thick high-k layer to a reactive plasma etch process or, alternately, a plasma process capable of modifying a portion of the thick high-k layer and subsequently removing the modified portion of the thick high-k layer using wet processing.

摘要翻译： 一种形成用于半导体应用的薄的完整高k层的方法。 该方法包括在处理室中提供衬底，在衬底上沉积厚的完整的高k层，以及稀薄沉积的高k层以在衬底上形成薄的完整的高k层。 或者，衬底可以在衬底和高k层之间包含界面层。 可以通过将厚的高k层暴露于反应性等离子体蚀刻工艺或者替代地，能够修饰厚的高k层的一部分并随后去除厚的高k的修饰部分的等离子体工艺来进行减薄 层采用湿法加工。

公开(公告)号：US20050221002A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：US10814768

申请日：2004-03-31

申请人： Kazuhito Nakamura ,  Cory Wajda ,  Enrico Mosca ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra

发明人： Kazuhito Nakamura ,  Cory Wajda ,  Enrico Mosca ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra

IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/458 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4581 ,  C23C16/16

摘要： A method for processing a substrate on a ceramic substrate heater in a process chamber. The method includes forming a protective coating on the ceramic substrate heater in the process chamber and processing a substrate on the coated substrate heater. The processing can include providing a substrate to be processed on the coated ceramic substrate heater, performing a process on the substrate by exposing the substrate to a process gas, and removing the processed substrate from the process chamber.

摘要翻译： 一种在处理室中的陶瓷基板加热器上处理基板的方法。 该方法包括在处理室中的陶瓷基板加热器上形成保护涂层，并对涂覆的基板加热器上的基板进行处理。 该处理可以包括在被涂覆的陶瓷基板加热器上提供待处理的基板，通过将基板暴露于工艺气体，从处理室中移除经处理的基板，在基板上进行处理。