公开(公告)号：US09431237B2

公开(公告)日：2016-08-30

申请号：US12762467

申请日：2010-04-19

申请人： Kai Ma ,  Christopher S. Olsen ,  Yoshitaka Yokota

发明人： Kai Ma ,  Christopher S. Olsen ,  Yoshitaka Yokota

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31654

摘要： Methods and apparatus for post treating an oxide layer on a semiconductor substrate are disclosed. In one or more embodiments, the oxide layer is formed by thermal oxidation or plasma oxidation and treated with a plasma comprising helium. The helium-containing plasma may also include hydrogen, neon, argon and combinations thereof. In one or more embodiments, a SiO2 oxide layer is formed on a silicon substrate and treated with a plasma to improve the interface between the silicon substrate and the SiO2 oxide layer.

摘要翻译： 公开了用于后处理半导体衬底上的氧化物层的方法和装置。 在一个或多个实施方案中，通过热氧化或等离子体氧化形成氧化物层，并用包含氦的等离子体处理。 含氦的等离子体还可以包括氢，氖，氩及其组合。 在一个或多个实施例中，在硅衬底上形成SiO 2氧化物层并用等离子体处理以改善硅衬底和SiO 2氧化物层之间的界面。

公开(公告)号：US20100330814A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12820395

申请日：2010-06-22

申请人： Yoshitaka Yokota ,  Christopher S. Olsen ,  Agus Sofian Tjandra ,  Yonah Cho ,  Matthew S. Rogers

发明人： Yoshitaka Yokota ,  Christopher S. Olsen ,  Agus Sofian Tjandra ,  Yonah Cho ,  Matthew S. Rogers

IPC分类号： H01L21/314

CPC分类号： H01L21/3105

摘要： Methods for processing substrates are provided herein. In some embodiments, a method for processing a substrate includes providing a substrate having an oxide layer disposed thereon, the oxide layer including one or more defects; and exposing the oxide layer to a plasma formed from a process gas comprising an oxygen-containing gas to repair the one or more defects. In some embodiments, the oxide layer may be formed on the substrate. In some embodiments, forming the oxide layer further comprises depositing the oxide layer atop the substrate. In some embodiments, forming the oxide layer further comprises thermally oxidizing the surface of the substrate to form the oxide layer. In some embodiments, a processing temperature is maintained at about 700 degrees Celsius or below during the thermal oxidation of the surface.

摘要翻译： 本文提供了处理基板的方法。 在一些实施例中，用于处理衬底的方法包括提供其上设置有氧化物层的衬底，所述氧化物层包括一个或多个缺陷; 以及将所述氧化物层暴露于由包含含氧气体的工艺气体形成的等离子体，以修复所述一个或多个缺陷。 在一些实施例中，氧化物层可以形成在衬底上。 在一些实施例中，形成氧化物层还包括在衬底顶部沉积氧化物层。 在一些实施例中，形成氧化物层还包括热氧化衬底的表面以形成氧化物层。 在一些实施例中，在表面的热氧化期间，处理温度保持在约700摄氏度或更低。