公开(公告)号：US07732251B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11870618

申请日：2007-10-11

申请人： Randy L. Hoffman ,  Gregory S. Herman ,  Peter P. Mardilovich

发明人： Randy L. Hoffman ,  Gregory S. Herman ,  Peter P. Mardilovich

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78648 ,  Y10T408/5633

摘要： One exemplary embodiment includes a semiconductor device. The semiconductor device can include a channel including one or more of a metal oxide including zinc-gallium, cadmium-gallium, cadmium-indium.

摘要翻译： 一个示例性实施例包括半导体器件。 半导体器件可以包括包括一种或多种包括锌镓，镉镓，镉铟的金属氧化物的沟道。

公开(公告)号：US20100078634A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12630632

申请日：2009-12-03

申请人： Randy L. Hoffman ,  Gregory S. Herman ,  Peter P. Mardilovich

发明人： Randy L. Hoffman ,  Gregory S. Herman ,  Peter P. Mardilovich

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78648

摘要： One exemplary embodiment includes a semiconductor device. The semiconductor device can include a channel including one or more of a metal oxide including zinc-germanium, zinc-lead, cadmium-germanium, cadmium-tin, cadmium-lead.

摘要翻译： 一个示例性实施例包括半导体器件。 半导体器件可以包括包括一种或多种包括锌 - 锗，锌 - 铅，镉 - 锗，镉 - 锡，镉 - 铅的金属氧化物的通道。

公开(公告)号：US20100047476A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12195673

申请日：2008-08-21

申请人： Jer-Shen Maa ,  Gregory S. Herman ,  Apostolos T. Voutsas

发明人： Jer-Shen Maa ,  Gregory S. Herman ,  Apostolos T. Voutsas

IPC分类号： B05D5/12 ,  H01B1/04

CPC分类号： C01B33/021

摘要： A Si nanoparticle precursor, precursor fabrication process, and precursor deposition process are presented. The method for forming a silicon (Si) nanoparticle precursor provides a plurality of nanoparticle classes, including at least one Si nanoparticle class. The nanoparticles in each nanoparticle class are defined as having a predetermined diameter. A predetermined amount of each nanoparticle class is measured and combined. For example, a first Si nanoparticle class may be provided having a largest diameter and a second Si nanoparticle class having a second-largest diameter equal to about (0.43)×(the largest diameter). As another example, Si nanoparticle classes may foe provided having a diameter ratio of about 77:32:17.

摘要翻译： 提出了Si纳米颗粒前体，前体制备工艺和前体沉积工艺。 形成硅（Si）纳米颗粒前体的方法提供多个纳米颗粒类别，包括至少一种Si纳米颗粒类。 每个纳米颗粒级中的纳米颗粒被定义为具有预定直径。 测量并组合每个纳米粒子类的预定量。 例如，可以提供具有最大直径的第一Si纳米颗粒类别和具有等于约（0.43）×（最大直径）的第二大直径的第二Si纳米颗粒类。 作为另一个实例，可以提供具有约77:32:17的直径比的Si纳米颗粒类。

公开(公告)号：US07642573B2

公开(公告)日：2010-01-05

申请号：US10799839

申请日：2004-03-12

申请人： Randy L. Hoffman ,  Gregory S. Herman ,  Peter P. Mardilovich

发明人： Randy L. Hoffman ,  Gregory S. Herman ,  Peter P. Mardilovich

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78648

摘要： One exemplary embodiment includes a semiconductor device. The semiconductor device can include a channel including one or more of a metal oxide including zinc-germanium, zinc-lead, cadmium-germanium, cadmium-tin, cadmium-lead.