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    Sensor structure for optical performance enhancement
    32.
    发明授权
    Sensor structure for optical performance enhancement 有权
    用于光学性能增强的传感器结构

    公开(公告)号：US08222710B2

    公开(公告)日：2012-07-17

    申请号：US12483485

    申请日：2009-06-12

    申请人： Jhy-Ming Hung ,  Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung ,  Chun-Chieh Chuang

    发明人： Jhy-Ming Hung ,  Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung ,  Chun-Chieh Chuang

    IPC分类号： G02B6/00

    CPC分类号： H01L27/14687 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632

    摘要： The present disclosure provides an image sensor semiconductor device. The image sensor semiconductor device includes an image sensor disposed in a semiconductor substrate, an inter-level dielectric (ILD) layer disposed on the semiconductor substrate, inter-metal-dielectric (IMD) layers and multi-layer interconnects (MLI) formed on the ILD layer, and a color filter formed in at least one of the IMD layers and overlying the image sensor.

    摘要翻译： 本公开提供了一种图像传感器半导体器件。 图像传感器半导体器件包括设置在半导体衬底中的图像传感器，设置在半导体衬底上的层间电介质层（ILD）层，金属间电介质层（IMD）层和形成在半导体衬底上的多层互连（MLI） ILD层和形成在IMD层中的至少一个并覆盖图像传感器的滤色器。

    SENSOR STRUCTURE FOR OPTICAL PERFORMANCE ENHANCEMENT
    33.
    发明申请
    SENSOR STRUCTURE FOR OPTICAL PERFORMANCE ENHANCEMENT 有权
    用于光学性能增强的传感器结构

    公开(公告)号：US20090315131A1

    公开(公告)日：2009-12-24

    申请号：US12483485

    申请日：2009-06-12

    申请人： Jhy-Ming Hung ,  Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung ,  Chun-Chieh Chuang

    发明人： Jhy-Ming Hung ,  Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung ,  Chun-Chieh Chuang

    IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L27/14687 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632

    摘要： The present disclosure provides an image sensor semiconductor device. The image sensor semiconductor device includes an image sensor disposed in a semiconductor substrate, an inter-level dielectric (ILD) layer disposed on the semiconductor substrate, inter-metal-dielectric (IMD) layers and multi-layer interconnects (MLI) formed on the ILD layer, and a color filter formed in at least one of the IMD layers and overlying the image sensor.

    摘要翻译： 本公开提供了一种图像传感器半导体器件。 图像传感器半导体器件包括设置在半导体衬底中的图像传感器，设置在半导体衬底上的层间电介质层（ILD）层，金属间电介质层（IMD）层和形成在半导体衬底上的多层互连（MLI） ILD层和形成在IMD层中的至少一个并覆盖图像传感器的滤色器。

    Dual shallow trench isolation and related applications
    34.
    发明授权
    Dual shallow trench isolation and related applications 有权
    双浅沟槽隔离及相关应用

    公开(公告)号：US09196547B2

    公开(公告)日：2015-11-24

    申请号：US12751126

    申请日：2010-03-31

    申请人： Jeng-Shyan Lin ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang ,  Volume Chien

    发明人： Jeng-Shyan Lin ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang ,  Volume Chien

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

    CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689

    摘要： Embodiments of the invention relate to dual shallow trench isolations (STI). In various embodiments related to CMOS Image Sensor (CIS) technologies, the dual STI refers to one STI structure in the pixel region and another STI structure in the periphery or logic region. The depth of each STI structure depends on the need and/or isolation tolerance of devices in each region. In an embodiment, the pixel region uses NMOS devices and the STI in this region is shallower than that of in the periphery region that includes both NMOS and PMOS device having different P- and N-wells and that desire more protective isolation (i.e., deeper STI). Depending on implementations, different numbers of masks (e.g., two, three) are used to generate the dual STI, and are disclosed in various method embodiments.

    摘要翻译： 本发明的实施例涉及双重浅沟槽隔离（STI）。 在涉及CMOS图像传感器（CIS）技术的各种实施例中，双STI是指像素区域中的一个STI结构和外围或逻辑区域中的另一个STI结构。 每个STI结构的深度取决于每个区域中器件的需要和/或隔离容差。 在一个实施例中，像素区域使用NMOS器件，并且该区域中的STI比包括具有不同P阱和N阱的NMOS和PMOS器件的外围区域中的STI浅，并且需要更多的保护隔离（即，更深的 STI）。 根据实施方案，使用不同数量的掩模（例如，两个，三个）来产生双STI，并且在各种方法实施例中公开。

    System and Method for Fabricating a 3D Image Sensor Structure
    35.
    发明申请
    System and Method for Fabricating a 3D Image Sensor Structure 有权
    用于制作3D图像传感器结构的系统和方法

    公开(公告)号：US20140042445A1

    公开(公告)日：2014-02-13

    申请号：US13572436

    申请日：2012-08-10

    申请人： Min-Feng Kao ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang

    发明人： Min-Feng Kao ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0368

    CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14696

    摘要： A system and method for fabricating a 3D image sensor structure is disclosed. The method comprises providing an image sensor with a backside illuminated photosensitive region on a substrate, applying a first dielectric layer to the first side of the substrate opposite the substrate side where image data is gathered, and applying a semiconductor layer that is optionally polysilicon, to the first dielectric layer. A least one control transistor may be created on the first dielectric layer, within the semiconductor layer and may optionally be a row select, reset or source follower transistor. An intermetal dielectric may be applied over the first dielectric layer; and may have at least one metal interconnect disposed therein. A second interlevel dielectric layer may be disposed on the control transistors. The dielectric layers and semiconductor layer may be applied by bonding a wafer to the substrate or via deposition.

    摘要翻译： 公开了一种用于制造3D图像传感器结构的系统和方法。 该方法包括在基板上提供具有背面照射感光区域的图像传感器，将第一电介质层施加到与图像数据收集的基板侧相对的基板的第一侧，以及施加可选择的多晶硅的半导体层， 第一介电层。 可以在半导体层内的第一介电层上形成至少一个控制晶体管，并且可以可选地是行选择，复位或源极跟随器晶体管。 可以在第一介电层上施加金属间电介质; 并且可以具有布置在其中的至少一个金属互连。 第二层间电介质层可以设置在控制晶体管上。 电介质层和半导体层可以通过将晶片结合到衬底或通过沉积来施加。

    Image Sensor with Deep Trench Isolation Structure
    36.
    发明申请
    Image Sensor with Deep Trench Isolation Structure 有权
    具有深沟槽隔离结构的图像传感器

    公开(公告)号：US20120025199A1

    公开(公告)日：2012-02-02

    申请号：US12844642

    申请日：2010-07-27

    申请人： Szu-Ying Chen ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung

    发明人： Szu-Ying Chen ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung

    IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

    摘要： Provided is a back side illuminated image sensor device. The image sensor device includes a substrate having a front side and a back side opposite the front side. The image sensor also includes a radiation-detection device that is formed in the substrate. The radiation-detection device is operable to detect a radiation wave that enters the substrate through the back side. The image sensor further includes a deep trench isolation feature that is disposed adjacent to the radiation-detection device. The image sensor device further includes a doped layer that at least partially surrounds the deep trench isolation feature in a conformal manner.

    摘要翻译： 提供了背面照明图像传感器装置。 图像传感器装置包括具有与前侧相对的前侧和后侧的基板。 图像传感器还包括形成在基板中的放射线检测装置。 放射线检测装置可操作以检测通过背面进入衬底的辐射波。 图像传感器还包括与辐射检测装置相邻设置的深沟槽隔离特征。 图像传感器装置还包括以保形方式至少部分地围绕深沟槽隔离特征的掺杂层。

    System and method for fabricating a 3D image sensor structure
    37.
    发明授权
    System and method for fabricating a 3D image sensor structure 有权
    用于制作3D图像传感器结构的系统和方法

    公开(公告)号：US08669135B2

    公开(公告)日：2014-03-11

    申请号：US13572436

    申请日：2012-08-10

    申请人： Min-Feng Kao ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang

    发明人： Min-Feng Kao ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L27/088

    CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14696

    摘要： A system and method for fabricating a 3D image sensor structure is disclosed. The method comprises providing an image sensor with a backside illuminated photosensitive region on a substrate, applying a first dielectric layer to the first side of the substrate opposite the substrate side where image data is gathered, and applying a semiconductor layer that is optionally polysilicon, to the first dielectric layer. A least one control transistor may be created on the first dielectric layer, within the semiconductor layer and may optionally be a row select, reset or source follower transistor. An intermetal dielectric may be applied over the first dielectric layer; and may have at least one metal interconnect disposed therein. A second interlevel dielectric layer may be disposed on the control transistors. The dielectric layers and semiconductor layer may be applied by bonding a wafer to the substrate or via deposition.

    摘要翻译： 公开了一种用于制造3D图像传感器结构的系统和方法。 该方法包括在基板上提供具有背面照射感光区域的图像传感器，将第一电介质层施加到与图像数据收集的基板侧相对的基板的第一侧，以及施加可选择的多晶硅的半导体层， 第一介电层。 可以在半导体层内的第一介电层上形成至少一个控制晶体管，并且可以可选地是行选择，复位或源极跟随器晶体管。 可以在第一介电层上施加金属间电介质; 并且可以具有布置在其中的至少一个金属互连。 第二层间电介质层可以设置在控制晶体管上。 电介质层和半导体层可以通过将晶片结合到衬底或通过沉积来施加。

    Image sensor with deep trench isolation structure
    39.
    发明授权
    Image sensor with deep trench isolation structure 有权
    具有深沟槽隔离结构的图像传感器

    公开(公告)号：US08390089B2

    公开(公告)日：2013-03-05

    申请号：US12844642

    申请日：2010-07-27

    申请人： Szu-Ying Chen ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung

    发明人： Szu-Ying Chen ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

    摘要： Provided is a back side illuminated image sensor device. The image sensor device includes a substrate having a front side and a back side opposite the front side. The image sensor also includes a radiation-detection device that is formed in the substrate. The radiation-detection device is operable to detect a radiation wave that enters the substrate through the back side. The image sensor further includes a deep trench isolation feature that is disposed adjacent to the radiation-detection device. The image sensor device further includes a doped layer that at least partially surrounds the deep trench isolation feature in a conformal manner.

    摘要翻译： 提供了背面照明图像传感器装置。 图像传感器装置包括具有与前侧相对的前侧和后侧的基板。 图像传感器还包括形成在基板中的放射线检测装置。 放射线检测装置可操作以检测通过背面进入衬底的辐射波。 图像传感器还包括与辐射检测装置相邻设置的深沟槽隔离特征。 图像传感器装置还包括以保形方式至少部分地围绕深沟槽隔离特征的掺杂层。