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    BUFFER BILAYERS FOR ELECTRONIC DEVICES
    43.
    发明申请
    BUFFER BILAYERS FOR ELECTRONIC DEVICES 有权
    电子设备缓冲器

    公开(公告)号：US20100187982A1

    公开(公告)日：2010-07-29

    申请号：US12642093

    申请日：2009-12-18

    申请人： Che-Hsiung Hsu ,  Weiying Gao ,  Shiva Prakash

    发明人： Che-Hsiung Hsu ,  Weiying Gao ,  Shiva Prakash

    IPC分类号： H01L51/54 ,  B32B5/16

    CPC分类号： H01L51/5088 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/004 ,  H01L2251/5369 ,  Y10T428/24893

    摘要： The present invention relates to buffer bilayers, and their use in electronic devices. The bilayer has a first layer including (a) at least one electrically conductive polymer doped with at least one non-highly-fluorinated acid polymer and (b) at least one highly-fluorinated acid polymer, and a second layer including inorganic nanoparticles which are oxides or sulfides.

    摘要翻译： 本发明涉及缓冲双层体及其在电子设备中的应用。 双层具有第一层，其包括（a）至少一种掺杂有至少一种非高度氟化的酸聚合物的导电聚合物和（b）至少一种高度氟化的酸聚合物，以及包含无机纳米颗粒的第二层， 氧化物或硫化物。

    Buffer bilayers for electronic devices
    44.
    发明授权
    Buffer bilayers for electronic devices 有权
    电子设备缓冲层双层

    公开(公告)号：US08461758B2

    公开(公告)日：2013-06-11

    申请号：US12642093

    申请日：2009-12-18

    申请人： Che-Hsiung Hsu ,  Weiying Gao ,  Shiva Prakash

    发明人： Che-Hsiung Hsu ,  Weiying Gao ,  Shiva Prakash

    IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/50

    CPC分类号： H01L51/5088 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/004 ,  H01L2251/5369 ,  Y10T428/24893

    摘要： The present invention relates to buffer bilayers, and their use in electronic devices. The bilayer has a first layer including (a) at least one electrically conductive polymer doped with at least one non-highly-fluorinated acid polymer and (b) at least one highly-fluorinated acid polymer, and a second layer including inorganic nanoparticles which are oxides or sulfides.

    摘要翻译： 本发明涉及缓冲双层体及其在电子设备中的应用。 双层具有第一层，其包括（a）至少一种掺杂有至少一种非高度氟化的酸聚合物的导电聚合物和（b）至少一种高度氟化的酸聚合物，以及包含无机纳米颗粒的第二层， 氧化物或硫化物。

    ELECTRONIC DEVICE
    48.
    发明申请
    ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
    电子设备

    公开(公告)号：US20140001459A1

    公开(公告)日：2014-01-02

    申请号：US14005021

    申请日：2012-04-09

    申请人： Weiying Gao

    发明人： Weiying Gao

    IPC分类号： H01L51/00

    CPC分类号： H01L51/0058 ,  C07C2603/24 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1088 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/5012

    摘要： There is provided an electronic device having two electrical contact layers with a photoactive layer between them. The photoactive layer has a single component which is a compound having Formula I: In Formula I: R1 through R8 are the same or different at each occurrence and are H, D, alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, siloxane, or silyl; Ar1 and Ar2 are the same or different and are aryl groups; and Ar3 and Ar4 are the same or different and are H, D, or aryl groups.

    摘要翻译： 提供了一种具有两个电接触层的电子器件，它们之间具有光敏层。 光活性层具有单一成分，其为具有式I的化合物：在式I中：R 1至R 8在每次出现时相同或不同，为H，D，烷基，烷氧基，芳基，芳氧基，硅氧烷或甲硅烷基; Ar 1和Ar 2相同或不同，为芳基; 且Ar 3和Ar 4相同或不同，为H，D或芳基。

    ORGANIC ELECTRONIC DEVICE WITH ELECTRON TUNNELING LAYER
    50.
    发明申请
    ORGANIC ELECTRONIC DEVICE WITH ELECTRON TUNNELING LAYER 审中-公开
    有机电子设备与电子隧道层

    公开(公告)号：US20120001164A1

    公开(公告)日：2012-01-05

    申请号：US13256289

    申请日：2010-05-11

    申请人： Weiying Gao ,  Dean T. Deibler

    发明人： Weiying Gao ,  Dean T. Deibler

    IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/54

    CPC分类号： H01L51/5221

    摘要： There is provided an organic electronic device including an anode; a photoactive layer; an electron transport layer; an electron tunneling layer having a thickness in the range of 10-50 Å; and a cathode.

    摘要翻译： 提供了一种包括阳极的有机电子器件; 光敏层; 电子传输层; 电子隧道层，其厚度在10〜50的范围内; 和阴极。