公开(公告)号：US20150263102A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：US14213511

申请日：2014-03-14

Applicant: International Business Machines Corporation

Inventor： Anirban Basu ,  Guy M. Cohen ,  Amlan Majumdar ,  Yu Zhu

IPC: H01L29/205 ,  H01L23/522 ,  H01L29/66 ,  H01L21/762 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02241 ,  H01L21/762 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: A structure and method for forming a substrate, a buffer layer disposed on the substrate, an oxide layer disposed on the buffer layer, and a fin comprising a semiconductor material disposed on the oxide layer.

Abstract translation: 用于形成衬底的结构和方法，设置在衬底上的缓冲层，设置在缓冲层上的氧化物层，以及包括设置在氧化物层上的半导体材料的鳍。