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64 条记录 (耗时 0.031 秒)

    Speaker
    42.
    外观设计
    Speaker 有权

    公开(公告)号：USD540780S1

    公开(公告)日：2007-04-17

    申请号：US29255077

    申请日：2006-03-06

    申请人： Jae-Hyung Kim

    设计人： Jae-Hyung Kim

    Halo ion implantation method for fabricating a semiconductor device
    43.
    发明授权
    Halo ion implantation method for fabricating a semiconductor device 有权
    用于制造半导体器件的光晕离子注入方法

    公开(公告)号：US06458665B1

    公开(公告)日：2002-10-01

    申请号：US09542878

    申请日：2000-04-04

    申请人： Jae-Hyung Kim

    发明人： Jae-Hyung Kim

    IPC分类号： H01L21336

    CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/66492

    摘要： The present invention relates to a halo ion implantation method for a semiconductor device, and in a semiconductor device formed of a cell array region with a relatively high concentration of pattern and a peripheral circuit region with a relatively low concentration of pattern. The present invention can improve the data maintenance characteristics by not allowing a source/drain junction in the cell array region to be exposed. In a halo ion implantation method for a semiconductor device of the present invention, a semiconductor substrate having at least one flat zone 31 is prepared, a gate oxide film is formed on the semiconductor substrate, and a plurality of gate electrodes are formed on the gate oxide film. Halo ion implantation is implemented in directions in which a wafer(semiconductor substrate) is horizontally rotated by 45, 135, 225 and 315 degrees at the position of the flat zone when each of the gate electrodes 32a is made arranged in a direction horizontal to the flat zone.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于半导体器件的卤素离子注入方法，以及由具有相对高的图案浓度的单元阵列区域和具有较低浓度图案的外围电路区域形成的半导体器件。 本发明可以通过不允许暴露单元阵列区域中的源极/漏极结来改善数据维护特性。 在本发明的半导体器件的卤素离子注入方法中，制备具有至少一个平坦区31的半导体衬底，在半导体衬底上形成栅极氧化膜，并且在栅极上形成多个栅电极 氧化膜。 在平坦区域的位置处晶片（半导体衬底）水平旋转45度，135度，225度和315度的方向实现光晕离子注入，当每个栅电极32a沿水平方向布置在 平坦区。

    Hybrid schottky injection field effect transistor
    44.
    发明授权
    Hybrid schottky injection field effect transistor 失效
    混合肖特基注入场效应晶体管

    公开(公告)号：US5796126A

    公开(公告)日：1998-08-18

    申请号：US623768

    申请日：1996-03-29

    申请人： Min-Koo Han ,  Yearn-Ik Choi ,  Jae-Hyung Kim ,  Han-Soo Kim

    发明人： Min-Koo Han ,  Yearn-Ik Choi ,  Jae-Hyung Kim ,  Han-Soo Kim

    IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/335 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812 ,  H01L29/74

    CPC分类号： H01L29/7394 ,  H01L29/7398

    摘要： A hybrid schottky injection field effect transistor is provided. A first diffusion region of a second conductivity type and a second diffusion region of a first conductivity type are separately formed at a main surface of a silicon layer. A third diffusion region of a first conductivity type is formed within the first diffusion region. An insulating layer covers part of the second diffusion region and the third diffusion region. A gate electrode is formed on the insulating layer and is situated over the first and third diffusion regions and the silicon layer. A cathode electrode is commonly connected to the third diffusion region and the first diffusion region. An anode electrode comprises a trench filled with electrode material and is formed in the silicon layer along side of the second diffusion area and a gate insulating layer.

    摘要翻译： 提供了一种混合肖特基注入场效应晶体管。 第二导电类型的第一扩散区域和第一导电类型的第二扩散区域分别形成在硅层的主表面处。 在第一扩散区域内形成第一导电类型的第三扩散区域。 绝缘层覆盖第二扩散区域和第三扩散区域的一部分。 栅电极形成在绝缘层上，并位于第一和第三扩散区和硅层之上。 阴极电极通常连接到第三扩散区域和第一扩散区域。 阳极包括填充有电极材料的沟槽，并且沿着第二扩散区域的侧面形成在硅层中，并且栅极绝缘层。

    Method for fabricating antenna device of mobile communication terminal
    46.
    发明授权
    Method for fabricating antenna device of mobile communication terminal 有权
    移动通信终端天线装置的制造方法

    公开(公告)号：US08353097B2

    公开(公告)日：2013-01-15

    申请号：US12841389

    申请日：2010-07-22

    申请人： Joon-Ho Byun ,  Seong-Tae Jeong ,  Bum-Jin Cho ,  Soon-Ho Hwang ,  Yong-Soo Kwak ,  Austin Kim ,  Jae-Hoon Jo ,  Jae-Hyung Kim ,  A-Hyun Sin

    发明人： Joon-Ho Byun ,  Seong-Tae Jeong ,  Bum-Jin Cho ,  Soon-Ho Hwang ,  Yong-Soo Kwak ,  Austin Kim ,  Jae-Hoon Jo ,  Jae-Hyung Kim ,  A-Hyun Sin

    IPC分类号： H01P11/00

    CPC分类号： H01Q1/38 ,  H01Q1/243 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49016

    摘要： A method for fabricating an antenna device of a mobile communication terminal, the method including selecting radiation patterns according to a usable frequency band, selecting and fabricating magneto dielectric modules for adjusting resonance frequencies of the selected radiation patterns, selecting and fabricating dielectric modules for adjusting resonance frequency of the selected radiation patterns, selecting and fabricating a radiation pattern having a number of resonance frequencies required for the terminal from among the radiation patterns selected in the pattern selection step, and selecting at least one of the magneto dielectric modules and the dielectric modules and installing it in the radiation pattern to tune a resonance frequency of the radiation pattern to the resonance frequency required for the terminal.

    摘要翻译： 一种用于制造移动通信终端的天线装置的方法，所述方法包括根据可用频带选择辐射图案，选择和制造用于调节所选择的辐射图案的共振频率的磁介质模块，选择和制造用于调节共振的电介质模块 所选择的辐射图案的频率，从在图案选择步骤中选择的辐射图案中选择并制造具有终端所需的多个谐振频率的辐射图案，以及选择磁介质模块和电介质模块中的至少一个，以及 将其安装在辐射图中以将辐射图的谐振频率调谐到终端所需的共振频率。

    OPTICAL FILTER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    50.
    发明申请
    OPTICAL FILTER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
    光学滤波器及其制造方法

    公开(公告)号：US20100149672A1

    公开(公告)日：2010-06-17

    申请号：US12625549

    申请日：2009-11-24

    申请人： Jin-Young Lee ,  Sung-Yong Lee ,  Jae-Hyung Kim

    发明人： Jin-Young Lee ,  Sung-Yong Lee ,  Jae-Hyung Kim

    IPC分类号： G02B5/22 ,  G03F7/20

    CPC分类号： H01J11/44 ,  G02B2207/123 ,  H01J2211/444 ,  H01J2211/446

    摘要： An optical filter for a plasma display device with improved shielding angle and transmittance, and a method of manufacturing the optical filter. The optical filter includes an external light shielding layer having a plurality of first openings; and an electromagnetic wave shielding layer integrated with the external light shielding layer on one surface of the external light shielding layer, where the electromagnetic wave shielding layer has a plurality of second openings corresponding to the plurality of first openings.

    摘要翻译： 一种用于具有改进的屏蔽角度和透射率的等离子体显示装置用滤光器及其制造方法。 滤光器包括具有多个第一开口的外部遮光层; 以及电磁波屏蔽层，其与所述外部遮光层的一面的外部遮光层一体化，所述电磁波屏蔽层具有与所述多个第一开口对应的多个第二开口。