公开(公告)号：US07332262B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US11154741

申请日：2005-06-16

申请人： Ian Latchford ,  Christopher Dennis Bencher ,  Yuxiang Wang ,  Mario Dave Silvetti

发明人： Ian Latchford ,  Christopher Dennis Bencher ,  Yuxiang Wang ,  Mario Dave Silvetti

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76832

摘要： A method for forming a patterned amorphous carbon layer in a semiconductor stack, including forming an amorphous carbon layer on a substrate and forming a silicon containing photoresist layer on top of the amorphous carbon layer. Thereafter, the method includes developing a pattern transferred into the resist layer with a photolithographic process and etching through the amorphous carbon layer in at least one region defined by the pattern in the resist layer, wherein a resist layer hard mask is formed in an outer portion of the photoresist layer during etching.

摘要翻译： 一种在半导体堆叠中形成图案化的非晶碳层的方法，包括在基底上形成无定形碳层，并在无定形碳层的顶部形成含硅光致抗蚀剂层。 此后，该方法包括通过光刻工艺显影转印到抗蚀剂层中的图案，并且在由抗蚀剂层中的图案限定的至少一个区域中通过无定形碳层进行蚀刻，其中在外部形成抗蚀剂层硬掩模 的光刻胶层。