公开(公告)号：US20120242392A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13053374

申请日：2011-03-22

申请人： Nam Sung Kim

发明人： Nam Sung Kim

IPC分类号： H03K17/14 ,  H03K17/56

CPC分类号： H03K19/0016

摘要： The number of power-gating transistors on an integrated circuit used for power reduction in a sleep mode is controlled during a wake state to adjust the current flow and hence voltage drop across the power-gating transistors as a function of aging of these transistors and/or a function of temperature of the integrated circuit. In this way, the supply voltage to the integrated circuit may be better tailored to minimize current leakage when the integrated circuit is young or operating at low temperatures.

摘要翻译： 在休眠模式下用于功率降低的集成电路上的功率门控晶体管的数量在唤醒状态期间被控制，以调节电流流动，并因此调节功率门控晶体管上的电压降，这是这些晶体管的老化和/ 或集成电路的温度的函数。 以这种方式，集成电路的电源电压可以被更好地定制，以在集成电路较小或在低温下工作时最小化电流泄漏。

公开(公告)号：US08237197B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12831310

申请日：2010-07-07

申请人： Xiangdong Chen ,  Jie Deng ,  Weipeng Li ,  Deleep R. Nair ,  Jae-Eun Park ,  Daniel Tekleab ,  Xiaobin Yuan ,  Nam Sung Kim

发明人： Xiangdong Chen ,  Jie Deng ,  Weipeng Li ,  Deleep R. Nair ,  Jae-Eun Park ,  Daniel Tekleab ,  Xiaobin Yuan ,  Nam Sung Kim

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7835

摘要： A field effect transistor includes a partial SiGe channel, i.e., a channel including a SiGe channel portion, located underneath a gate electrode and a Si channel portion located underneath an edge of the gate electrode near the drain region. The SiGe channel portion can be located directly underneath a gate dielectric, or can be located underneath a Si channel layer located directly underneath a gate dielectric. The Si channel portion is located at the same depth as the SiGe channel portion, and contacts the drain region of the transistor. By providing a Si channel portion near the drain region, the GIDL current of the transistor is maintained at a level on par with the GIDL current of a transistor having a silicon channel only during an off state.

摘要翻译： 场效应晶体管包括部分SiGe沟道，即包括位于栅极下方的SiGe沟道部分的沟道部分，以及位于漏极区域附近的位于栅电极的边缘下方的Si沟道部分。 SiGe沟道部分可以位于栅极电介质的正下方，或者可以位于位于栅极电介质正下方的Si沟道层下方。 Si沟道部分位于与SiGe沟道部分相同的深度处，并与晶体管的漏极区域接触。 通过在漏极区附近提供Si沟道部分，晶体管的GIDL电流仅在断开状态下保持在与具有硅沟道的晶体管的GIDL电流相同的水平上。

公开(公告)号：US20070271421A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：US11435701

申请日：2006-05-17

申请人： Nam Sung Kim ,  Shih-Lien L. Lu ,  Chris Wilkerson ,  Edward Grochowski

发明人： Nam Sung Kim ,  Shih-Lien L. Lu ,  Chris Wilkerson ,  Edward Grochowski

IPC分类号： G06F13/00

CPC分类号： G11C11/412

摘要： Methods and apparatus to reduce aging effect on memory are described. In one embodiment, a modified version of data is stored in a portion of a storage unit during a first time period.

摘要翻译： 描述了减少老化对记忆效应的方法和装置。 在一个实施例中，数据的修改版本在第一时间段期间存储在存储单元的一部分中。