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    Semiconductor storage device and manufacturing method thereof
    42.
    发明申请
    Semiconductor storage device and manufacturing method thereof 审中-公开
    半导体存储装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20060266992A1

    公开(公告)日：2006-11-30

    申请号：US11435934

    申请日：2006-05-18

    申请人： Yuichi Matsui ,  Tomio Iwasaki ,  Norikatsu Takaura ,  Kenzo Kurotsuchi

    发明人： Yuichi Matsui ,  Tomio Iwasaki ,  Norikatsu Takaura ,  Kenzo Kurotsuchi

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

    摘要： Since a chalcogenide material has low adhesion to a silicon oxide film, there is a problem in that it tends to separate from the film during the manufacturing step of a phase change memory. In addition, since the chalcogenide material has to be heated to its melting point or higher during resetting (amorphization) of the phase change memory, there is a problem of requiring extremely large rewriting current. An interfacial layer comprising an extremely thin insulator or semiconductor having the function as both an adhesive layer and a high resistance layer (thermal resistance layer) is inserted between chalcogenide material layer/interlayer insulative film and between chalcogenide material layer/plug.

    摘要翻译： 由于硫族化物材料对氧化硅膜的粘附性低，所以存在在相变存储器的制造工序中与膜分离的问题。 此外，由于在相变存储器的复位（非晶化）期间必须将硫属化物材料加热至其熔点以上，所以存在需要非常大的重写电流的问题。 在硫族化物材料层/层间绝缘膜之间和硫族化物材料层/插塞之间插入包含具有粘合剂层和高电阻层（耐热层）两者的极薄绝缘体或半导体的界面层。

    Semiconductor memory
    45.
    发明申请
    Semiconductor memory 审中-公开
    半导体存储器

    公开(公告)号：US20070170413A1

    公开(公告)日：2007-07-26

    申请号：US11596220

    申请日：2005-05-09

    申请人： Yuichi Matsui ,  Nozomu Matsuzaki ,  Norikatsu Takaura ,  Naoki Yamamoto ,  Hideyuki Matsuoka ,  Tomio Iwasaki

    发明人： Yuichi Matsui ,  Nozomu Matsuzaki ,  Norikatsu Takaura ,  Naoki Yamamoto ,  Hideyuki Matsuoka ,  Tomio Iwasaki

    IPC分类号： H01L29/04

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

    摘要： Manufacturing processes for phase change memory have suffered from the problem of chalcogenide material being susceptible to delamination, since this material exhibits low adhesion to high melting point metals and silicon oxide films. Furthermore, chalcogenide material has low thermal stability and hence tends to sublime during the manufacturing process of phase change memory. According to the present invention, conductive or insulative adhesive layers are formed over and under the chalcogenide material layer to enhance its delamination strength. Further, a protective film made up of a nitride film is formed on the sidewalls of the chalcogenide material layer to prevent sublimation of the chalcogenide material layer.

    摘要翻译： 由于这种材料对高熔点金属和氧化硅膜具有低粘附性，所以相变存储器的制造过程已经受到硫属化物材料易于分层的问题的困扰。 此外，硫族化物材料具有低的热稳定性，因此在相变存储器的制造过程中倾向于升华。 根据本发明，在硫族化物材料层上和下方形成导电或绝缘粘合剂层以增强其分层强度。 此外，在硫族化物材料层的侧壁上形成由氮化物膜构成的保护膜，以防止硫属化物材料层的升华。

    Semiconductor memory
    46.
    发明授权
    Semiconductor memory 有权
    半导体存储器

    公开(公告)号：US08890107B2

    公开(公告)日：2014-11-18

    申请号：US12613235

    申请日：2009-11-05

    申请人： Yuichi Matsui ,  Nozomu Matsuzaki ,  Norikatsu Takaura ,  Naoki Yamamoto ,  Hideyuki Matsuoka ,  Tomio Iwasaki

    发明人： Yuichi Matsui ,  Nozomu Matsuzaki ,  Norikatsu Takaura ,  Naoki Yamamoto ,  Hideyuki Matsuoka ,  Tomio Iwasaki

    IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

    摘要： Manufacturing processes for phase change memory have suffered from the problem of chalcogenide material being susceptible to delamination, since this material exhibits low adhesion to high melting point metals and silicon oxide films. Furthermore, chalcogenide material has low thermal stability and hence tends to sublime during the manufacturing process of phase change memory. According to the present invention, conductive or insulative adhesive layers are formed over and under the chalcogenide material layer to enhance its delamination strength. Further, a protective film made up of a nitride film is formed on the sidewalls of the chalcogenide material layer to prevent sublimation of the chalcogenide material layer.

    摘要翻译： 由于这种材料对高熔点金属和氧化硅膜具有低粘附性，所以相变存储器的制造过程已经受到硫属化物材料易于分层的问题的困扰。 此外，硫族化物材料具有低的热稳定性，因此在相变存储器的制造过程中倾向于升华。 根据本发明，在硫族化物材料层上和下方形成导电或绝缘粘合剂层以增强其分层强度。 此外，在硫族化物材料层的侧壁上形成由氮化物膜构成的保护膜，以防止硫属化物材料层的升华。

    SEMICONDUCTOR MEMORY
    48.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMORY 有权
    半导体存储器

    公开(公告)号：US20120077325A1

    公开(公告)日：2012-03-29

    申请号：US13314154

    申请日：2011-12-07

    申请人： YUICHI MATSUI ,  Nozomu Matsuzaki ,  Norikatsu Takaura ,  Naoki Yamamoto ,  Hideyuki Matsuoka ,  Tomio Iwasaki

    发明人： YUICHI MATSUI ,  Nozomu Matsuzaki ,  Norikatsu Takaura ,  Naoki Yamamoto ,  Hideyuki Matsuoka ,  Tomio Iwasaki

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

    摘要： Manufacturing processes for phase change memory have suffered from the problem of chalcogenide material being susceptible to delamination, since this material exhibits low adhesion to high melting point metals and silicon oxide films. Furthermore, chalcogenide material has low thermal stability and hence tends to sublime during the manufacturing process of phase change memory. According to the present invention, conductive or insulative adhesive layers are formed over and under the chalcogenide material layer to enhance its delamination strength. Further, a protective film made up of a nitride film is formed on the sidewalls of the chalcogenide material layer to prevent sublimation of the chalcogenide material layer.

    摘要翻译： 由于这种材料对高熔点金属和氧化硅膜具有低粘附性，所以相变存储器的制造过程已经受到硫属化物材料易于分层的问题的困扰。 此外，硫族化物材料具有低的热稳定性，因此在相变存储器的制造过程中倾向于升华。 根据本发明，在硫族化物材料层上和下方形成导电或绝缘粘合剂层以增强其分层强度。 此外，在硫族化物材料层的侧壁上形成由氮化物膜构成的保护膜，以防止硫属化物材料层的升华。

    SEMICONDUCTOR MEMORY
    49.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMORY 有权
    半导体存储器

    公开(公告)号：US20100044672A1

    公开(公告)日：2010-02-25

    申请号：US12613235

    申请日：2009-11-05

    申请人： Yuichi Matsui ,  Nozomu Matsuzaki ,  Norikatsu Takaura ,  Naoki Yamamoto ,  Hideyuki Matsuoka ,  Tomio Iwasaki

    发明人： Yuichi Matsui ,  Nozomu Matsuzaki ,  Norikatsu Takaura ,  Naoki Yamamoto ,  Hideyuki Matsuoka ,  Tomio Iwasaki

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

    摘要： Manufacturing processes for phase change memory have suffered from the problem of chalcogenide material being susceptible to delamination, since this material exhibits low adhesion to high melting point metals and silicon oxide films. Furthermore, chalcogenide material has low thermal stability and hence tends to sublime during the manufacturing process of phase change memory. According to the present invention, conductive or insulative adhesive layers are formed over and under the chalcogenide material layer to enhance its delamination strength. Further, a protective film made up of a nitride film is formed on the sidewalls of the chalcogenide material layer to prevent sublimation of the chalcogenide material layer.

    摘要翻译： 由于这种材料对高熔点金属和氧化硅膜具有低粘附性，所以相变存储器的制造过程已经受到硫属化物材料易于分层的问题的困扰。 此外，硫族化物材料具有低的热稳定性，因此在相变存储器的制造过程中倾向于升华。 根据本发明，在硫族化物材料层上和下方形成导电或绝缘粘合剂层以增强其分层强度。 此外，在硫族化物材料层的侧壁上形成由氮化物膜构成的保护膜，以防止硫属化物材料层的升华。

    Semiconductor integrated device
    50.
    发明授权
    Semiconductor integrated device 有权
    半导体集成器件

    公开(公告)号：US07443721B2

    公开(公告)日：2008-10-28

    申请号：US11341385

    申请日：2006-01-30

    申请人： Kenzo Kurotsuchi ,  Kiyoo Itoh ,  Norikatsu Takaura ,  Kenichi Osada

    发明人： Kenzo Kurotsuchi ,  Kiyoo Itoh ,  Norikatsu Takaura ,  Kenichi Osada

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C2013/0047 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/79

    摘要： A semiconductor non volatile memory device capable of multiple write operations with high reliability includes memory cells. Each memory cell of the device has a first electrode, a second electrode, and an information storage section between the two electrodes. A segregation of composing elements of the information storage section caused by applying a first current pulse from the first electrode to the second electrode is corrected by applying a second current pulse from the second electrode to the first electrode such that the composition of the storage section recovers to its original state.

    摘要翻译： 能够具有高可靠性的多次写入操作的半导体非易失性存储器件包括存储单元。 器件的每个存储单元具有第一电极，第二电极和两个电极之间的信息存储部分。 通过从第二电极向第一电极施加第二电流脉冲来校正由第一电极向第二电极施加第一电流脉冲而引起的信息存储部分的组成元件的分离，使得存储部分的组成恢复 到原来的状态。