公开(公告)号：US07135419B2

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：US10245760

申请日：2002-09-16

申请人： Manish Chandhok ,  Robert P. Meagley

发明人： Manish Chandhok ,  Robert P. Meagley

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/0273

摘要： A base-loaded polymer is applied to a semiconductor feature formed after exposing and developing a photoresist layer in order to reduce line edge roughness caused by a residual acid collecting on the edges of the feature during the post-exposure bake of the photoresist. Alternatively, a polymer is applied containing grains that are of suitable for smoothing the line edge roughness.

摘要翻译： 将基底负载的聚合物施加到在曝光和显影光致抗蚀剂层之后形成的半导体特征，以便在光致抗蚀剂的后曝光烘烤期间减少由在特征的边缘上收集的残留酸引起的线边缘粗糙度。 或者，施加包含适于平滑线边缘粗糙度的颗粒的聚合物。

公开(公告)号：US07089785B2

公开(公告)日：2006-08-15

申请号：US10750199

申请日：2003-12-30

申请人： Hok-Kin Choi ,  Robert P. Meagley

发明人： Hok-Kin Choi ,  Robert P. Meagley

IPC分类号： G01N30/00 ,  G01N30/02

CPC分类号： H01L21/76808 ,  G01N30/02 ,  G01N2030/027

摘要： Numerous embodiments of a method to assay sacrificial material are disclosed. In one embodiment, a sacrificial material may be analyzed by high performance liquid chromatography. Chemical markers that correlate with material contaminants in the sacrificial material may be identified.

摘要翻译： 公开了用于测定牺牲材料的方法的许多实施例。 在一个实施方案中，可以通过高效液相色谱分析牺牲材料。 可以鉴定与牺牲材料中的材料污染物相关的化学标记。