公开(公告)号：US20080145792A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11548580

申请日：2006-10-11

申请人： Manish Chandhok ,  Robert P. Meagley

发明人： Manish Chandhok ,  Robert P. Meagley

IPC分类号： G03C5/00

CPC分类号： G03F7/40

摘要： A base-loaded polymer is applied to a semiconductor feature formed after exposing and developing a photoresist layer in order to reduce line edge roughness caused by a residual acid collecting on the edges of the feature during the post-exposure bake of the photoresist. Alternatively, a polymer is applied containing grains that are of suitable size for smoothing the line edge roughness.

摘要翻译： 将基底负载的聚合物施加到在曝光和显影光致抗蚀剂层之后形成的半导体特征，以便在光致抗蚀剂的后曝光烘烤期间减少由在特征的边缘上收集的残留酸引起的线边缘粗糙度。 或者，施加含有适于使线边缘粗糙度平滑的合适尺寸的颗粒的聚合物。

公开(公告)号：US07615337B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US10927885

申请日：2004-08-27

申请人： Robert P. Meagley ,  Michael McSwiney ,  Michael D. Goodner ,  Robert Leet ,  Manish Chandhok

发明人： Robert P. Meagley ,  Michael McSwiney ,  Michael D. Goodner ,  Robert Leet ,  Manish Chandhok

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F7/40

摘要： A cap may be formed anisotropically over a photoresist feature. For example, a material, such as a polymer, may be coated over the photoresist feature. If the coated material is photoactive, the cap may be grown preferentially in the vertical direction, creating high aspect ratio structures in some embodiments of the present invention.

摘要翻译： 可以在光致抗蚀剂特征上各向异性地形成帽。 例如，可以在光致抗蚀剂特征上涂覆诸如聚合物的材料。 如果涂覆的材料是光活性的，则帽可以在垂直方向上优先生长，在本发明的一些实施方案中产生高纵横比结构。

公开(公告)号：US07135419B2

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：US10245760

申请日：2002-09-16

申请人： Manish Chandhok ,  Robert P. Meagley

发明人： Manish Chandhok ,  Robert P. Meagley

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/0273

摘要： A base-loaded polymer is applied to a semiconductor feature formed after exposing and developing a photoresist layer in order to reduce line edge roughness caused by a residual acid collecting on the edges of the feature during the post-exposure bake of the photoresist. Alternatively, a polymer is applied containing grains that are of suitable for smoothing the line edge roughness.

摘要翻译： 将基底负载的聚合物施加到在曝光和显影光致抗蚀剂层之后形成的半导体特征，以便在光致抗蚀剂的后曝光烘烤期间减少由在特征的边缘上收集的残留酸引起的线边缘粗糙度。 或者，施加包含适于平滑线边缘粗糙度的颗粒的聚合物。

公开(公告)号：US07658975B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US10735122

申请日：2003-12-12

申请人： Grant Kloster ,  Robert P. Meagley ,  Michael D. Goodner ,  Kevin P. O'brien

发明人： Grant Kloster ,  Robert P. Meagley ,  Michael D. Goodner ,  Kevin P. O'brien

IPC分类号： B05D5/00 ,  B05D1/40

CPC分类号： B32B3/26 ,  B32B2310/12 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/76814 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/249993 ,  Y10T428/31663

摘要： Method and structure for minimizing the downsides associated with microelectronic device processing adjacent porous dielectric materials are disclosed. In particular, chemical protocols are disclosed wherein porous dielectric materials may be sealed by attaching coupling agents to the surfaces of pores. The coupling agents may form all or part of caps on reactive groups in the dielectric surface or may crosslink to seal pores in the dielectric.

摘要翻译： 公开了用于最小化与邻近多孔电介质材料的微电子器件处理有关的缺点的方法和结构。 特别地，公开了化学方案，其中可以通过将偶联剂附着到孔的表面来密封多孔介电材料。 偶联剂可以在电介质表面中的反应性基团上形成全部或部分盖，或者可以交联以密封电介质中的孔。

公开(公告)号：US07615329B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11366344

申请日：2006-03-02

申请人： Robert P. Meagley

发明人： Robert P. Meagley

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/032

CPC分类号： G03F7/0752 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/165 ,  Y10S430/109

摘要： By using a branched long chained chain scission polymer as a photoresist for high resolution extreme ultraviolet (EUV), e-beam or 193 nanometer lithography applications, a relatively higher molecular weight polymer with good mechanical properties may be achieved. In addition, by using chain scission technology, line edge roughness and resolution may be improved at the same time.

摘要翻译： 通过使用支链长链断裂聚合物作为用于高分辨率极紫外（EUV），电子束或193纳米光刻应用的光致抗蚀剂，可以实现具有良好机械性能的相对较高分子量的聚合物。 另外，通过使用断链技术，线边缘粗糙度和分辨率可以同时提高。

公开(公告)号：US20090076291A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US12277114

申请日：2008-11-24

申请人： Robert P. Meagley

发明人： Robert P. Meagley

IPC分类号： C07F7/08

CPC分类号： G03F7/085 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/095

摘要： An adhesion promoter to help reduce semiconductor process effects, such as undesired line edge roughness, insufficient lithographical resolution, and limited depth of focus problems associated with the removal of a photoresist layer. A photoactive adhesion promoter (PAG) is described which helps reduce these and other undesired effects associated with the removal of photoresist in a semiconductor manufacturing process.

摘要翻译： 有助于减少半导体工艺效应的粘合促进剂，例如不期望的线边缘粗糙度，光刻分辨率不足以及与去除光致抗蚀剂层相关的有限的焦深问题。 描述了光敏粘合促进剂（PAG），其有助于减少在半导体制造过程中与去除光致抗蚀剂相关的这些和其它不期望的影响。

公开(公告)号：US07501230B2

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：US10288021

申请日：2002-11-04

申请人： Robert P. Meagley

发明人： Robert P. Meagley

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/085 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/095

摘要： An adhesion promoter to help reduce semiconductor process effects, such as undesired line edge roughness, insufficient lithographical resolution, and limited depth of focus problems associated with the removal of a photoresist layer. A photoactive adhesion promoter (PAG) is described which helps reduce these and other undesired effects associated with the removal of photoresist in a semiconductor manufacturing process.

公开(公告)号：US07452728B2

公开(公告)日：2008-11-18

申请号：US10850414

申请日：2004-05-20

申请人： Bob E. Leet ,  Robert P. Meagley ,  Michael D. Goodner ,  Michael L. McSwiney

发明人： Bob E. Leet ,  Robert P. Meagley ,  Michael D. Goodner ,  Michael L. McSwiney

IPC分类号： G01N33/20

CPC分类号： C02F1/683 ,  C02F1/26 ,  C02F1/30 ,  C02F1/32 ,  C02F2101/20 ,  C22B3/0097 ,  C22B3/24 ,  Y02P10/234 ,  Y02W10/37 ,  Y10T436/25375

摘要： Methods and systems for the concentration and removal of metal ions from aqueous solutions are described, comprising treating the aqueous solutions with photoswitchable ionophores.

摘要翻译： 描述了从水溶液中浓缩和去除金属离子的方法和系统，包括用可光开关的离子载体处理水溶液。

公开(公告)号：US07375030B2

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：US11440933

申请日：2006-05-25

申请人： Hok-Kin Choi ,  Robert P. Meagley

发明人： Hok-Kin Choi ,  Robert P. Meagley

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76808 ,  G01N30/02 ,  G01N2030/027

摘要： Numerous embodiments of a method to assay sacrificial material are disclosed. In one embodiment, a sacrificial material may be analyzed by high performance liquid chromatography. Chemical markers that correlate with material contaminants in the sacrificial material may be identified.

摘要翻译： 公开了用于测定牺牲材料的方法的许多实施例。 在一个实施方案中，可以通过高效液相色谱分析牺牲材料。 可以鉴定与牺牲材料中的材料污染物相关的化学标记。

公开(公告)号：US07166413B2

公开(公告)日：2007-01-23

申请号：US10964200

申请日：2004-10-12

申请人： Heidi B. Cao ,  Robert P. Meagley

发明人： Heidi B. Cao ,  Robert P. Meagley

IPC分类号： G03F7/039

CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/109 ,  Y10S430/111 ,  Y10S522/914

摘要： By using a branched long chained chain scission polymer as a photoresist for EUV and 157 nanometer applications, a relatively higher molecular weight polymer with good mechanical properties may be achieved. In addition, by using chain scission technology, line edge roughness and resolution may be improved at the same time.

摘要翻译： 通过使用支链长链断裂聚合物作为EUV和157纳米应用的光致抗蚀剂，可以实现具有良好机械性能的相对较高分子量的聚合物。 另外，通过使用断链技术，线边缘粗糙度和分辨率可以同时提高。