公开(公告)号：US20050105342A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：US10716755

申请日：2003-11-19

Applicant: Stephen Tang ,  Ali Keshavarzi ,  Dinesh Somasekhar ,  Fabrice Paillet ,  Muhammad Khellah ,  Yibin Ye ,  Shih-Lien Lu ,  Vivek De

Inventor： Stephen Tang ,  Ali Keshavarzi ,  Dinesh Somasekhar ,  Fabrice Paillet ,  Muhammad Khellah ,  Yibin Ye ,  Shih-Lien Lu ,  Vivek De

IPC: G11C5/00 ,  G11C7/00 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4094

CPC classification number: G11C11/4094 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4085

Abstract: A row of floating-body single transistor memory cells is written to in two phases.

Abstract translation: 一行浮体单晶体管存储单元分两个阶段写入。