公开(公告)号：US5048318A

公开(公告)日：1991-09-17

申请号：US580967

申请日：1990-09-12

申请人： Karl Thudium ,  Walter Rieger

发明人： Karl Thudium ,  Walter Rieger

IPC分类号： B21D43/00 ,  B21D43/05

CPC分类号： B21D43/057

摘要： An intermediate depositing station between machining stages of a metal forming machine, having templates for supporting a sheet metal part from below which are adjustable in height, distance and oblique position relative to another sheet metal part. The intermediate depositing station has a mounting plate that is displaceable in a first horizontal direction with respect to a foundation. A first adjusting device is coupled to the mounting plate and is operable to displace the mounting plate horizontally. A carriage plate is coupled to the mounting plate and is displaceable in a second horizontal direction that is transverse to the first horizontal direction. A second adjusting device is coupled to the carriage plate and is operable to displace the carriage plate horizontally. A console is coupled vertically on the carriage plate. A third adjusting device is coupled to the console and is operable to lift and lower the console. The intermediate depositing station has a pivot bearing on the console, and a fifth adjusting device pivoted in the pivot bearing and having an output. A bracket is coupled to the fifth adjusting device. A fourth adjusting device is coupled to the fifth adjusting device via the bracket and is operable to pivot the fifth adjusting device. Supporting brackets couple the fifth adjusting device output to the templates, the fifth adjusting device being rotationally drivable in forward and reverse directions.

摘要翻译： 在金属成型机的加工阶段之间的中间沉积台，具有用于支撑从下方可以相对于另一个金属板部件调节高度，距离和倾斜位置的金属板部件的模板。 中间沉积站具有可相对于基础在第一水平方向上移位的安装板。 第一调节装置联接到安装板并且可操作以水平地移动安装板。 滑架板联接到安装板，并且可在横向于第一水平方向的第二水平方向上移动。 第二调节装置联接到滑架板并且可操作以水平地移动滑架板。 控制台垂直连接在滑架板上。 第三调节装置联接到控制台并且可操作以升高和降低控制台。 中间沉积站在控制台上具有枢转轴承，以及在枢转轴承中枢转并具有输出的第五调节装置。 支架联接到第五调节装置。 第四调节装置经由支架联接到第五调节装置，并且可操作以枢转第五调节装置。 支撑支架将第五调节装置输出连接到模板，第五调节装置可沿正向和反向旋转地驱动。

公开(公告)号：US4170857A

公开(公告)日：1979-10-16

申请号：US826255

申请日：1977-08-19

申请人： Walter Rieger

发明人： Walter Rieger

IPC分类号： E04B2/14 ,  E04F13/00 ,  E04F13/08 ,  E04F13/14 ,  E04D1/00

CPC分类号： E04F13/007 ,  E04F13/0803 ,  E04F13/081 ,  E04F13/0812 ,  E04F13/0825 ,  E04F13/0869 ,  E04F13/142

摘要： A facade construction made of plate-like construction elements having ground edge faces at which the elements are joined with one another without mortar. The plate-like construction elements have interior cavities, the cavities of superimposed construction elements forming through-going air passages connected toward the outside at least in the top and bottom portions of the facade. The ground edge faces form horizontal bearing-surfaces and vertical abutting-surfaces relative to adjoining construction elements. Between these horizontal bearing-surfaces and/or vertical abutting-surfaces of adjoining construction elements locking elements or elements for connection with the means securing the facade to a wall are arranged.

摘要翻译： 由具有接地边缘面的板状结构元件制成的门面结构，元件彼此连接而不需要灰浆。 板状结构元件具有内部空腔，叠加的构造元件的空腔至少在立面的顶部和底部形成连续的空气通道朝向外部。 地面边缘相对于相邻的结构元件形成水平轴承表面和垂直邻接表面。 在相邻结构元件的这些水平轴承表面和/或垂直邻接表面之间布置有用于与将立面固定到壁上的装置连接的锁定元件或元件。

公开(公告)号：US08587033B1

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US13487795

申请日：2012-06-04

申请人： Walter Rieger ,  Oliver Häberlen

发明人： Walter Rieger ,  Oliver Häberlen

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H02M1/32 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466 ,  H01L2924/00

摘要： A transistor device includes a high electron mobility field effect transistor (HEMT) and a protection device. The HEMT has a source, a drain and a gate. The HEMT switches on and conducts current from the source to the drain when a voltage applied to the gate exceeds a threshold voltage of the HEMT. The protection device is monolithically integrated with the HEMT so that the protection device shares the source and the drain with the HEMT and further includes a gate electrically connected to the source. The protection device conducts current from the drain to the source when the HEMT is switched off and a reverse voltage between the source and the drain exceeds a threshold voltage of the protection device. The protection device has a lower threshold voltage than the difference of the threshold voltage of the HEMT and a gate voltage used to turn off the HEMT.

摘要翻译： 晶体管器件包括高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）和保护器件。 HEMT有一个源头，一个排水沟和一个门。 当施加到栅极的电压超过HEMT的阈值电压时，HEMT接通并导通从源极到漏极的电流。 保护装置与HEMT单片集成，使得保护装置与HEMT共享源极和漏极，并且还包括电连接到源极的栅极。 当HEMT关闭时，保护装置将电流从漏极传导到源极，并且源极和漏极之间的反向电压超过保护器件的阈值电压。 保护装置具有比HEMT的阈值电压和用于关断HEMT的栅极电压的差值更低的阈值电压。

公开(公告)号：US20110147796A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12641130

申请日：2009-12-17

申请人： Oliver Haeberlen ,  Walter Rieger ,  Christoph Kadow ,  Markus Zundel

发明人： Oliver Haeberlen ,  Walter Rieger ,  Christoph Kadow ,  Markus Zundel

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/4871 ,  H01L21/76879 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor device including a metal carrier substrate. Above the carrier substrate a first semiconductor layer of Alx1Gay1Inz1N (x1+y1+z1=1, x1≧0, y1≧0, z1≧0) is formed. A second semiconductor layer of Alx2Gay2Inz2N (x2+y2+z2=1, x2>x1, y2≧0, z2≧0) is arranged on the first semiconductor layer and a gate region is arranged on the second semiconductor layer. The semiconductor device furthermore includes a source region and a drain region, wherein one of these regions is electrically coupled to the metal carrier substrate and includes a conductive region extending through the first semiconductor layer.

摘要翻译： 包括金属载体基板的半导体装置。 在载体基板上形成Al x1Gay1Inz1N（x1 + y1 + z1 = 1，x1≥0，y1≥0，z1≥0）的第一半导体层。 Alx2Gay2Inz2N（x2 + y2 + z2 = 1，x2> x1，y2≥0，z2≥0）的第二半导体层布置在第一半导体层上，并且在第二半导体层上布置栅极区。 该半导体器件还包括源极区和漏极区，其中这些区中的一个电耦合到金属载体衬底并且包括延伸穿过第一半导体层的导电区。

公开(公告)号：US07307010B2

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：US10954763

申请日：2004-09-30

申请人： Walter Rieger

发明人： Walter Rieger

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/6831

摘要： A method for processing a semiconductor substrate less than 200 μm thick has been provided. The substrate has one or a plurality of semiconductor elements, which may be identical or different. The substrate is arranged onto a chuck during processing, the front side of the substrate facing the chuck. During processing, an electrically conductive film, for example, made of metal, may be applied on the rear side of the substrate. The film may serve as electrical contact, heat sink or mechanical stabilizer.

摘要翻译： 已经提供了一种用于处理小于200μm厚的半导体衬底的方法。 衬底具有一个或多个半导体元件，其可以相同或不同。 基板在加工过程中被布置在卡盘上，基板的前侧面向卡盘。 在处理过程中，例如由金属制成的导电膜可以施加在基板的后侧。 该膜可用作电接触，散热器或机械稳定剂。

公开(公告)号：US20050151190A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：US10987189

申请日：2004-11-12

申请人： Manfred Kotek ,  Oliver Haberlen ,  Martin Polzl ,  Walter Rieger

发明人： Manfred Kotek ,  Oliver Haberlen ,  Martin Polzl ,  Walter Rieger

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811

摘要： In the case of the cost-effective method according to the invention for fabricating a power transistor arrangement, a trench power transistor arrangement (1) is fabricated with four patterning planes each containing a lithography step. The power transistor arrangement according to the invention has a cell array (3) with cell array trenches (5) each containing a field electrode structure (11) and a gate electrode structure (10). The field electrode structure (11) is electrically conductively connected to the source metallization (15) by a connection trench (6) in the cell array (3).

摘要翻译： 在根据本发明的用于制造功率晶体管布置的成本有效的方法的情况下，制造具有四个图案平面的沟槽功率晶体管布置（1），每个图案平面包含光刻步骤。 根据本发明的功率晶体管装置具有一个具有单元阵列沟槽（5）的单元阵列（3），每个单元阵列具有场电极结构（11）和栅电极结构（10）。 场电极结构（11）通过电池阵列（3）中的连接沟槽（6）与源极金属化（15）导电连接。

公开(公告)号：US4932235A

公开(公告)日：1990-06-12

申请号：US373442

申请日：1989-06-30

申请人： Walter Rieger ,  Karl Thudium

发明人： Walter Rieger ,  Karl Thudium

IPC分类号： B21D43/05

CPC分类号： B21D43/057

摘要： To facilitate a mounting of end areas of gripper rails having exchangeable parts, in a transfer press during a set up change, elements for coupling and uncoupling the exchangeable gripper rail parts are integrated into a constructional unit. This constructional unit includes separatable housing components in which an adjusting device is arranged in one of the housing components which has a slidable clamp bolt. The clamp bolt can be clamped behind a clamping surface in the other housing component. Guided along with the clamp bolt are centering bolts for aligning of the gripper rail parts with respect to one another and a guide bolt for the moving of a carriage located outside the constructional unit.

摘要翻译： 为了便于安装具有可更换部件的夹持轨道的端部区域，在设置更换期间的转印机中，用于联接和拆卸可更换夹持器轨道部件的元件被集成到结构单元中。 该结构单元包括可分离的壳体部件，其中调节装置布置在具有可滑动的夹紧螺栓的壳体部件中的一个中。 夹紧螺栓可以夹紧在另一个壳体部件中的夹紧表面之后。 与夹紧螺栓一起引导是用于使夹持器轨道部分相对于彼此对准的定心螺栓和用于移动位于结构单元外部的托架的导向螺栓。

公开(公告)号：US4058944A

公开(公告)日：1977-11-22

申请号：US703224

申请日：1976-07-07

申请人： Walter Rieger

发明人： Walter Rieger

IPC分类号： E04F13/07 ,  E04F13/08 ,  E04H1/00

CPC分类号： E04F13/0805 ,  E04F13/0816 ,  E04F13/0819

摘要： A building structure wall, in particular a facade construction, is made of plate-like construction elements arranged beside and above one another and secured to elongate members, and recesses being provided in the construction elements, and closing elements surrounding the elongate members are inserted in the recesses and boltable with at least one of the plate-like construction elements.

摘要翻译： 建筑物结构壁，特别是立面结构，由彼此相邻并且彼此相邻并且固定到细长构件的平板状构造元件制成，并且设置在构造元件中的凹部和围绕细长构件的封闭元件插入 所述凹部可与所述板状构造元件中的至少一个螺栓连接。

公开(公告)号：US20110210377A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US12713336

申请日：2010-02-26

申请人： Oliver Haeberlen ,  Walter Rieger

发明人： Oliver Haeberlen ,  Walter Rieger

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： A semiconductor device is described. In one embodiment, the device includes a Group-III nitride channel layer and a Group-III nitride barrier layer on the Group-III nitride channel layer, wherein the Group-III nitride barrier layer includes a first portion and a second portion, the first portion having a thickness less than the second portion. A p-doped Group-III nitride gate layer section is arranged at least on the first portion of the Group-III nitride barrier layer and a gate contact formed on the p-doped Group-III nitride gate layer.

摘要翻译： 描述半导体器件。 在一个实施例中，该器件包括III族氮化物沟道层上的III族氮化物沟道层和III族氮化物阻挡层，其中III族氮化物阻挡层包括第一部分和第二部分，第一部分 部分具有小于第二部分的厚度。 至少在III族氮化物阻挡层的第一部分和形成在p掺杂III族氮化物栅极层上的栅极接触上布置p掺杂的III族氮化物栅极层部分。

公开(公告)号：US20080197405A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：US11677430

申请日：2007-02-21

申请人： Frank Pfirsch ,  Walter Rieger

发明人： Frank Pfirsch ,  Walter Rieger

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/66727

摘要： A semiconductor structure comprises a plurality of columns doped with alternating dopants. The columns are separated by trenches, and the dopant is diffused in the doped columns. The trenches are filled with semiconductor material. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 半导体结构包括掺杂有交替掺杂剂的多个列。 这些列由沟槽分开，并且掺杂剂在掺杂柱中扩散。 沟槽填充有半导体材料。 可以描述和要求保护其他实施例。