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    Apparatus for controlling safety-critical processes
    66.
    发明授权
    Apparatus for controlling safety-critical processes 有权
    用于控制安全关键过程的装置

    公开(公告)号：US06832343B2

    公开(公告)日：2004-12-14

    申请号：US10072558

    申请日：2002-02-08

    申请人： Roland Rupp ,  Klaus Wohnhaas ,  Hans Schwenkel

    发明人： Roland Rupp ,  Klaus Wohnhaas ,  Hans Schwenkel

    IPC分类号： G06F1100

    CPC分类号： G05B9/03

    摘要： The present invention relates to an apparatus for controlling safety-critical processes. The apparatus includes at least one safe control unit for controlling the safety-critical processes and at least two safe signal units which are connected via I/O channels to the safety-critical processes. The safe control unit and the safe signal units are connected to a common fieldbus. The safe signal units communicate with the safe control unit, but not with one another, when the apparatus is in the control mode. The safe signal units have an evaluator for evaluating a fault message which is broadcasted across the fieldbus, as well as a switching device which autonomously change the safety-critical process to a safe state when a fault message which is evaluated as being relevant occurs.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于控制安全关键过程的装置。 该装置包括用于控制安全关键过程的至少一个安全控制单元和经由I / O通道连接到安全关键过程的至少两个安全信号单元。 安全控制单元和安全信号单元连接到公共现场总线。 当设备处于控制模式时，安全信号单元与安全控制单元通信，但彼此不通信。 安全信号单元具有用于评估跨现场总线广播的故障消息的评估器，以及当被评估为相关的故障消息发生时，将安全关键过程自主地改变为安全状态的交换设备。

    Electronic safety switching device and method
    67.
    发明授权
    Electronic safety switching device and method 有权
    电子安全开关装置及方法

    公开(公告)号：US06784571B2

    公开(公告)日：2004-08-31

    申请号：US10414795

    申请日：2003-04-16

    申请人： Roland Rupp ,  Hans Schwenkel

    发明人： Roland Rupp ,  Hans Schwenkel

    IPC分类号： B60Q1100

    CPC分类号： G05B9/03 ,  H03K19/0075

    摘要： The present invention relates to an electronic safety switching device having at least a first and a second signal processing channel. The channels can be supplied with input signals for signal processing, and they provide redundantly processed output signals. According to one aspect of the invention, the signal processing channels are arranged monolithically on a common semiconductor substrate. The semiconductor structures of each signal processing channel are spaced apart physically by a multiple of their width from the semiconductor structures of every other signal processing channel.

    摘要翻译： 本发明涉及至少具有第一和第二信号处理通道的电子安全开关装置。 通道可以提供输入信号进行信号处理，并提供冗余处理的输出信号。 根据本发明的一个方面，信号处理通道单片地布置在公共半导体衬底上。 每个信号处理通道的半导体结构在物理上与其它信号处理通道的半导体结构的宽度的倍数隔开。

    Protection configuration for schottky diode
    68.
    发明授权
    Protection configuration for schottky diode 有权
    肖特基二极管的保护配置

    公开(公告)号：US06714397B2

    公开(公告)日：2004-03-30

    申请号：US10213419

    申请日：2002-08-05

    申请人： Anton Mauder ,  Roland Rupp ,  Erich Griebl

    发明人： Anton Mauder ,  Roland Rupp ,  Erich Griebl

    IPC分类号： H02H908

    CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A protection device for a Schottky diode is described. The protection device has a cascade circuit with at least two Si-PIN diodes provided parallel to the Schottky diode. The protection device protects against momentary over-current pulses reliably and without a high outlay in terms of cost and necessary materials for forming the protection device.

    摘要翻译： 描述了用于肖特基二极管的保护装置。 保护装置具有级联电路，其具有平行于肖特基二极管提供的至少两个Si-PIN二极管。 保护装置能够可靠地保护瞬时过电流脉冲，并且在成本方面没有高昂的费用和用于形成保护装置的必要材料。

    Process for the thermal annealing of implantation-doped silicon carbide semiconductors
    70.
    发明授权
    Process for the thermal annealing of implantation-doped silicon carbide semiconductors 失效
    注入掺杂碳化硅半导体的热退火工艺

    公开(公告)号：US06406983B1

    公开(公告)日：2002-06-18

    申请号：US09538797

    申请日：2000-03-30

    申请人： Karlheinz Hölzlein ,  Roland Rupp ,  Arno Wiedenhofer

    发明人： Karlheinz Hölzlein ,  Roland Rupp ,  Arno Wiedenhofer

    IPC分类号： H01L21265

    CPC分类号： H01L21/046 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00

    摘要： A process for the thermal annealing of implantation-doped silicon carbide semiconductors in a gas stream brings practically no carbon to the silicon carbide semiconductor. In one embodiment, a container, a carrier, radiation shields and a baseplate are composed of a metal or a metal compound such as, for example, tantalum or tantalum carbide, at least at locations which come into contact with the gas stream.

    摘要翻译： 用于气体流中注入掺杂碳化硅半导体的热退火的方法对碳化硅半导体几乎不产生碳。 在一个实施例中，至少在与气流接触的位置处，容器，载体，辐射屏蔽和基板由金属或金属化合物例如钽或碳化钽组成。