公开(公告)号：US20050023559A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：US10897679

申请日：2004-07-22

申请人： Yasushi Ogimoto ,  Kenjiro Miyano

发明人： Yasushi Ogimoto ,  Kenjiro Miyano

IPC分类号： H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L43/08 ,  G11B5/127

CPC分类号： G11C11/15

摘要： In a magnetic oxide thin film, at least three phases including a layered antiferromagnetic metallic phase, an antiferromagnetic charge-ordered insulating phase, and a ferromagnetic metallic phase coexist. A magnetic memory element includes the magnetic oxide thin film and an electrode. Therefore, the magnetic oxide thin film and the magnetic memory element can attain, in a form of thin-film (which is necessary to form a device), (i) an enormous resistance change and history dependence at a low resistance and (ii) history dependence of magnetization under a weak magnetic field, without narrowing a range of operating temperature.

摘要翻译： 在磁性氧化物薄膜中，包括层状反铁磁金属相，反铁磁性有序绝缘相和强磁性金属相的至少三相共存。 磁存储元件包括磁性氧化物薄膜和电极。 因此，磁性氧化物薄膜和磁记忆元件可以以薄膜（形成器件所必需的）的形式获得，（i）在低电阻下的巨大的电阻变化和历史依赖性，以及（ii） 在弱磁场下的磁化历史依赖性，而不会使工作温度范围变窄。

公开(公告)号：US06432474B1

公开(公告)日：2002-08-13

申请号：US09342079

申请日：1999-06-28

申请人： Kenji Nakanishi ,  Hideo Nojima ,  Yasushi Ogimoto ,  Yoshihiro Takahashi

发明人： Kenji Nakanishi ,  Hideo Nojima ,  Yasushi Ogimoto ,  Yoshihiro Takahashi

IPC分类号： B05D302

CPC分类号： H01L31/101 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1295 ,  G01J5/20 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/09 ,  H01L37/00

摘要： A perovskite type manganese oxide thin film capable of working at temperatures within an electron cooling range and a high sensitivity infrared sensing element using the same thin film are disclosed. The thin film of perovskite type manganese oxide containing an element Ca or Sr and elements La, Mn and O is characterized in that a metal-insulation phase transition point of the thin film lies within a range of temperatures obtainable by a thermoelectric cooling method. The perovskite type manganese oxide is a thin film produced by a sol-gel method and the film is used for manufacturing an infrared sensing element.

摘要翻译： 公开了能够在电子冷却范围内工作的钙钛矿型氧化锰薄膜和使用相同薄膜的高灵敏度红外线感测元件。 含有元素Ca或Sr和元素La，Mn和O的钙钛矿型锰氧化物的薄膜的特征在于，薄膜的金属绝缘相转变点在通过热电冷却方法获得的温度范围内。 钙钛矿型锰氧化物是通过溶胶 - 凝胶法制造的薄膜，并且该膜用于制造红外线感测元件。