公开(公告)号：US20060068604A1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：US10955519

申请日：2004-09-30

申请人： Cheng-Lin Huang ,  Ching-Hua Hsieh ,  Shau-Lin Shue

发明人： Cheng-Lin Huang ,  Ching-Hua Hsieh ,  Shau-Lin Shue

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A barrier layer and a fabrication thereof are disclosed. The barrier layer comprises at least one barrier material selected from the group consisting of Ta, W, Ti, Ru, Zr, Hf, V, Nb, Cr and Mo and at least one component of oxygen, nitrogen or carbon. A ratio of the component to the barrier material is not less than about 0.45. The fabrication method of the barrier layer applies a working pressure for forming the barrier layer from about 0.5 mTorr to about 200 mTorr substantially without forming crystalline material therein.

摘要翻译： 公开了阻挡层及其制造。 阻挡层包含选自Ta，W，Ti，Ru，Zr，Hf，V，Nb，Cr和Mo中的至少一种阻挡材料和氧，氮或碳的至少一种成分。 组分与阻隔材料的比例不小于约0.45。 阻挡层的制造方法施加用于形成阻挡层的工作压力，大约0.5mTorr至大约200mTorr，基本上不形成结晶材料。

公开(公告)号：US20050282396A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：US10872238

申请日：2004-06-18

申请人： Yu-Liang Lin ,  Henry Lo ,  Chung-Long Chang ,  Gorge Huang ,  Tony Lu ,  Gnesh Yeh ,  Candy Liang ,  Chun-Hsien Lin ,  Mei Sheng Zhou ,  Sunny Wu ,  Ai-Sen Liu ,  Cheng-Lin Huang ,  Li-Jui Chen ,  Shih Wang

发明人： Yu-Liang Lin ,  Henry Lo ,  Chung-Long Chang ,  Gorge Huang ,  Tony Lu ,  Gnesh Yeh ,  Candy Liang ,  Chun-Hsien Lin ,  Mei Sheng Zhou ,  Sunny Wu ,  Ai-Sen Liu ,  Cheng-Lin Huang ,  Li-Jui Chen ,  Shih Wang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/336 ,  H01L21/461 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67282 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method and apparatus for locally etching a substrate area the method including providing a substrate comprising a process surface; depositing a material layer over the process surface; and, applying a wet etchant to cover a targeted etching portion of the process surface while excluding an adjacent surrounding area to selectively etch the material layer overlying the targeted etching portion.

摘要翻译： 一种用于局部蚀刻衬底区域的方法和装置，该方法包括提供包含工艺表面的衬底; 在工艺表面上沉积材料层; 以及施加湿蚀刻剂以覆盖所述工艺表面的目标蚀刻部分，同时排除相邻的周围区域以选择性地蚀刻覆盖所述目标蚀刻部分的所述材料层。