公开(公告)号：US20110211579A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US13102871

申请日：2011-05-06

申请人： Wei Cao ,  Xinchun Guo

发明人： Wei Cao ,  Xinchun Guo

IPC分类号： H04L12/56

CPC分类号： H04L45/02 ,  H04L45/507

摘要： The present invention relates to communications technologies and discloses a method, a system, and a label switching router for setting up a Label Switching Path (LSP). The method includes: an ingress edge node sends a label request packet to a downstream node, where the label request packet carries an Equal Cost Multi-Path (ECMP) property flag of a Forwarding Equivalence Class (FEC); the downstream node that receives the label request packet sends the label request packet to a next-hop node according to the property flag; and the node that receives the label request packet performs label mapping according to a path of the label request packet, binds a label to the FEC, and sets up an LSP. An ECMP property flag indicating setting up an ECMP route is permitted is introduced in the process of setting up an LSP. Therefore, setup of an ECMP route is prevented for the FEC that imposes special requirements, and management and maintenance of the network are facilitated.

摘要翻译： 本发明涉及通信技术，并且公开了一种用于建立标签交换路径（LSP）的方法，系统和标签交换路由器。 该方法包括：入口边缘节点向下游节点发送标签请求报文，标签请求报文携带转发等价类（FEC）的等价成本多径（ECMP）属性标志; 接收标签请求报文的下游节点根据属性标志向下一跳节点发送标签请求报文; 接收标签请求报文的节点根据标签请求报文的路径进行标签映射，将标签绑定到FEC，并建立LSP。 在建立LSP的过程中引入了表示设置ECMP路由的ECMP属性标志。 因此，针对强制特殊要求的FEC，防止设置ECMP路由，便于网络的管理和维护。

公开(公告)号：US20110133300A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12927670

申请日：2010-11-19

申请人： Rongfu Xiao ,  Cheng T. Horng ,  Ru-Ying Tong ,  Chyu-Jinh Torng ,  Tom Zhong ,  Witold Kula ,  Terry Kin Ting Ko ,  Wei Cao ,  Wai-Ming J. Kan ,  Liubo Hong

发明人： Rongfu Xiao ,  Cheng T. Horng ,  Ru-Ying Tong ,  Chyu-Jinh Torng ,  Tom Zhong ,  Witold Kula ,  Terry Kin Ting Ko ,  Wei Cao ,  Wai-Ming J. Kan ,  Liubo Hong

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

摘要： A multi-layered bottom electrode for an MTJ device on a silicon nitride substrate is described. It comprises a bilayer of alpha tantalum on ruthenium which in turn lies on a nickel chrome layer over a second tantalum layer.

摘要翻译： 描述了用于氮化硅衬底上的MTJ器件的多层底电极。 它包括在钌上的α钽的双层，其又位于第二钽层上的镍铬层上。

公开(公告)号：US20110076785A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12927615

申请日：2010-11-19

申请人： Rongfu Xiao ,  Cheng T. Horng ,  Ru-Ying Tong ,  Chyu-Jinh Torng ,  Tom Zhong ,  Witold Kula ,  Terry Kin Ting Ko ,  Wei Cao ,  Wai-Ming J. Kan ,  Liubo Hong

发明人： Rongfu Xiao ,  Cheng T. Horng ,  Ru-Ying Tong ,  Chyu-Jinh Torng ,  Tom Zhong ,  Witold Kula ,  Terry Kin Ting Ko ,  Wei Cao ,  Wai-Ming J. Kan ,  Liubo Hong

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

摘要： Formation of a bottom electrode for an MTJ device on a silicon nitride substrate is facilitated by including a protective coating that is partly consumed during etching of the alpha tantalum portion of said bottom electrode. Adhesion to SiN is enhanced by using a TaN/NiCr bilayer as “glue”.

摘要翻译： 在氮化硅衬底上形成用于MTJ器件的底部电极通过包括在所述底部电极的α钽部分的蚀刻期间部分消耗的保护涂层来促进。 通过使用TaN / NiCr双层作为“胶”来增强对SiN的附着力。

公开(公告)号：US07876755B2

公开(公告)日：2011-01-25

申请号：US12212300

申请日：2008-09-17

申请人： Wei Cao ,  Xiaohu Xu

发明人： Wei Cao ,  Xiaohu Xu

IPC分类号： H04L12/28 ,  H04L12/56

CPC分类号： H04L45/16 ,  H04L45/02 ,  H04L45/023 ,  H04L45/28 ,  H04L45/50

摘要： A method and system for improving a quality of communication based on a label distribution protocol is provided. The method includes the following: When a local label switching router (LSR) finds out a change of a route at an upstream node in a multicast label switching path (LSP), it calculates and sets up a new optimized multicast LSP according to the label distribution protocol (LDP), and delays to send a withdraw request to the upstream node in the former multicast LSP. An interruption of the data stream in the multicast LSP reconstruction procedures can be avoided or reduced, so that the loss of data packets caused by the multicast LSP adjustment is reduced, and the quality of communication of the multicast is improved.

摘要翻译： 提供了一种基于标签分发协议提高通信质量的方法和系统。 该方法包括：当本地标签交换路由器（LSR）发现组播标签交换路径（LSP）上游节点的路由发生变化时，根据标签计算并建立新的优化组播LSP 分发协议（LDP），并将延迟发送到前一个组播LSP中的上游节点。 可以避免或减少组播LSP重建过程中的数据流的中断，从而降低由组播LSP调整引起的数据包丢失，提高组播通信质量。

公开(公告)号：US07867896B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US12417439

申请日：2009-04-02

申请人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent W. Ku ,  Ling Chen

发明人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent W. Ku ,  Ling Chen

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/28562

摘要： Embodiments of the invention provide a method for forming tantalum nitride materials on a substrate by employing an atomic layer deposition (ALD) process. The method includes heating a tantalum precursor within an ampoule to a predetermined temperature to form a tantalum precursor gas and sequentially exposing a substrate to the tantalum precursor gas and a nitrogen precursor to form a tantalum nitride material. Thereafter, a nucleation layer and a bulk layer may be deposited on the substrate. In one example, a radical nitrogen compound may be formed from the nitrogen precursor during a plasma-enhanced ALD process. A nitrogen precursor may include nitrogen or ammonia. In another example, a metal-organic tantalum precursor may be used during the deposition process.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种通过采用原子层沉积（ALD）工艺在衬底上形成氮化钽材料的方法。 该方法包括将安瓿内的钽前体加热至预定温度以形成钽前体气体，并将基底依次暴露于钽前体气体和氮气前体以形成氮化钽材料。 此后，可以在基板上沉积成核层和体层。 在一个实例中，在等离子体增强的ALD工艺期间可以由氮前体形成自由基氮化合物。 氮前体可以包括氮或氨。 在另一个实例中，在沉积过程中可以使用金属 - 有机钽前体。

公开(公告)号：US20090245255A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12481036

申请日：2009-06-09

申请人： Wei Cao ,  Jian Li ,  Enhui Liu

发明人： Wei Cao ,  Jian Li ,  Enhui Liu

IPC分类号： H04L12/56

CPC分类号： H04L12/1886 ,  H04L45/00 ,  H04L45/16 ,  H04L45/50

摘要： A multicast method and a multicast apparatus are disclosed. The multicast method includes: retaining the multicast forwarding subtree and forbidding to forward multicast data through the multicast forwarding subtree when the created multicast forwarding subtree does not need to forward any data; and forwarding the multicast data through the multicast forwarding subtree when the created multicast forwarding subtree needs to forward data.

摘要翻译： 公开了组播方法和组播装置。 组播方法包括：当创建的组播转发子树不需要转发任何数据时，保留组播转发子树，禁止通过组播转发子树转发组播数据; 并且当创建的组播转发子树需要转发数据时，通过组播转发子树转发组播数据。

公开(公告)号：US07514358B2

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：US11231386

申请日：2005-09-21

申请人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent Ku ,  Ling Chen

发明人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent Ku ,  Ling Chen

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/28562

摘要： Embodiments of the invention provide a method for forming tantalum nitride materials on a substrate by employing an atomic layer deposition (ALD) process. The method includes heating a tantalum precursor within an ampoule to a predetermined temperature to form a tantalum precursor gas and sequentially exposing a substrate to the tantalum precursor gas and a nitrogen precursor to form a tantalum nitride material. Thereafter, a nucleation layer and a bulk layer may be deposited on the substrate. In one example, a radical nitrogen compound may be formed from the nitrogen precursor during a plasma-enhanced ALD process. A nitrogen precursor may include nitrogen or ammonia. In another example, a metal-organic tantalum precursor may be used during the deposition process.

摘要翻译： 本发明的实施例提供一种通过采用原子层沉积（ALD）工艺在衬底上形成氮化钽材料的方法。 该方法包括将安瓿内的钽前体加热至预定温度以形成钽前体气体，并将基底依次暴露于钽前体气体和氮气前体以形成氮化钽材料。 此后，可以在基板上沉积成核层和体层。 在一个实例中，在等离子体增强的ALD工艺期间可以由氮前体形成自由基氮化合物。 氮前体可以包括氮或氨。 在另一个实例中，在沉积过程中可以使用金属 - 有机钽前体。

公开(公告)号：US07324955B1

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：US10103342

申请日：2002-03-19

申请人： Charles P. Ford ,  Wei Cao

发明人： Charles P. Ford ,  Wei Cao

IPC分类号： G06F17/30

CPC分类号： G06Q30/02 ,  G06Q10/06375 ,  G06Q30/0202 ,  G06Q30/0206

摘要： A method for generating a sales volume forecast includes receiving user input specifying a hypothetical asking price and a future date and accessing, for each of multiple past time periods, historical data reflecting a sales volume for an item over the past time period and a corresponding price difference between an asking price and a coinciding market price for the item, the price difference also being associated with the past time period. The method also includes determining a historical correlation for the item between sales volume and price difference between asking price and coinciding market price, accessing market data reflecting a future market price for the item associated with the specified future date, determining a price difference between the specified hypothetical asking price and the future market price for the item, applying the determined historical correlation to the determined price difference to generate a sales volume forecast, and providing the generated sales volume forecast for access by a user.

摘要翻译： 用于生成销售量预测的方法包括接收指定假设要价和未来日期的用户输入，并且对于多个过去时间段中的每一个访问反映过去时间段内的物品的销售量的历史数据和对应的价格 价格与物品的市场价格一致之间的差异，价格差异也与过去时间有关。 该方法还包括确定销售量与要价与一致市价之间的价格差异之间的项目的历史相关性，访问反映与指定未来日期相关联的项目的未来市场价格的市场数据，确定指定的 假设要价和项目的未来市场价格，将确定的历史相关性应用于确定的价格差异以产生销售量预测，以及提供所生成的销售量预测以供用户访问。

公开(公告)号：US20070096490A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11261142

申请日：2005-10-28

申请人： Wei Cao ,  Wai Yip ,  Wen Jen Yeu ,  Hong Chia

发明人： Wei Cao ,  Wai Yip ,  Wen Jen Yeu ,  Hong Chia

IPC分类号： B62D33/00

CPC分类号： H01P3/12 ,  Y10T29/49016 ,  Y10T29/4981

摘要： A waveguide liner for an analyzer magnet chamber having three interlocking pieces of graphite, the liner pieces having sufficient size to allow them to stand freely without being secured, said liner pieces providing case of interchange and replacement in a Kestrel analyzer magnet chamber.

摘要翻译： 一种用于分析器磁体室的波导衬套，具有三个互锁的石墨片，所述衬垫件具有足够的尺寸以允许它们在不固定的情况下自由站立，所述衬垫件在Kestrel分析器磁体室中提供交换和更换的壳体。

公开(公告)号：US06972267B2

公开(公告)日：2005-12-06

申请号：US10379438

申请日：2003-03-04

申请人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent Ku ,  Ling Chen

发明人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent Ku ,  Ling Chen

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/28562

摘要： Disclosed is a method and apparatus that features deposition of tantalum films employing sequential deposition techniques, such as Atomic Layer Deposition (ALD). The method includes serially exposing a substrate to a flow of a nitrogen-containing gas, such as ammonia NH3, and a tantalum containing gas. The tantalum-containing gas is formed from a precursor, (tBuN)Ta(NEt2)3 (TBTDET), which is adsorbed onto the substrate. Prior to adsorption of TBTDET onto the substrate layer, the TBTDET precursor is heated within a predefined temperature range.

摘要翻译： 公开了一种方法和装置，其特征是使用诸如原子层沉积（ALD）的顺序沉积技术沉积钽膜。 该方法包括将基底连续暴露于含氮气体（例如氨NH 3）和含钽气体的流动。 含钽气体由吸附在上面的前驱物（TBTET）Ta（NET 2 N 3）3（TBTDET）形成， 底物。 在将TBTDET吸附到基底层上之前，将TBTDET前体在预定的温度范围内加热。