公开(公告)号：US5599738A

公开(公告)日：1997-02-04

申请号：US566385

申请日：1995-12-11

申请人： Majid M. Hashemi ,  Saied N. Tehrani ,  Sung P. Pack

发明人： Majid M. Hashemi ,  Saied N. Tehrani ,  Sung P. Pack

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/335 ,  H01L21/338 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/812 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L29/66863 ,  H01L21/28132 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  Y10S438/947

摘要： A process of fabricating submicron features including depositing a gate metal layer on a substrate and forming a first etchable layer of material on the metal layer to define a first sidewall. A second etchable layer is deposited on the structure so as to define a second sidewall. The second etchable layer is etched so as to leave only the second sidewall and the first etchable layer is removed. The metal layer is etched using the second sidewall as an etch mask to form a submicron feature. The width of the feature depends upon the thickness of the metal layer.

摘要翻译： 一种制造亚微米特征的方法，包括在衬底上沉积栅极金属层并在金属层上形成第一可蚀刻材料层以限定第一侧壁。 第二可蚀刻层沉积在结构上以限定第二侧壁。 蚀刻第二可蚀刻层以仅留下第二侧壁，并且去除第一可蚀刻层。 使用第二侧壁作为蚀刻掩模来蚀刻金属层以形成亚微米特征。 特征的宽度取决于金属层的厚度。