公开(公告)号：US08067815B2

公开(公告)日：2011-11-29

申请号：US12332837

申请日：2008-12-11

申请人： Wei-Chih Chien ,  Kuo-Pin Chang ,  Yi-Chou Chen ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang-Yeu Hsieh

发明人： Wei-Chih Chien ,  Kuo-Pin Chang ,  Yi-Chou Chen ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang-Yeu Hsieh

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： G11C17/16 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021

摘要： Memory devices are described along with methods for manufacturing. A memory device as described herein includes a first electrode and a second electrode. The memory device further includes a diode and an anti-fuse metal-oxide memory element comprising aluminum oxide and copper oxide. The diode and the metal-oxide memory element are arranged in electrical series between the first electrode and the second electrode.

摘要翻译： 描述存储器件以及制造方法。 如本文所述的存储器件包括第一电极和第二电极。 存储器件还包括二极管和包含氧化铝和氧化铜的抗熔丝金属氧化物存储元件。 二极管和金属氧化物存储元件电连接在第一电极和第二电极之间。