公开(公告)号：US07586139B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11276218

申请日：2006-02-17

申请人： James W. Adkisson ,  Jeffrey P. Gambino ,  Mark D. Jaffe ,  Alan Loiseau ,  Richard J. Rassel

发明人： James W. Adkisson ,  Jeffrey P. Gambino ,  Mark D. Jaffe ,  Alan Loiseau ,  Richard J. Rassel

IPC分类号： H01L31/062 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

摘要： An imaging sensor with an array of FET pixels and method of forming the imaging sensor. Each pixel is a semiconductor island, e.g., N-type silicon on a Silicon on insulator (SOI) wafer. FETs are formed in one photodiode electrode, e.g., a P-well cathode. A color filter may be attached to an opposite surface of island. A protective layer (e.g., glass or quartz) or window is fixed to the pixel array at the color filters. The image sensor may be illuminated from the backside with cell wiring above the cell. So, an optical signal passes through the protective layer is filtered by the color filters and selectively sensed by a corresponding photo-sensor.

摘要翻译： 具有FET像素阵列的成像传感器和形成成像传感器的方法。 每个像素是半导体岛，例如绝缘体上硅（SOI）晶片上的N型硅。 FET形成在一个光电二极管电极中，例如P阱阴极。 滤色器可以附接到岛的相对表面。 保护层（例如，玻璃或石英）或窗口在滤色器处固定到像素阵列。 图像传感器可以从背面照亮，电池布线在电池单元上方。 因此，通过保护层的光学信号被滤色器过滤并被相应的光电传感器选择性地感测。

公开(公告)号：US20070194397A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：US11276218

申请日：2006-02-17

申请人： James Adkisson ,  Jeffrey Gambino ,  Mark Jaffe ,  Alan Loiseau ,  Richard Rassel

发明人： James Adkisson ,  Jeffrey Gambino ,  Mark Jaffe ,  Alan Loiseau ,  Richard Rassel

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

摘要： An imaging sensor with an array of FET pixels and method of forming the imaging sensor. Each pixel is a semiconductor island, e.g., N-type silicon on a Silicon on insulator (SOI) wafer. FETs are formed in one photodiode electrode, e.g., a P-well cathode. A color filter may be attached to an opposite surface of island. A protective layer (e.g., glass or quartz) or window is fixed to the pixel array at the color filters. The image sensor may be illuminated from the backside with cell wiring above the cell. So, an optical signal passes through the protective layer is filtered by the color filters and selectively sensed by a corresponding photo-sensor.

摘要翻译： 具有FET像素阵列的成像传感器和形成成像传感器的方法。 每个像素是半导体岛，例如绝缘体上硅（SOI）晶片上的N型硅。 FET形成在一个光电二极管电极中，例如P阱阴极。 滤色器可以附接到岛的相对表面。 保护层（例如，玻璃或石英）或窗口在滤色器处固定到像素阵列。 图像传感器可以从背面照亮，电池布线在电池单元上方。 因此，通过保护层的光学信号被滤色器过滤并被相应的光电传感器选择性地感测。