公开(公告)号：US4956047A

公开(公告)日：1990-09-11

申请号：US229686

申请日：1988-08-08

申请人： Meckie T. Harris ,  John J. Larkin ,  Alton F. Armington ,  John K. Kennedy

发明人： Meckie T. Harris ,  John J. Larkin ,  Alton F. Armington ,  John K. Kennedy

IPC分类号： C30B7/00

CPC分类号： C30B7/00 ,  C30B29/18 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/1096

摘要： Ultra high pure quartz is grown by a one step in-situ growth process where the nutrient is high purity silica. A negative temperature gradient is maintained between the nutrient zone and the seed zone until about the start of crystal growth. A sealable container made of silver contains the nutrient and the seed within the autoclave chamber.

摘要翻译： 超高纯石英通过一步原位生长过程生长，其中营养物是高纯度二氧化硅。 在营养区和种子区之间保持负温度梯度，直到晶体生长开始。 由银制成的可密封容器包含高压釜室内的营养物和种子。

公开(公告)号：US4576808A

公开(公告)日：1986-03-18

申请号：US566130

申请日：1983-12-28

申请人： Alton F. Armington ,  John J. Larkin

发明人： Alton F. Armington ,  John J. Larkin

IPC分类号： C30B7/00 ,  C30B29/18

CPC分类号： C30B7/00 ,  C30B29/18 ,  Y10S117/902

摘要： This invention concerns itself with a method for producing single crystal, seed material for use in growing synthetic quartz crystals. This seed material comprises a Z-faced seed crystal cut or sliced from the X-plus growing region of a synthetic quartz, single crystal boule.

摘要翻译： 本发明涉及一种生产用于生长合成石英晶体的单晶种子材料的方法。 该种子材料包括从合成石英的X加生长区域切割或切片的Z-面晶种晶体，单晶晶锭。

公开(公告)号：US5544615A

公开(公告)日：1996-08-13

申请号：US282869

申请日：1994-07-29

申请人： Meckie T. Harris ,  David F. Bliss ,  Alton F. Armington ,  William M. Higgins ,  George G. Bryant

发明人： Meckie T. Harris ,  David F. Bliss ,  Alton F. Armington ,  William M. Higgins ,  George G. Bryant

IPC分类号： C30B25/00 ,  C01B25/00 ,  C30B15/00

CPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/10

摘要： New single crystals of ZnGeP.sub.2 are grown by a chemical vapor transport process from bulk synthesized polycrystalline ZnGeP.sub.2 using the LEK process with a controlled injection of phosphorus. The synthesis of the bulk is based on direct injection of phosphorus through a B.sub.2 O.sub.3 encapsulant and reaction with the zinc germanium melt, resulting in synthesis of a large melt (350 g) of ZnGeP.sub.2. When crystallization is followed by cooling the congruent melt down through the .alpha.-.beta. transition temperature (952.degree. C.) as is typical for bulk growth processes, the result is the growth of partially disordered material. This material is placed in a two zone heated furnace where iodine is used to transport the intermediate product to the growth zone where the single crystals grow, at a temperature below the .alpha.-.beta. phase transition. The resulting crystals produced contained a second cubic phase, which has not been reported previously.

摘要翻译： ZnGeP2的新型单晶通过化学气相传输方法从大量合成的多晶ZnGeP2生长，使用LEK方法，控制注入磷。 本体的合成基于通过B2O3密封剂直接注入磷并与锌锗熔体反应，导致合成大量的熔融物（350g）的ZnGeP2。 当结晶化之后，将一致的熔体冷却通过α-β转变温度（952℃），如通常的体积生长过程所示，结果是部分无序材料的生长。 将该材料放置在双区加热炉中，其中使用碘在低于α-β相变的温度下将中间产物运输到单晶生长的生长区。 产生的所得晶体含有第二立方相，其以前尚未报道。

公开(公告)号：US5134261A

公开(公告)日：1992-07-28

申请号：US503494

申请日：1990-03-30

申请人： John J. Larkin ,  Meckie T. Harris ,  Alton F. Armington

发明人： John J. Larkin ,  Meckie T. Harris ,  Alton F. Armington

IPC分类号： F27B14/06 ,  F27B14/08 ,  F27B14/10 ,  F27D1/00 ,  F27D19/00 ,  F27D99/00 ,  H05B6/02 ,  H05B6/24 ,  H05B6/42

CPC分类号： H05B6/42 ,  F27B14/06 ,  F27B14/08 ,  F27D1/00 ,  H05B6/24 ,  F27B14/10 ,  F27D2019/0093 ,  F27D2099/002 ,  F27D2099/0026 ,  F27M2001/03 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/1092

摘要： A composite susceptor for a radio frequency (RF) heated crystal growing furnace has a plurality of stacked electrically insulating and electrically conducting elements about the crucible area so that a proper temperature gradient is established and controlled.

摘要翻译： 用于射频（RF）加热晶体生长炉的复合感受体在坩埚区域周围具有多个堆叠的电绝缘和导电元件，从而建立和控制适当的温度梯度。

公开(公告)号：US5322591A

公开(公告)日：1994-06-21

申请号：US676773

申请日：1991-03-26

申请人： Meckie T. Harris ,  J. Emery Cormier ,  John J. Larkin ,  Alton F. Armington

发明人： Meckie T. Harris ,  J. Emery Cormier ,  John J. Larkin ,  Alton F. Armington

IPC分类号： C30B7/00 ,  C30B15/24

CPC分类号： C30B7/00 ,  C30B29/34 ,  Y10S117/902

摘要： The growth of bismuth silicate crystals occurs in a high pressure vessel or autoclave using a hydrothermal growth process. The nutrient material is placed in a sealed container of noble metal, liner, along with a solvent to a selected fill level. A filler fluid is also placed between the liner and the pressure vessel. The oriented seeds are placed in the cooler top seed zone over a baffle that slows the movement of supersaturated liquid from the hotter lower nutrient zone. Using a selected heating schedule for the top and the bottom zones, a plurality of large crystals are grown in the seed zone. The temperature differential is about 5.degree. C.

摘要翻译： 硅酸铋晶体的生长发生在使用水热生长工艺的高压容器或高压釜中。 将营养物质与贵金属，衬里以及溶剂的密封容器一起置于选定的填充水平。 填料流体也放置在衬套和压力容器之间。 将取向的种子放置在挡板上的较冷顶部种子区域中，该挡板减缓来自较热的较低营养区域的过饱和液体的运动。 对于顶部和底部区域使用选定的加热方案，在种子区域中生长多个大晶体。 温差约为5℃