公开(公告)号：US20150091174A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：US14040191

申请日：2013-09-27

申请人： James S. Clarke ,  Anthony C. Schmitz ,  Richard E. Schenker

发明人： James S. Clarke ,  Anthony C. Schmitz ,  Richard E. Schenker

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit and a method of forming an integrated circuit including a first dielectric layer including a surface, a plurality of first trenches defined in the dielectric layer surface, and a plurality of first wires, wherein each of the first wires are formed in each of the first trenches. The integrated circuit also includes a plurality of second trenches defined in the dielectric layer surface, and a plurality of second wires, wherein each of the second wires are formed in each of the second trenches. Further, the first wires comprise a first material having a first bulk resistivity and the second wires comprise a second material having a second bulk resistivity, wherein the first bulk resistivity and the second bulk resistivity are different.

摘要翻译： 一种集成电路和形成集成电路的方法，该集成电路包括包括表面的第一介电层，限定在电介质层表面中的多个第一沟槽和多个第一布线，其中，每个第一布线形成在 第一个沟渠。 集成电路还包括限定在电介质层表面中的多个第二沟槽和多个第二布线，其中每个第二布线形成在每个第二沟槽中。 此外，第一导线包括具有第一体电阻率的第一材料，并且第二导线包括具有第二体电阻率的第二材料，其中第一体电阻率和第二体电阻率不同。