公开(公告)号：US07112286B2

公开(公告)日：2006-09-26

申请号：US10727392

申请日：2003-12-04

申请人： Brian Vialpando ,  Eric William Beach ,  Philipp Steinmann

发明人： Brian Vialpando ,  Eric William Beach ,  Philipp Steinmann

IPC分类号： H01B13/00 ,  H01L21/00 ,  C23C14/00

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01C7/006 ,  H01C17/075 ,  Y10T29/49099 ,  Y10T29/4913

摘要： A thin film resistor structure and a method of fabricating a thin film resistor structure is provided. The thin film resistor structure includes an electrical interface layer or head layer that is a combination of a Titanium (Ti) layer and a Titanium Nitride (TiN) layer. The combination of the Ti layer and the TiN layer mitigates resistance associated with the electrical interface layers.

公开(公告)号：US20060027526A1

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：US11242575

申请日：2005-10-04

申请人： Brian Vialpando ,  Eric Beach ,  Philipp Steinmann

发明人： Brian Vialpando ,  Eric Beach ,  Philipp Steinmann

IPC分类号： H01B13/00 ,  H01C1/012

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01C7/006 ,  H01C17/075 ,  Y10T29/49099 ,  Y10T29/4913

摘要： A thin film resistor structure and a method of fabricating a thin film resistor structure is provided. The thin film resistor structure includes an electrical interface layer or head layer that is a combination of a Titanium (Ti) layer and a Titanium Nitride (TiN) layer. The combination of the Ti layer and the TiN layer mitigates resistance associated with the electrical interface layers.

摘要翻译： 提供薄膜电阻器结构和制造薄膜电阻器结构的方法。 薄膜电阻器结构包括电接口层或头层，其是钛（Ti）层和氮化钛（TiN）层的组合。 Ti层和TiN层的组合减轻了与电接口层相关的电阻。

公开(公告)号：US07403095B2

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：US11242575

申请日：2005-10-04

申请人： Brian Vialpando ,  Eric William Beach ,  Philipp Steinmann

发明人： Brian Vialpando ,  Eric William Beach ,  Philipp Steinmann

IPC分类号： H01C1/012

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01C7/006 ,  H01C17/075 ,  Y10T29/49099 ,  Y10T29/4913

摘要： A thin film resistor structure and a method of fabricating a thin film resistor structure is provided. The thin film resistor structure includes an electrical interface layer or head layer that is a combination of a Titanium (Ti) layer and a Titanium Nitride (TiN) layer. The combination of the Ti layer and the TiN layer mitigates resistance associated with the electrical interface layers.

摘要翻译： 提供薄膜电阻器结构和制造薄膜电阻器结构的方法。 薄膜电阻器结构包括电接口层或头层，其是钛（Ti）层和氮化钛（TiN）层的组合。 Ti层和TiN层的组合减轻了与电接口层相关的电阻。

公开(公告)号：US20050122207A1

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：US10727392

申请日：2003-12-04

申请人： Brian Vialpando ,  Eric Beach ,  Philipp Steinmann

发明人： Brian Vialpando ,  Eric Beach ,  Philipp Steinmann

IPC分类号： H01C1/142 ,  H01C7/00 ,  H01C17/075 ,  H01C17/28 ,  H01L21/02 ,  H01C1/012

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01C7/006 ,  H01C17/075 ,  Y10T29/49099 ,  Y10T29/4913

摘要： A thin film resistor structure and a method of fabricating a thin film resistor structure is provided. The thin film resistor structure includes an electrical interface layer or head layer that is a combination of a Titanium (Ti) layer and a Titanium Nitride (TiN) layer. The combination of the Ti layer and the TiN layer mitigates resistance associated with the electrical interface layers.

摘要翻译： 提供薄膜电阻器结构和制造薄膜电阻器结构的方法。 薄膜电阻器结构包括电接口层或头层，其是钛（Ti）层和氮化钛（TiN）层的组合。 Ti层和TiN层的组合减轻了与电接口层相关的电阻。