公开(公告)号：US20120279865A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13289391

申请日：2011-11-04

申请人： Louis Regniere ,  Yakub Aliyu ,  Rainer M. Schmitt ,  Theodore M. Johnson ,  Ronald A. Kropp ,  Christian Liautaud ,  Deda Diatezua ,  Isaac R. Abothu ,  De Liufu ,  Richard Irving ,  Patrick D. Brown ,  Walter C. Mick ,  William H. Tanubrata ,  Omid S. Jahromi ,  John Boudreaux ,  David B. Clarke ,  Jack S. Chorpenning ,  Bryce M. Barbato ,  Honorio R. Ulep ,  William R. Robinson, JR.

发明人： Louis Regniere ,  Yakub Aliyu ,  Rainer M. Schmitt ,  Theodore M. Johnson ,  Ronald A. Kropp ,  Christian Liautaud ,  Deda Diatezua ,  Isaac R. Abothu ,  De Liufu ,  Richard Irving ,  Patrick D. Brown ,  Walter C. Mick ,  William H. Tanubrata ,  Omid S. Jahromi ,  John Boudreaux ,  David B. Clarke ,  Jack S. Chorpenning ,  Bryce M. Barbato ,  Honorio R. Ulep ,  William R. Robinson, JR.

IPC分类号： C25D5/02

CPC分类号： C23C18/54 ,  C25D5/48

摘要： Provided herein is a method of making an integrated circuit device using copper metallization on 1-3 PZT composite. The method includes providing an overlay of electroplated immersion of gold (Au) to cover copper metal traces, the overlay preventing oxidation on 1:3 PZT composite with material. Also included is the formation of immersion Au nickel electrodes on the 1-3 PZT composite to achieve pad metallization for external connections.

摘要翻译： 本文提供了在1-3PZT复合材料上制造使用铜金属化的集成电路器件的方法。 该方法包括提供金（Au）的电镀浸渍覆盖铜金属迹线的覆盖层，该覆盖层防止1：3 PZT复合材料与材料的氧化。 还包括在1-3 PZT复合材料上形成浸金Au镍电极，以实现外部连接的焊盘金属化。