公开(公告)号：US08174017B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US11505201

申请日：2006-08-16

Applicant: Markondeya Raj Pulugurtha ,  Devarajan Balaraman ,  Isaac R. Abothu ,  Rao Tummala ,  Farrokh Ayazi

Inventor： Markondeya Raj Pulugurtha ,  Devarajan Balaraman ,  Isaac R. Abothu ,  Rao Tummala ,  Farrokh Ayazi

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L21/84 ,  H01L28/55 ,  H01L28/91 ,  H05K1/162 ,  H05K3/243 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/0373 ,  H05K2203/0315

Abstract: Disclosed are three-dimensional dielectric structures on high surface area electrodes and fabrication methods. Exemplary structures comprise a copper foil substrate, trench electrodes or high surface area porous electrode structures formed on the substrate, a insulating thin film formed on the surface and laminating the foil on a organic substrate. A variety of materials may be used to make the films including perovksite ceramics such as barium titanate, strontium titanate, barium strontium titanate (BST), lead zirconate titanate (PZT); other intermediate dielectric constant films such as zinc oxide, aluminum nitride, silicon nitride; typical paraelectrics such as tantalum oxide, alumina, and titania. The films may be fabricated using sol-gel, hydrothermal synthesis, anodization or vapor deposition techniques.

Abstract translation: 公开了高表面电极上的三维电介质结构和制造方法。 示例性结构包括铜箔衬底，形成在衬底上的沟槽电极或高表面积多孔电极结构，在表面上形成的绝缘薄膜，并将箔层压在有机衬底上。 可以使用各种材料来制造包括钛酸钡，钛酸锶，钛酸锶钡（BST），锆钛酸铅（PZT）等周波陶瓷的膜。 其它中间介电常数膜如氧化锌，氮化铝，氮化硅; 典型的顺电介质如氧化钽，氧化铝和二氧化钛。 可以使用溶胶 - 凝胶，水热合成，阳极氧化或气相沉积技术来制造膜。

公开(公告)号：US20120279865A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13289391

申请日：2011-11-04

Applicant: Louis Regniere ,  Yakub Aliyu ,  Rainer M. Schmitt ,  Theodore M. Johnson ,  Ronald A. Kropp ,  Christian Liautaud ,  Deda Diatezua ,  Isaac R. Abothu ,  De Liufu ,  Richard Irving ,  Patrick D. Brown ,  Walter C. Mick ,  William H. Tanubrata ,  Omid S. Jahromi ,  John Boudreaux ,  David B. Clarke ,  Jack S. Chorpenning ,  Bryce M. Barbato ,  Honorio R. Ulep ,  William R. Robinson, JR.

Inventor： Louis Regniere ,  Yakub Aliyu ,  Rainer M. Schmitt ,  Theodore M. Johnson ,  Ronald A. Kropp ,  Christian Liautaud ,  Deda Diatezua ,  Isaac R. Abothu ,  De Liufu ,  Richard Irving ,  Patrick D. Brown ,  Walter C. Mick ,  William H. Tanubrata ,  Omid S. Jahromi ,  John Boudreaux ,  David B. Clarke ,  Jack S. Chorpenning ,  Bryce M. Barbato ,  Honorio R. Ulep ,  William R. Robinson, JR.

IPC: C25D5/02

CPC classification number: C23C18/54 ,  C25D5/48

Abstract: Provided herein is a method of making an integrated circuit device using copper metallization on 1-3 PZT composite. The method includes providing an overlay of electroplated immersion of gold (Au) to cover copper metal traces, the overlay preventing oxidation on 1:3 PZT composite with material. Also included is the formation of immersion Au nickel electrodes on the 1-3 PZT composite to achieve pad metallization for external connections.

Abstract translation: 本文提供了在1-3PZT复合材料上制造使用铜金属化的集成电路器件的方法。 该方法包括提供金（Au）的电镀浸渍覆盖铜金属迹线的覆盖层，该覆盖层防止1：3 PZT复合材料与材料的氧化。 还包括在1-3 PZT复合材料上形成浸金Au镍电极，以实现外部连接的焊盘金属化。