公开(公告)号：US09041210B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13527131

申请日：2012-06-19

申请人： Jeffrey P. Gambino ,  Jessica A. Levy ,  Cameron E. Luce ,  Daniel S. Vanslette ,  Bucknell C. Webb

发明人： Jeffrey P. Gambino ,  Jessica A. Levy ,  Cameron E. Luce ,  Daniel S. Vanslette ,  Bucknell C. Webb

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A through silicon via with sidewall roughness and methods of manufacturing the same are disclosed. The method includes forming a via in a substrate and roughening a sidewall of the via by depositing material within the via. The method further includes removing a backside of the substrate to form a through via with a roughened sidewall structure.

摘要翻译： 公开了一种具有侧壁粗糙度的贯通硅通孔及其制造方法。 该方法包括在基板中形成通孔，并通过在通孔内沉积材料来粗糙化通孔的侧壁。 该方法还包括去除衬底的背面以形成具有粗糙化侧壁结构的通孔。

公开(公告)号：US20130334701A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13527131

申请日：2012-06-19

申请人： Jeffrey P. GAMBINO ,  Jessica A. LEVY ,  Cameron E. LUCE ,  Daniel S. VANSLETTE ,  Bucknell C. WEBB

发明人： Jeffrey P. GAMBINO ,  Jessica A. LEVY ,  Cameron E. LUCE ,  Daniel S. VANSLETTE ,  Bucknell C. WEBB

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A through silicon via with sidewall roughness and methods of manufacturing the same are disclosed. The method includes forming a via in a substrate and roughening a sidewall of the via by depositing material within the via. The method further includes removing a backside of the substrate to form a through via with a roughened sidewall structure.

摘要翻译： 公开了一种具有侧壁粗糙度的贯通硅通孔及其制造方法。 该方法包括在基板中形成通孔，并通过在通孔内沉积材料来粗糙化通孔的侧壁。 该方法还包括去除衬底的背面以形成具有粗糙化侧壁结构的通孔。