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发明授权
Dynamic random access memory (DRAM) cell with folded bitline vertical transistor and method of producing the same 有权
标题翻译：具有折叠位线垂直晶体管的动态随机存取存储器（DRAM）单元及其制造方法

公开(公告)号：US06720602B2

公开(公告)日：2004-04-13

申请号：US10101992

申请日：2002-03-21

申请人： Lawrence A. Clevenger , Louis Lu-Chen Hsu , Jack A. Mandelman , Carl D. Radens

发明人： Lawrence A. Clevenger , Louis Lu-Chen Hsu , Jack A. Mandelman , Carl D. Radens

IPC分类号： H01L27108

CPC分类号： H01L27/10864 , H01L27/10876 , H01L27/10891

摘要： A semiconductor device and a method for forming the semiconductor device, include forming a mandrel, forming spacer wordline conductors on sidewalls of the mandrel, separating, by using a trim mask, adjacent spacer wordline conductors, and providing a contact area to contact alternating ones of pairs of the spacer wordline conductors.

摘要翻译： 半导体器件和用于形成半导体器件的方法包括形成心轴，在心轴的侧壁上形成间隔物字线导体，通过使用修剪掩模分离相邻间隔物字线导体，并提供接触区域以接触交替的一对间隔字线导线。